vishay intertechnology 文章 最新資訊
Vishay 推出循環(huán)壽命長達兩百萬次的面板電位計

- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款經(jīng)濟、長壽命的面板電位計 --- P11L,該電位計具有四種模塊和12.5mm的緊湊外形。 標(biāo)準(zhǔn)的低成本面板電位計的循環(huán)壽命只有50000次,而Vishay的P11L的壽命則長達2百萬次循環(huán)。對設(shè)計者來說,P11L的長壽命可減少對替換零件的需求,提高可靠性和降低維護成本。 Vishay的這款多功能面板電位計針對焊接機、空調(diào)單元、加工機械、醫(yī)療系統(tǒng)、X光設(shè)備、卡車和拖車,以及軍用和航天系統(tǒng)中的CMOS放大器增益、
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Vishay發(fā)布業(yè)界首個系列超小型SMD紅外接收器

- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出用于遙控系統(tǒng)的新款系列超小型SMD紅外接收器。該系列器件是業(yè)界首個采用兩個光敏二極管及專利技術(shù)內(nèi)部金屬EMI屏蔽的產(chǎn)品,超薄封裝的厚度僅為2.35mm。TSOP75xxxW采用無鏡片設(shè)計,實現(xiàn)了業(yè)界最佳的敏感度尺寸比,在在±75°寬的角度內(nèi),輻照度為0.3mW/m2~0.7mW/m2。 今天發(fā)布的器件中有三款是自動增益控制(AGC)版本。TSOP752xxW兼容于所有常用紅外遙控數(shù)據(jù)格式。TSOP7
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Vishay推出新款高速PIN光敏二極管

- 日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管,新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝,提供透明環(huán)氧樹脂封裝和具有日光阻斷濾波功能的版本。八款新器件針對煙霧探測、光柵中的探測器,以及各種消費類和工業(yè)應(yīng)用中的數(shù)據(jù)傳輸進行了優(yōu)化。 VBPW34FAS、VBPW34FASR、VBP104FAS和VBP104FASR光敏二極管具有與紅外發(fā)射器相匹配的日光阻斷濾波器,例如波長為870nm或950nm的Vishay TSFFxxxx
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Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET

- 日前,Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。 在種類繁多的便攜式設(shè)備中,20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負(fù)載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間,以及/或是實現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比,1mm x 1mm x 0.548mm的M
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Vishay采用Bulk Metal? 1202系列微調(diào)電位器
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用Bulk Metal?箔工藝的超高精度Accutrim?系列微調(diào)電位器 --- ...
- 關(guān)鍵字: Vishay Accutrim?系列 微調(diào)電位器 1202系列
Vishay發(fā)布先進的第七代通用高壓電源模塊

- Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布其第七代通用高壓電源模塊系列,該系列具有增強的電流處理能力、更輕的重量、更低的熱阻、更高的可靠性及完全無鉛的結(jié)構(gòu)。 第七代模塊均采用與 TO-240AA 兼容的 ADD-A-PAK 封裝,將兩個有源元件整入各系列,并包括標(biāo)準(zhǔn)二極管、可控硅/二極管、可控硅/可控硅及肖特基整流器組合。 新器件具有高達 1600 V 的阻斷電壓、1000 V/µ
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Vishay攜多款產(chǎn)品亮相展會

- 雖然全球經(jīng)濟正陷入低迷中,電子行業(yè)也在經(jīng)歷著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。但作為全球最大的分立器件與無源器件供應(yīng)商,Vishay并未因此放慢自己的腳步,反而利用其技術(shù)上的優(yōu)勢,推出了眾多高性能、低功耗、低成本的產(chǎn)品。在繼續(xù)保持其領(lǐng)導(dǎo)地位的同時,更幫助客戶將Vishay的技術(shù)實力轉(zhuǎn)化為他們自身的競爭力。 在本次IIC期間,Vishay攜帶多款最新產(chǎn)品參展。包括具有 3300μF~72000μF 超高電容范圍的新型HE3液體鉭高能電容器,新器件采用 SuperTan技術(shù),可提供 0.035?
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Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET? Gen III 功率 MOSFET 刷新了業(yè)界最佳導(dǎo)通電阻記錄

- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年10月29日— 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP,從而擴展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列,對于采用 PowerPAK® SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言,該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。 SiR476DP 在 4.5V
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Vishay推出高可靠性VJ HVArc Guard表面貼裝MLCC
- Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布,其 HVArc Guard 表面貼裝 X7R 多層陶瓷芯片電容器 (MLCC) 現(xiàn)可提供可選聚合體端子。該器件專為耐受較高機械應(yīng)用而設(shè)計,旨在減少機械破碎相關(guān)的電容器故障。 憑借可選聚合體端子,VJ0805、VJ1206、VJ1210、VJ1808 和 VJ1812 HVArc Guard? MLCC 可減少電容器故障,并通過限制電容器故障節(jié)約保修成本,從而進一步減少電路板上受損元件的數(shù)量或減少對整個設(shè)備的損壞。 Visha
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