半導(dǎo)體一周要聞－莫大康（5.6- 5.10）

史德年：智能手機(jī)芯片國(guó)產(chǎn)化率23.6%，屏幕國(guó)產(chǎn)化率67.5%

2019年5月9日，第一屆中國(guó)國(guó)際智能終端產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)在宜賓召開。 中國(guó)信息通信研究院副總工程師史德年發(fā)表主題演講《智能終端發(fā)展態(tài)勢(shì)》，他在演講中提到：“我國(guó)高端手機(jī)處理器芯片設(shè)計(jì)能力已經(jīng)達(dá)到全球領(lǐng)先水平，國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)核心芯片國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到23.6%?！背酥?，國(guó)內(nèi)智能手機(jī)的國(guó)產(chǎn)屏幕占比穩(wěn)步提升，達(dá)到67.5%。

史德年在演講中提到，智能手機(jī)核心芯片的國(guó)產(chǎn)化率，從2014年的11.9%提升至2018年的23.6%，提升了一倍，“這里主要是華為海思的麒麟芯片”；同時(shí)，智能手機(jī)屏幕的國(guó)產(chǎn)化率從2014年的26.2%提升至67.5%，提升了1.5倍。

中國(guó)將超越韓國(guó)，掌握LCD市場(chǎng)

從市占率來看，韓國(guó)與中國(guó)的差距似乎依舊遙遠(yuǎn)，但與去年同期相比，情況并不樂觀。去年第一季韓國(guó)的市占率為54.8％，到今年第一季已下降近10個(gè)百分點(diǎn)至45.1％，相反的，中國(guó)從3.6％成長(zhǎng)至33.9％，足足增加30多個(gè)百分點(diǎn)。

據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS Markit的資料顯示，今年第一季60英寸以上的大型電視面板市場(chǎng)中，韓國(guó)以45.1％市占率拿下第一，中國(guó)33.9％市占率位居第二。 

中芯國(guó)際調(diào)整再出發(fā)，南方FinFET工廠產(chǎn)能布建12納米客戶導(dǎo)入

2019年5月8日，中芯國(guó)際公布2019年第一季度（2019年1月1日至3月31日）財(cái)報(bào)，營(yíng)收為6.689億美元，相較2018年第四季度的7.876億美元下滑了15.1%，相較2018年第一季的8.310億美元下滑了19.5%，相較2018第一季的不含技術(shù)授權(quán)收入的銷售額7.234億美元下滑了7.5%。

從晶圓付運(yùn)量來看，2019Q1季為109萬(wàn)片約當(dāng)8英寸晶圓，較上季的122萬(wàn)片下滑了10.5%，較去年同期的108萬(wàn)片增長(zhǎng)了0.5%。本季產(chǎn)能利用率為89.2% ，上季為89.9%，去年同期為88.3%。

從約當(dāng)8英寸晶圓每片售價(jià)來看，本季僅614美元，創(chuàng)下上市以來的最低價(jià)，2018年第四季售價(jià)為647美元，2018年第一季不含技術(shù)授權(quán)收入影響的售價(jià)為668美元。 

原中芯國(guó)際CEO邱慈云出任上海新昇CEO！

5月5日，集微網(wǎng)從芯謀研究首席分析師顧文軍處獲悉，原中芯國(guó)際CEO邱慈云出任上海新昇CEO。

中芯北方張昕：集成電路制造業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)

據(jù)張昕介紹，中芯北京是我們國(guó)家建造的第一個(gè)12寸的晶圓代工廠。目前它也是國(guó)內(nèi)規(guī)模最大，或者可以說是唯一盈利的12寸的代工基地。目前，中芯北京和后來成立的中芯北方的12吋晶圓代工，月產(chǎn)能可達(dá)12萬(wàn)片(8inch)。

目前，中芯北方具備兩條月產(chǎn)3.5萬(wàn)片的300mm生產(chǎn)線。第一條生產(chǎn)線主要生產(chǎn)40納米和28納米Polysion工藝產(chǎn)品；第二條生產(chǎn)線具備28納米HKMG工藝及更高技術(shù)水平（廠房在建中）。完全達(dá)產(chǎn)后，中芯北方將與中芯國(guó)際北京廠一起成為國(guó)內(nèi)集成電路制造的重要生產(chǎn)基地。

在這個(gè)過程中，伴隨著工藝節(jié)點(diǎn)的提升，設(shè)備也需要及時(shí)更新。在折舊換新的過程中，成熟的國(guó)際大廠通常只需要三到四年即可完成，但是對(duì)于中芯國(guó)際這樣一個(gè)新手玩家來說，則需要大概九年的時(shí)間。盈利，對(duì)于集成電路制造廠商來說，是一個(gè)漫長(zhǎng)的過程。

為此，張昕為我們估算了這樣“一筆人才賬”。他認(rèn)為，要維護(hù)一個(gè)可以進(jìn)行規(guī)?；a(chǎn)的制造廠，需要至少三代的技術(shù)節(jié)點(diǎn)來維護(hù)。三代技術(shù)，接近一千個(gè)產(chǎn)品，制造廠所需要的設(shè)備就要超過一百種。為這樣一個(gè)工廠，又需要大概2000名工程師來維持。而這些工程師，有需要擁有一定的工作經(jīng)驗(yàn)，短則三五年，長(zhǎng)則十年以上。

如何頂住來自市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)，這也是本土集成電路制造廠面臨的挑戰(zhàn)。這種挑戰(zhàn)，具體到中芯北京上，則體現(xiàn)為如何將六代技術(shù)與價(jià)值500億人民幣的設(shè)備，合理地、充分地用在所有技術(shù)平臺(tái)上、所有的應(yīng)用節(jié)點(diǎn)上。

舉例來講，在中芯傳統(tǒng)的工廠中，當(dāng)工廠產(chǎn)能在5萬(wàn)片時(shí)，需要一千三百名操作工，人機(jī)比是1:3，而通過數(shù)字化管理，則最終會(huì)達(dá)到1:100。

一期總投資50億元，富士康濟(jì)南高功率芯片工廠已悄然開建？

新聞稿中指出，該項(xiàng)目是濟(jì)南市引進(jìn)的富士康高科技產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，主要為年產(chǎn)36萬(wàn)片8寸硅基功率器件和12萬(wàn)片6寸SiC功率器件的工業(yè)廠房。項(xiàng)目總占地630.6畝，一期占地318畝，一期總投資50億元，建筑面積24萬(wàn)平米。

該項(xiàng)目將建設(shè)8寸晶圓廠功率半導(dǎo)體器件（主要生產(chǎn)MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圓廠碳化硅器件的研發(fā)、生產(chǎn)基地，項(xiàng)目一期用地317.92畝，建筑面積約24.5萬(wàn)平方米，投資50.53億元。

富能半導(dǎo)體有限公司或就是富士康與濟(jì)南約定促成落地的高功率芯片公司。根據(jù)濟(jì)南高新區(qū)管委會(huì)消息，該項(xiàng)目開工之后，將于10月底完成部分主體施工，明年一季度全部建成使用。

紫光集團(tuán)負(fù)債2000億！

5月3日，自上交所債券信息披露平臺(tái)獲悉，紫光集團(tuán)去年歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)為-6.31億元，同比盈轉(zhuǎn)虧，下滑159.43%。

紫光集團(tuán)在收入上取得大幅增長(zhǎng)。2018 年 1-12 月，公司營(yíng)業(yè)總收入為 799.54 億元，同比增長(zhǎng) 38.98%，主要為公司業(yè)務(wù)快速增長(zhǎng)及合并范圍增加帶入所致。

截至 2018 年 12 月 31 日，紫光集團(tuán)負(fù)債合計(jì) 2035.81 億元，同比增長(zhǎng) 57.52%。其中，流 動(dòng)負(fù)債 794.53 億元，同比增長(zhǎng) 45.10%；非流動(dòng)負(fù)債 1241.28 億元，同比增長(zhǎng) 66.65%。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層NAND量產(chǎn)在即，與紫光集團(tuán)角力戰(zhàn)漸起

市場(chǎng)傳出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有意改變策略，越過大股東紫光集團(tuán)的銷售管道，采取自產(chǎn)自銷3D NAND芯片的模式，也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2018年成功研發(fā) 32層3D NAND后，其武漢基地一期項(xiàng)目已實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)，第1季的單月產(chǎn)能可達(dá)到5,000片，2019年目標(biāo)將邁入量產(chǎn)64層3D NAND計(jì)劃。

不過目前各家國(guó)際大廠減產(chǎn)多半仍針對(duì)舊制程的64層NAND，而新一代96層的研發(fā)投入并未縮手，并預(yù)計(jì)2020年下半各家大廠將先后進(jìn)入128層等級(jí)的制程，長(zhǎng)江存儲(chǔ)力圖超車追趕，預(yù)計(jì)在量產(chǎn)64層NAND后，將直接跳過96層，2020年直接逼近128層堆棧3D NAND，縮短與國(guó)際大廠的技術(shù)差距。

粵芯12英寸芯片廠搬入設(shè)備100余臺(tái)，安裝調(diào)試按計(jì)劃有序進(jìn)行

粵芯項(xiàng)目計(jì)劃今年9月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。周亞偉對(duì)粵芯如期完成設(shè)備生產(chǎn)線調(diào)試和試產(chǎn)成功給予厚望。

4月11日，粵芯半導(dǎo)體進(jìn)行了2019年第一季度全員工大會(huì)。陳衛(wèi)表示，年會(huì)時(shí)150人的團(tuán)隊(duì)，短短三個(gè)月發(fā)展到近300人的團(tuán)隊(duì)，粵芯的成長(zhǎng)非常迅速。目前粵芯第一期項(xiàng)目即將建成量產(chǎn)，并在積極籌劃第二期項(xiàng)目。

5月6日，廣州市委常委、黃埔區(qū)委書記周亞偉等一行到粵芯12英寸芯片廠建設(shè)現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行調(diào)研。

IHS：半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2019年陷入十年來最嚴(yán)重的低迷狀態(tài)

5月7日，據(jù)IHS Markit應(yīng)用市場(chǎng)預(yù)測(cè)工具的最新數(shù)據(jù)，2019年全球半導(dǎo)體芯片行業(yè)的營(yíng)收將下降7.4%。營(yíng)收將從2018年的4,820億美元下降至2019年的4,462億美元。

與去年12月的預(yù)測(cè)相比，這代表著市場(chǎng)前景的重大變化。去年12月曾預(yù)測(cè)2019年市場(chǎng)將增長(zhǎng)2.9%。但目前最新的預(yù)測(cè)--7.4%的降幅將標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入自2009年以來最大的年度百分比降幅，而2009年當(dāng)年的半導(dǎo)體芯片銷售額曾一度暴跌近11%。

2019年半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將超5000億美元

根據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì)，從2013年到2018年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模從3056億美元迅速提升至4688億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到8.93%。預(yù)計(jì)2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將超5000億美元。

全球最高工藝EUV 5nm臺(tái)積電碾壓三星！

三星和臺(tái)積電最近都披露了他們的5nm制程，這里我們來并比較一下這兩種制程。

我們將首先回顧一下兩家的7nm比較。（可參考：7nm-臺(tái)積電 VS 三星）

7nm

圖1 比較了三星的7LPP工藝與臺(tái)積電的7FF和7FFP工藝。

5nm

三星和臺(tái)積電已經(jīng)開始接受5nm的訂單，今年的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)和明年的批量生產(chǎn)。我們預(yù)計(jì)兩家公司將在5納米采用更多的EUV層，三星為12層，臺(tái)積電為14層。

對(duì)話英特爾CEO司睿博：最大挑戰(zhàn)在于如何激發(fā)內(nèi)部潛力

延續(xù)“以PC為中心轉(zhuǎn)型到以數(shù)據(jù)為中心”的核心戰(zhàn)略，司睿博更關(guān)注的，是如何執(zhí)行這一戰(zhàn)略，并激發(fā)十萬(wàn)多名英特爾員工的潛力。他描繪出了3000億美元的市場(chǎng)前景，并在不同場(chǎng)合多次強(qiáng)調(diào)要加強(qiáng)英特爾的“執(zhí)行力”。

執(zhí)掌英特爾您認(rèn)為最大的挑戰(zhàn)是什么？

Bob Swan：對(duì)我個(gè)人來說，最大的挑戰(zhàn)在于如何充分激發(fā)英特爾內(nèi)部的潛力。我們公司集結(jié)了這個(gè)星球上最聰明的十萬(wàn)七千名員工。當(dāng)他們?cè)谶^去50年已經(jīng)取得巨大成功的情況下，如何能夠進(jìn)一步激發(fā)他們的潛能，讓他們?cè)谖磥砟軌虬l(fā)揮更大的作用。所以我認(rèn)為最大的挑戰(zhàn)就是要充分地激發(fā)英特爾員工和工程師們的智慧和士氣，在他們已經(jīng)對(duì)世界產(chǎn)生了巨大影響的情況下，讓他們能夠?yàn)檫@個(gè)世界帶來更大的影響。

臺(tái)積電將推出6nm制程技術(shù)，大部分7nm客戶都將轉(zhuǎn)型

在本周的季度收益電話會(huì)議上，臺(tái)積電方面透露，預(yù)計(jì)其大部分7nm工藝客戶將轉(zhuǎn)型至6nm工藝節(jié)點(diǎn)，6nm節(jié)點(diǎn)使用率和產(chǎn)能都會(huì)迅速擴(kuò)大。如果臺(tái)積電的預(yù)測(cè)成真，N6毫無(wú)疑問將成為臺(tái)積電下一個(gè)廣泛使用，長(zhǎng)期服務(wù)的流程節(jié)點(diǎn)。

據(jù)悉，臺(tái)積電于4月16日宣布推出6nm(N6)制程技術(shù)，并預(yù)計(jì)2020年第1季度進(jìn)入試產(chǎn)。

臺(tái)積電的6nm2020年才會(huì)試產(chǎn)，而號(hào)稱相比于第一代7nm晶體管密度提升45％，可帶來15％的性能提升或20％功耗下降的臺(tái)積電5nm工藝已經(jīng)順利進(jìn)入試產(chǎn)階段，所以預(yù)計(jì)蘋果和華為將會(huì)跳過6nm，直接選擇更為強(qiáng)悍的5nm工藝。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來一波衰退期，國(guó)內(nèi)特色工藝龍頭華虹宏力會(huì)如何應(yīng)對(duì)？

根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易協(xié)會(huì)(WSTS)數(shù)據(jù)顯示，2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額達(dá)4,687.78億美元，同比增長(zhǎng)13.7%，相對(duì)2017年的21.6%的大幅增長(zhǎng)有所放緩。從目前半導(dǎo)體行業(yè)主流國(guó)際機(jī)構(gòu)的預(yù)測(cè)來看，2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增速將進(jìn)一步放緩。

據(jù)Gartner 2018 Q4預(yù)測(cè)，2019年、2020年、2021年、2022年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售分別為4,890億美元、5,280億美元、5,190億美元、5,390億美元，分別增長(zhǎng)2.5%、8.1%、-1.8%、3.8%。

韓國(guó)目標(biāo)2030年全球晶圓代工市占第一

為將南韓發(fā)展成綜合半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)，南韓政府力爭(zhēng)到2030年在全球晶圓代工市場(chǎng)的占有率排名第一，同時(shí)，在半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)市場(chǎng)的占有率從目前的1.6%提升至10%。

研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights曾于2月公布，臺(tái)灣晶圓廠產(chǎn)能規(guī)模于2015年登上全球第一，2018年臺(tái)灣晶圓廠產(chǎn)能占全球比重達(dá)21.8%，較2017年的21.3%再攀升0.5個(gè)百分點(diǎn)，并持續(xù)居全球第一，略高于南韓的21.3%（月產(chǎn)能403.3萬(wàn)片）。

南韓聯(lián)合新聞通訊社報(bào)導(dǎo)，南韓政府今天在三星電子華城事業(yè)場(chǎng)發(fā)表旨在發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的「系統(tǒng)晶片產(chǎn)業(yè)愿景和戰(zhàn)略」，決定今后10年將在研發(fā)領(lǐng)域投入1兆韓元（約合新臺(tái)幣265.1億元），并培養(yǎng)1.7萬(wàn)名專業(yè)人才，以落實(shí)前述愿景。產(chǎn)業(yè)通商資源部表示，南韓政府與半導(dǎo)體企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)簽署諒解備忘錄，將在汽車、生物、能源、物聯(lián)網(wǎng)、機(jī)器人等系統(tǒng)晶片需求較大的領(lǐng)域建立合作平臺(tái)，將為先進(jìn)技術(shù)研發(fā)每年提供300億韓元（約新臺(tái)幣7.95億元）的資金。

英特爾H10內(nèi)存來勢(shì)洶洶，三星與SK海力士接招

報(bào)導(dǎo)表示，英特爾的 H10 被稱之為下一代的內(nèi)存存儲(chǔ)裝置，而且采用 Intel Optane 內(nèi)存 H10 的第 8 代 Intel Core U 系列行動(dòng)平臺(tái)，將于本季稍晚透過主要 OEM 廠商推出。透過這些平臺(tái)，日常用戶將能夠在多任務(wù)處理時(shí)，達(dá)到啟動(dòng)文件檔案的速度提高 2 倍，或者游戲啟動(dòng)速度提高 60%，以及打開媒體檔案的速度提高 90% 的效能。而隨著筆電使用的 H10 問世，未來英特爾在服務(wù)器方面的相關(guān)產(chǎn)品也將會(huì)很快地推出，而憑借著英特爾在服務(wù)器上的高市占率優(yōu)勢(shì)，未來將會(huì)影響到三星與 SK 在服務(wù)器內(nèi)存上的市占率。因此針對(duì)次此一市場(chǎng)，三星與海力士也將推出相類似的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)，不讓英特爾專美于前。

因?yàn)?/span> H10 具備著融合了 DRAM 與 NAND Flash 的優(yōu)點(diǎn)，那就是雖然在 DRAM 的內(nèi)存速度比過去傳統(tǒng)的內(nèi)存稍慢，卻有著價(jià)格上的優(yōu)勢(shì)，而且具有 NAND Flash 斷電后數(shù)據(jù)依舊能保存，成為另外存儲(chǔ)空間的優(yōu)點(diǎn)。而且，因?yàn)橛⑻貭柵c美光多年來所開發(fā)的 3D XPoint 技術(shù)，可以將 NAND Flash 的速度提高 1,000 倍，而且延長(zhǎng)持續(xù)使用時(shí)間的情況下，更使其適合在服務(wù)器內(nèi)所使用。因此，對(duì)于當(dāng)前服務(wù)器內(nèi)存的兩大廠商──韓國(guó)三星與 SK 海力士癌說的確造成威脅，使得三星與SK海力士也宣布將推出相類似的產(chǎn)品應(yīng)戰(zhàn)。

2018全球十大模擬IC廠商出爐，TI穩(wěn)居榜首

下一個(gè)決戰(zhàn)點(diǎn)，邏輯芯片與存儲(chǔ)芯片的異構(gòu)整合

在納米制程的年代，von Neumann體制中CPU與存儲(chǔ)的分離已造成速度和散熱的障礙。要解決這問題，只有從這二者同時(shí)下手—最好是二者融合為一，像是in-memory computing。只可惜目前用PCM的方案改善有限，速度快了，但是還不夠快，密度提升也仍嫌不足，整個(gè)組成還是無(wú)法改變目前的存儲(chǔ)架構(gòu)，所以MRAM也還在英特爾的硏發(fā)雷達(dá)范圍內(nèi)。

臺(tái)積電在邏輯制程微縮的競(jìng)爭(zhēng)中無(wú)疑是現(xiàn)任的領(lǐng)先者，但是長(zhǎng)期的自外于獨(dú)立存儲(chǔ)的生產(chǎn)制造。雖然于嵌入式MRAM急起直追，而且將其應(yīng)用推展至5/7nm的LLC(Last Level Cache)，但是這和邏輯芯片與存儲(chǔ)芯片的異構(gòu)整合是兩回事，后者需要較髙的密度，不像嵌入式MRAM能屈就于邏輯制程的CMOS而令單元面積髙達(dá)50f2。獨(dú)立存儲(chǔ)中的電晶體是過去內(nèi)存微縮的競(jìng)爭(zhēng)主軸之一，要能有獨(dú)立存儲(chǔ)芯片用于與邏輯芯片異構(gòu)整合，這方面的努力還有待急起直追。