LPDDR5和UFS3.0最快明年面市，哪個(gè)更好用？

目前主流手機(jī)的運(yùn)行內(nèi)存基本上都是LPDDR4（帶寬17-25.6GB/s），以及過渡時(shí)期的LPDDR4X（帶寬34GB/s），存儲(chǔ)閃存為EMMC5.1和UFS2.1。然而隨著5G網(wǎng)絡(luò)的普及，對(duì)手機(jī)性能需求越來越高，LPDDR5運(yùn)存（帶寬51.2GB/s）和UFS 3.0閃存即將到來。

LPDDR4標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布于2014年8月份了，標(biāo)準(zhǔn)名為“JESD209-4”，電壓相比LPDDR3的1.2V降低至1.1V；而在LPDDR5未到來的過渡時(shí)期，宏旺半導(dǎo)體ICMAX推出的LPDDR4X內(nèi)存技術(shù)上跟LPDDR4內(nèi)存相同，只不過電壓可低至0.6V（LPDDR4X Vddq電壓從1.1V降至0.6V，Vdd2電壓保持1.1V不變），進(jìn)一步降低了功耗，降幅可達(dá)40%。

補(bǔ)充說明下：以ICMAX的技術(shù)為例，該公司的LPDDR4內(nèi)存可以運(yùn)行于2133MHz的頻率，在2 x 16bit的雙通道配置下，數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)到4266 MT/s。ICMAX在這里解釋一下，MT/s意思是megatransfers/s，也就是說MT/s（每秒兆比特）中文解釋為百萬次/秒，由于HT總線是雙向傳輸，所以換算成我們平時(shí)所熟悉的MHz需要除以2。

LPDDR5、UFS3.0

對(duì)比目前比較牛叉的LPDDR4X 2133MHz（雙通道，即為最強(qiáng)的4266MT/s的頻率），LPDDR5 速度上從LPDDR4X 4266MT/s提升到了6400MT/s，此外，LPDDR5內(nèi)存芯片相較LPDDR4X，功耗還減少了30%。手機(jī)端的LPDDR5 3200MHz（6400MT/s）顯然是比PC端強(qiáng)很多，要知道主流PC端大多數(shù)機(jī)器基本上還停留在DRR3 1866MHz、和DDR4 2400MHz，現(xiàn)在的智能手機(jī)價(jià)格也不比電腦便宜多少啊。

而UFS3.0的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，為單通道帶寬提升到11.6Gbps，理論最大速度約2.9GB/s，相較于目前旗艦機(jī)普遍采用的UFS 2.1直接翻番。此外，UFS 3.0使用2.5V VCC電壓降低功耗，支持最新NAND Flash技術(shù)；溫度范圍也從-25至85℃擴(kuò)展為- 40度至105℃，若在手機(jī)上實(shí)現(xiàn)商用，便可避免在極高、低溫環(huán)境下，手機(jī)停止工作的情況。

說明下，ICMAX LPDDR4X最新的技術(shù)已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)單顆8GB運(yùn)存的支持了，在運(yùn)行內(nèi)存方面，從電壓來看，LPDDR5<lpddr4x<lpddr4<lpddr3< strong="">；因此LPDDR4X比LPDDR4更省電，發(fā)熱低，LPDDR4比LPDDR3更省電，發(fā)熱低。在存儲(chǔ)空方面，UFS3.0>UFS2.1>UFS2.0>EMMC5.1>EMMC5.0>EMMC4.5，其中EMMC5.1使用比例占多數(shù)，在電子產(chǎn)品中是主流。

目前受成本限制，像驍龍600和700系列都是使用EMMC5.1存儲(chǔ)，只有800系列才用UFS存儲(chǔ)，當(dāng)然也有例外，有些驍龍670、710也會(huì)搭配使用UFS2.1存儲(chǔ)。今年底高通將發(fā)布驍龍865處理器，將支持UFS 3.0閃存及LPDDR5X內(nèi)存，商用時(shí)代即將到來。