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純電動捷豹 I-TYPE 6 賽車重磅發(fā)布，搭載先進 Wolfspeed 碳化硅技術(shù)

  • 2022年12月5日，英國倫敦、美國北卡羅來納州達勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）宣布為捷豹 TCS 車隊近日重磅發(fā)布的捷豹 I-TYPE 6 賽車提供功率半導體技術(shù)和產(chǎn)品的全方位支持。全新I-TYPE 6賽車專為 2023 年度 ABB 國際汽聯(lián)電動方程式世界錦標賽 Formula E（以下簡稱：Formula E）設計、研發(fā)打造，標志著 Formula E 賽事正式邁入第三代（Gen3）賽車新時代。  
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先進碳化硅技術(shù)，有效助力儲能系統(tǒng)

  • 人們普遍認識到，碳化硅（SiC）現(xiàn)在作為一種成熟的技術(shù)，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領(lǐng)域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應用具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現(xiàn)更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現(xiàn)在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時也實現(xiàn)了更小的占用空間。SiC 已經(jīng)是一種成熟的技術(shù)，并成
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博格華納向Wolfspeed投資5億美元，保障高達6.5億美元碳化硅器件年度產(chǎn)能供應

  • -            博格華納將參與到 Wolfspeed 今天早些時候宣布的融資交易，以支持 Wolfspeed 的多年產(chǎn)能擴充計劃-            獲得專有的碳化硅（SiC）器件供應對于博格華納的逆變器增長計劃與“蓄勢 ? 前行”戰(zhàn)略具有重大意義-  &
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AMP 創(chuàng)新型電動汽車充電解決方案：采用 Wolfspeed E-系列碳化硅器件

  • 2022年11月14日，美國北卡羅來納州達勒姆市、加利福尼亞州洛杉磯市與中國上海市訊 -- 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，電動交通電池管理和充電技術(shù)的全球引領(lǐng)者 AMP 公司將在其電動交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通過采用 Wolfspeed 創(chuàng)新型碳化硅技術(shù)，將助力 AMP 優(yōu)化電池性能、充電和成本。   AMP 公司硬件工程副總裁 Jia
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捷豹路虎與 Wolfspeed 合作，為下一代電動汽車引入碳化硅半導體技術(shù)

  • ·        在“重塑未來”戰(zhàn)略指引下，捷豹路虎正在向電動化優(yōu)先轉(zhuǎn)型，全力開啟未來出行之路，在 2039 年實現(xiàn)凈零碳排放·        與 Wolfspeed 的戰(zhàn)略合作將確保碳化硅（SiC）半導體技術(shù)的供應，并成為下一代路虎?攬勝、路虎?發(fā)現(xiàn)、路虎?衛(wèi)士、捷豹汽車電動化的重要組成部分·      &
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功率GaN RF放大器的熱考慮因素

  • 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。其中許多應用需要很長的使用壽
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Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠

  • -? ?Wolfspeed 計劃提升材料產(chǎn)能超10倍-? ?碳化硅材料制造工廠將位于北卡羅來納州查塔姆縣（Chatham County），戰(zhàn)略毗鄰現(xiàn)有的達勒姆（Durham）材料工廠-? ?公司將與北卡羅來納農(nóng)業(yè)與理工州立大學（NC A&T）拓展合作，培養(yǎng)新一代碳化硅人才全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，將投入數(shù)十億美元在北卡羅來納州查塔姆縣（Chatham County
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英飛凌以 8.5 億美元現(xiàn)金收購 Wolfspeed

  • 　　英飛凌科技(Infineon)與Cree公司宣布英飛凌已簽訂最終協(xié)議，將收購 Cree 旗下的 Wolfspeed 功率與射頻部門 (“Wolfspeed”)，此收購包括功率與射頻功率的 SiC 晶圓基板事業(yè)。此全額現(xiàn)金支付的交易的收購金額為 8.5 億美元 (約 7.4 億歐元)。此收購讓英飛凌能夠提供最廣泛的復合半導體產(chǎn)品，并進一步強化英飛凌在電動交通、再生能源及與物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關(guān)的次世代行動通訊基礎(chǔ)設施等高成長市場上作為功率和射頻 (RF) 功率解決方案供應商的領(lǐng)導地
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更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應用

  • 　　Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，拓展了高頻電力電子應用的范圍。相比于相當于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場通過擴大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品提供了更高的開關(guān)速率和更低的開關(guān)損耗，從而為電力電子工程師們提供了設計出更小，更快，更酷，更高效的電源解決方案可能。 　　新的900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品極大的擴大了產(chǎn)品應用空間，能夠更好的應對不斷發(fā)展變化的應用領(lǐng)域，更高的直流母線電壓可以覆蓋
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