- 我國RFID產業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
相較于歐美等發(fā)達國家或地區(qū)，我國在RFID產業(yè)上的發(fā)展還較為落后。目前，我國RFID企業(yè)總數(shù)雖然超過100家，但是缺乏關鍵核心技術，特別是在超高頻RFID方面。從包括芯片、天線、標簽和讀寫器等硬件產品來看，低高頻RFID技術門檻較低，國內發(fā)展較早，技術較為成熟，產品應用廣泛，目前處于完全競爭狀況;超高頻RFID技術門檻較高，國內發(fā)展較晚，技術相對欠缺，從事超高頻RFID產品生產的企業(yè)很少，更缺少具有自主知識產權的創(chuàng)新型企業(yè)。
僅以RFID芯片為例，RFID芯片在R
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RFID 芯片 天線 標簽 讀寫器
- 在過去的一年甚或幾年中，手機市場不斷向智能化發(fā)展邁進。當手機逐漸成為一個必帶品的時候，就會有越來越多的無線技術整合到手機里。無論軟件還是硬件，“整合”都是連接器一個最重要的趨勢。當然，其中包括軟件、硬件和API的整合。隨著越來越多的無線技術將應用于手機平臺，未來的軟件也會不斷地提高整合度。在硬件方面，Wi-Fi和GPS在智能手機的應用會更加廣闊，逐漸成為手機的標配。此外，NFC也會在未來兩三年內得到越來越高的普及。相比于RFID，NFC是針對不同應用的RFID整合的一個標準，它
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CSR 無線 藍牙 Wi-Fi
- 據(jù)臺積電官員上周六透露，臺積電公司將很快開始接收大陸中芯國際公司8%股權的操作。臺積電公司上周五就此事知會了臺當局投資審議委員會以及經濟部工業(yè)局 等當局部門，該官員并稱有關的計劃將很快被當局審批通過。
在去年發(fā)生的專利權糾紛官司中，中芯國際去年11月份曾答應支付給臺積電公司2億美元現(xiàn)金，并將把相當于公司8%股份的股權轉讓給臺積電公司，以平息兩家的專利糾紛。另外，據(jù)協(xié)議規(guī)定，臺積電還可以在三年內以1.3港幣每股的價格再購買中芯國際2%的股份，這樣前者在中芯國際所占股比將累計達到10%。
不過
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臺積電 芯片
- PCI總線目標接口芯片PCI9052及其應用,摘要：PCI9052是PLX公司繼PCI9050之后新推出的一種低成本的PCI總線目標接口芯片,它傳輸速率高,數(shù)據(jù)吞吐量大,可避免用戶直接面對復雜的PCI總線協(xié)議。文中主要介紹了PLX公司的PCI總線目標接口芯片的功能與應用,并給出了
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PCI9052 及其 應用 芯片 接口 總線 目標 PCI
- 據(jù)《自然》雜志報道，IBM的科學家當日宣布，他們用微型硅電路取代銅線實現(xiàn)了芯片間通訊，在通過光脈沖而不是電子信號進行芯片通訊上取得重大突破。
這種設備被稱為‘納米光子雪崩光電探測器’(nanophotonic avalanche photodetector)，是同類產品中速度最快的一個，并且顯著降低了能耗，將對未來電子行業(yè)發(fā)展產生重大影響。
IBM的設備利用了當前芯片生產中使用的鍺元素的雪崩效應。與陡峭山體的雪崩一樣，最初出現(xiàn)的光脈沖只釋放了一小部分電荷載體，隨后這
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IBM 芯片 通訊
- 國內芯片方案廠商福州瑞芯微剛剛推出了RK2808芯片方案，這是一款可以用于手機、MID、電子書等設備的芯片。這款芯片率先開始支持Android系統(tǒng)，采用65納米制程構建，其最大的賣點是支持Android系統(tǒng)下的720p視頻回放，在Android方案播放HD較弱的背景下，這也是目前這方面最 強的芯片方案。另外，從官網的介紹還看到支持WinCE平臺。
該方案特點如下：
* 65納米工藝
* ARM+DSP 雙核結構，ARM 600M,DSP 550M
*
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瑞芯微 芯片 RK2808 Android
- SA60 和LMD18245 分別是美國Apex 公司和NS 公司推出的面向中小型直流電機的全橋功率輸出電路。它們既具有在外接少量元件的情況下實現(xiàn)電機的功率驅動、控制以及提供保護等功能的共性,又具有各自特色。下面就其引腳、功
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及其 應用 芯片 驅動 電機 功率 直流
- 基于UCC27321高速MOSFET驅動芯片的功能與應用,1 引言
隨著電力電子技術的發(fā)展，各種新型的驅動芯片層出不窮，為驅動電路的設計提供了更多的選擇和設計思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅動電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
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- 1 AD5933芯片概述
1.1 主要性能
AD5933是一款高精度的阻抗測量芯片，內部集成了帶有12位，采樣率高達1MSPS的AD轉換器的頻率發(fā)生器。這個頻率發(fā)生器可以產生特定的頻率來激勵外部電阻，電阻上得到的響應信號被ADC
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5933 AD 阻抗測量 芯片
- 據(jù)國外媒體報道，飛思卡爾半導體向美國國際貿易委員會(USITC)投訴，稱日本松下公司和液晶電視制造商Funai電子在電視機和媒體播放器等產品中，侵犯了其芯片專利權。
投訴中稱，松下、Funai和JVC Kenwood等公司，以及百思買、沃爾瑪?shù)攘闶凵痰昵址噶孙w思卡爾的知識產權。在國際貿易委員會的網站上可以找到關于本次投訴的公告，但目前還無法獲得投訴的全文拷貝。
總部設在德州奧斯丁的飛思卡爾公司的發(fā)言人Robert Hatley表示松下、Funai和JVC Kenwood銷售了侵犯飛思卡爾專
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- 近年，LED技術在照明等領域廣泛應用，LED產業(yè)也在中國快速走熱，但很多企業(yè)在技術上缺乏競爭力，預期利潤不高，大量的資本進入這個市場勢必造成利潤攤薄，引起無序競爭，行業(yè)洗牌或在今年。
多位業(yè)內專家也表示，LED產業(yè)已現(xiàn)過熱苗頭，需警惕產能過剩問題;另外國外巨頭的強勢進入，國內廠商在新一輪競爭中應加快技術開發(fā)和專利保護。
或透支未來3~5年產能
2月2日，國家首批新型工業(yè)化產業(yè)示范基地授牌，其中光電產業(yè)基地占據(jù)3席，LED產業(yè)成為國家發(fā)展的重點產業(yè)。與此同時，LED初始投資1億元就可建
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LED MOCVD 芯片
- 據(jù)臺積電公司負責開發(fā)的高級副總裁蔣尚義透露，他們計劃于2012年第三季度開始試產22nm HP(高性能)制程的芯片產品，并將于2013年第一季度開始試產22nm LP(低功耗)制程的芯片產品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次半導體產業(yè)論壇會議上透露這些信息的。
會上蔣尚義還透露了臺積電28nm制程推進計劃的細節(jié)，據(jù)他表示，臺積電將于今年6月底前開始試產28nm低功耗制程(LP)產品，基于這種制程產品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺積電計劃啟動首款基于HKMG
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- 市場研究公司IC Insights預計，今年半導體產業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預計增長67%，而產業(yè)整體支出增長額預計為51%。
“如果不算Intel，排名前十中的其他9家公司支出額將增長91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而，盡管許多公司計劃在今年將產能翻倍，但仍然無法阻止IC價格的上漲和供應短缺的局面發(fā)生，尤其是下半年。
大
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Samsung DRAM 芯片 半導體
- 據(jù)國外媒體報道，英特爾本周證實，由于客戶需求匱乏，與臺積電的合作將暫時擱淺。這意味著雙方短期內不會推出聯(lián)合開發(fā)的凌動芯片。
英特爾凌動芯片業(yè)務掌門羅伯特·克魯科(Robert Crooke)在接受采訪時說，“我認為我們從與臺積電的合作中獲得了許多重要經驗。我們并沒有放棄，這類合作不會很快見到成效。”
英特爾約1年前宣布，該公司將與臺積電合作，生產客戶定制的凌動芯片。這一交易被認為是英特爾對定制ARM架構芯片日趨普及作出的回應。英特爾與臺積電的合作將允許
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wi-fi 芯片介紹
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