vishay intertechnology 文章 最新資訊
Vishay推出固體模壓型片式鉭電容器增強電子引爆系統(tǒng)性能

- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出專為電子引爆系統(tǒng)設計的新型系列TANTAMOUNT?表面貼裝固體模壓型片式鉭電容器---TX3。Vishay Sprague TX3系列器件機械結構牢固,漏電流(DCL)低,具有嚴格的測試規(guī)范,性能和可靠性優(yōu)于商用鉭電容器和MLCC。日前發(fā)布的電容器DCL僅為0.005CV,與其他電容技術相比,鉭電容器能量密度高,可提供更高能量確保正確起爆,是采礦和拆除應用遠程引爆系統(tǒng)的理想選擇,滿足可靠放電的要求。該器件的鉭陽極技術與Vis
- 關鍵字: Vishay 固體模壓型 片式鉭電容器 電子引爆系統(tǒng)
Vishay推出第二代集成式EMI屏蔽4040封裝汽車級IHLE電感器
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用10 mm x 10 mm 4040封裝的第二代新型汽車級器件---IHLE-4040DDEW-5A,擴充IHLE?系列超薄、大電流集成式電場屏蔽電感器。與上一代解決方案相比,Vishay Dale IHLE-4040DDEW-5A提供改進的屏蔽設計,極性標識提高EMI性能的一致性,不需要單獨板級法拉第(Faraday)屏蔽,從而降低成本,節(jié)省電路板空間。與傳統(tǒng)復合傳感器相比,日前發(fā)布的器件采用銅鍍錫集成式屏蔽罩遏制EMI
- 關鍵字: Vishay 集成式 EMI屏蔽 4040封裝 汽車級 IHLE 電感器
大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi、Vishay和Toshiba產品的30W反激式輔助電源方案
- 致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商—大聯(lián)大控股近日宣布,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)NCP1239BD65R2G PWM控制器的30W反激式輔助電源方案。圖示1—大聯(lián)大世平基于onsemi、Vishay和Toshiba產品的30W反激式輔助電源方案的展示板圖在信息技術時代,人們對于高效、穩(wěn)定且具備出色節(jié)能特性的輔助電源需求日益增加。特別是在服務器、PC、新能源轉換系統(tǒng)以及工業(yè)制造等關鍵領域,一款性能卓越的輔助電源不僅關乎設備的穩(wěn)定運行,更是節(jié)能減排、綠色發(fā)展的重要保障。在此背景下,
- 關鍵字: 大聯(lián)大世平 onsemi Vishay Toshiba 反激式輔助電源
Vishay推出升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外收發(fā)器模塊,延長鏈路距離,提高抗ESD可靠性
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出適于IrDA?應用的升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外(IR)收發(fā)器模塊,鏈路距離延長20 %,抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2?kbit/s 數據速率(SIR),鏈路距離為1米,適用于能量表和監(jiān)控器、工業(yè)自動化控制、手機和醫(yī)療設備無線通信和數據傳輸。為提高便攜式設備電池使用壽命,模塊降低了功耗,閑置供電電流 < 70 μA,關斷模式 < 1 μA。Vishay Semicondu
- 關鍵字: Vishay 紅外收發(fā)器模塊 抗ESD
Vishay推出的新款浪涌限流PTC熱敏電阻可提高有源充放電電路性能
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列浪涌限流正溫度系數(PTC)熱敏電阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL系列器件25 °C(R25)條件下阻值范圍寬,具有高電壓處理和高能量吸收能力,可提高汽車和工業(yè)應用有源充放電電路的性能。日前發(fā)布的器件R25阻值為60 W至1 kW,500 W 最大額定直流電壓高達1000 VDC,1 kW 達1200 VDC,最大能量吸收能力達240 J,比競品器件高四倍。多個熱敏電阻并聯(lián),能量吸收
- 關鍵字: Vishay 浪涌限流 PTC熱敏電阻 有源充放電
Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊,降低導通和開關損耗
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術制造,為設計人員提供兩種業(yè)內先進的技術選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源及工業(yè)應用大電流逆變級導通或開關損耗。日前發(fā)布的半橋器件使用節(jié)
- 關鍵字: Vishay INT-A-PAK IGBT功率模塊
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