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Vishay推出針對(duì)新能源應(yīng)用的增強(qiáng)型卡扣式功率鋁電容器

  • 2013 年 12 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將其159 PUL-SI系列卡扣式功率鋁電容器在+105℃下的額定電壓提升至500V。這些增強(qiáng)型器件是針對(duì)太陽(yáng)能光伏逆變器、工業(yè)電機(jī)控制和電源而設(shè)計(jì)的，具有長(zhǎng)使用壽命和高紋波電流，在100Hz下的紋波電流達(dá)2.80A，工作溫度為+105℃，最大ESR低至150mΩ。
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Vishay 推出可用于更高亮度指示牌的照明和控制應(yīng)用的新款LED

  • 2013 年 12 月18 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，該公司的光電子事業(yè)部推出采用PLCC-2封裝的最新產(chǎn)品---VLM.334…，該系列LED能夠處理更高的驅(qū)動(dòng)電流，從而提高發(fā)光強(qiáng)度。
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Vishay發(fā)布用于新能源應(yīng)用的不銹鋼制動(dòng)/撬棒電阻

  • 2013 年 12 月17 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新系列不銹鋼制動(dòng)/撬棒電阻---ULDCR電阻，電阻可承受3.46MJ的脈沖能量和12kA的脈沖電流，適用于新能源和其他重載應(yīng)用。Vishay還可以根據(jù)定制指標(biāo)提供更高脈沖負(fù)載能力的版本。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  ULDCR  電阻  

Vishay發(fā)布用于消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品遙控器的新款小型紅外接收器

  • 2013 年 12 月13 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，對(duì)用于消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品中紅外遙控應(yīng)用的TSOP36...系列小型表面貼裝紅外接收器的性能進(jìn)行了升級(jí)。TSOP36…系列的最小發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到0.12 mW/m2，靈敏度比前一代器件高20%，可在有紅外3D電視信號(hào)和其他噪聲的情況下使用，并提高了對(duì)這些信號(hào)和噪聲的濾光功能。
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Vishay推出業(yè)內(nèi)首款通過(guò)汽車(chē)電子元件標(biāo)準(zhǔn)

  • 2013 年 12 月12 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的采用非對(duì)稱(chēng)PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  

Vishay為PRA系列高精度薄膜片式電阻陣列增添業(yè)內(nèi)最小外形尺寸

  • 2013 年 12 月6 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，為其PRA系列高精度薄膜表面貼裝卷包片式電阻陣列增添073--- PRA073和074--- PRA074小外形尺寸。新的PRA073和PRA074提供最多8個(gè)不同歐姆值的電阻，是業(yè)內(nèi)尺寸最小的此類(lèi)器件，具有0.01%的嚴(yán)格公差比和1ppm/℃的TCR Tracking。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  PRA  電阻  

Vishay新款薄膜MELF電阻具有業(yè)內(nèi)最高水平的精度和穩(wěn)定性

  • 2013 年 12 月3 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新系列高精度薄膜MELF電阻--- UMB 0207。Vishay Beyschlag UMB 0207系列器件是針對(duì)對(duì)高可靠性和穩(wěn)定性有嚴(yán)格要求的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，是業(yè)內(nèi)首款在標(biāo)準(zhǔn)0207外形尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)±5ppm/K的TCR和±0.02%的容差的MELF電阻。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  UMB  MELF電阻  

Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  導(dǎo)通電阻  

Vishay新款SMD ESD保護(hù)二極管采用SMF封裝

  • 2013 年 11 月26 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用低外形SMF封裝的新系列表面貼裝ESD保護(hù)二極管---SMFxxA系列器件。該系列器件可用于便攜式電子產(chǎn)品，在10/1000μs條件下可承受200W的高浪涌。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  SMF  ESD  

Vishay將PHP系列精密薄膜片式電阻的外形尺寸擴(kuò)展至0603到0805

  • 2013 年 11 月25 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用0603和0805外形精巧的新器件，功率等級(jí)分別達(dá)到0.375W和0.675W，擴(kuò)展其PHP系列精密高功率薄膜片式電阻。Vishay Dale薄膜器件兼具高功率和達(dá)到±25ppm/℃絕對(duì)低值的TCR，容差低至±0.1%，可在-55℃～+125℃溫度范圍內(nèi)工作。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  薄膜片式電阻  

Vishay擴(kuò)大MC系列專(zhuān)業(yè)和精密薄膜片式電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用0402和0603外形尺寸的具有更低歐姆值的產(chǎn)品，擴(kuò)充其MC系列專(zhuān)業(yè)和精密薄膜片式電阻。這些改進(jìn)后的器件可為各種各樣的電子系統(tǒng)提供穩(wěn)定的性能。 　　現(xiàn)在，0402外形尺寸的專(zhuān)業(yè)和精密系列產(chǎn)品可以分別提供低至10Ω到100Ω的阻值，所有產(chǎn)品都具有良好的TCR和容差。采用0603外形尺寸的專(zhuān)業(yè)和精密系列電阻可以提供低至1Ω的更低阻值，TCR為±50ppm
  • 關(guān)鍵字： Vishay  薄膜片式電阻  

Vishay擴(kuò)大MC系列專(zhuān)業(yè)和精密薄膜片式電阻的歐姆值范圍

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用0402和0603外形尺寸的具有更低歐姆值的產(chǎn)品，擴(kuò)充其MC系列專(zhuān)業(yè)和精密薄膜片式電阻。這些改進(jìn)后的器件可為各種各樣的電子系統(tǒng)提供穩(wěn)定的性能。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  TCR  電阻  

Vishay的新款手勢(shì)控制傳感器演示板簡(jiǎn)化非接觸遙控設(shè)計(jì)

  • 2013 年 11 月18 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，該公司的光電子事業(yè)部推出專(zhuān)用演示套件，可演示使用一個(gè)數(shù)字式接近傳感器和兩個(gè)分立的紅外發(fā)射器，為任意設(shè)備增加非接觸式向右劃、向左劃、探測(cè)距離和進(jìn)行點(diǎn)擊操作的簡(jiǎn)化方法。演示套件現(xiàn)可訂貨。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  傳感器  發(fā)射器  

Vishay推出新款超小外形的高速紅外發(fā)光二極管

  • 2013 年 11 月7 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm透明SMD側(cè)視封裝的新款940nm高速紅外發(fā)光二極管---VSMY14940和VSMB14940。這兩款器件基于GaAIAs表面發(fā)射器和多量子井(MQW)技術(shù)，具有高發(fā)光強(qiáng)度和光功率，以及快速的開(kāi)關(guān)時(shí)間。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  二極管  發(fā)射器  

Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開(kāi)關(guān)

  • 2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開(kāi)關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導(dǎo)通電阻只有1.5?
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vishay介紹

威世（VISHAY）集團(tuán)成立于1962年，總部位于美國(guó)賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過(guò)科技創(chuàng)新和不斷的并購(gòu), 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無(wú)源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國(guó)家，其中中國(guó)大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國(guó)財(cái)富雜志評(píng)為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計(jì)算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]

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