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ufs 文章 最新資訊

三星UFS存儲卡現(xiàn)身IFA：順速讀取速度達510.82MB/s

  • 9月10日消息，據(jù)WinFuture報道，三星UFS存儲卡現(xiàn)身IFA2019展會，它被裝在了海信T91手機上。
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集邦咨詢：受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié)，第二季NAND Flash合約價跌幅略有收斂

  • 　　Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過于求以來跌幅最劇的一季?！　≌雇诙?，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經(jīng)第一季的需求低谷之后，智能手機、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供應(yīng)商
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關(guān)于NAND閃存大科普

  • 　　在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣?。　　固態(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降。　　隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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NAND閃存大科普

  • 　　在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣ā！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS？

  • 在高速數(shù)字接口中，并行總線越來越少。原因很簡單，隨著系統(tǒng)頻率的提升，并行總線在板級建置時已經(jīng)遭遇到實體瓶頸，抖動、串擾、信號偏移、傳輸路徑不
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LPDDR5、UFS 3.0存儲介紹：我們何時能用上？

  • 　　相較于處理器芯片，存儲性能這些年在智能手機上的重要性也開始逐漸凸顯。據(jù)Android Authority總結(jié)，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存儲卡將會成為新一輪旗艦智能機將要占領(lǐng)的技術(shù)之制高點?！　【唧w來說，LPDDR5的速度將達到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC廠商Synopsys透露的，LPDDR5將引入WCK差分時鐘，類似于GDDR5，從而在不增加引腳的情況下提升頻率。　　此外，LPDDR5還將引入
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三星不再霸權(quán)！美光強勢殺入UFS 2.1手機閃存

  • 　　2月26日，美光發(fā)布了專為安卓旗艦機打造的UFS 2.1標準閃存，容量設(shè)計為64GB、128GB和256GB。 　　顆粒選用TLC，3D 64層堆疊，美光強調(diào)基于人工智能技術(shù)進行了APP打開、運行有關(guān)的性能優(yōu)化。 　　由于是第二代3D閃存，美光稱性能提升了50%。 　　單Die面積59.341mm2，32GB，號稱業(yè)內(nèi)最小。因此，在同樣芯片面積下的總?cè)萘糠? 　　新閃存將于今春發(fā)貨，2018年下半年開始出現(xiàn)在智能機中。 　　由于此前，UFS2.1能穩(wěn)定供貨的只有三星和東芝，導致價格較高，美
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UFS 3.0進軍車用儲存 三星256GB Flash量產(chǎn)

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)于2018年2月宣布最新256GB嵌入式通用快閃儲存(embedded Universal Flash Storage, eUFS) 2.1解決方案已開始量產(chǎn)， 是業(yè)界首款將固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC)的UFS 3.0標準導入汽車應(yīng)用的儲存設(shè)備。 　　三星電子在2017年9月宣布首款128GB eUFS技術(shù)有所突破之后，于近日發(fā)布量產(chǎn)256GB eUFS 2.1車用內(nèi)存。 該儲存設(shè)備將為下一代駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、車用娛樂系統(tǒng)與儀表板應(yīng)用帶來更好的
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TrendForce：2018年NAND Flash價格有望縮減10%-20%

  • 　　TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NANDFlash價格有機會走跌，下半年需求回升，可能再次供不應(yīng)求，預估2018年NANDFlashASP(平均銷售單價)將較2017年縮減10%-20%。 　　相對而言，TrendForce預計，2018年DRAM產(chǎn)能擴增效益有限，價格趨勢與供給狀況持續(xù)看漲、看緊。 　　TrendForce表示，就移動存儲來看，智能手機應(yīng)用的存儲零組件價格從2016年第三季開始不斷攀升，以主流規(guī)格而言，到今年第四季價格平均上升40%，不僅影響各大品牌在智能手機的
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群聯(lián)UFS新芯片獲高通和海思認證

  • 　　NAND Flash解決方案供應(yīng)商群聯(lián)9、10月連續(xù)兩月份的固態(tài)硬盤(SSD)出貨量都破歷史新高，上月更達到100萬組的水準，另一個好消息是，群聯(lián)在下一代的嵌入式快閃存儲器新款的UFS芯片PS8313上，已經(jīng)通過手機芯片大廠高通(Qualcomm)和海思等智能手機芯片平臺的測試，新產(chǎn)品布局有成。 　　群聯(lián)今年全力沖刺SSD和嵌入式存儲器解決方案eMMC產(chǎn)品線，繼9月SSD出貨量突破90萬片后，10月再創(chuàng)新高達100萬片水準。 　　以第3季表現(xiàn)來看，群聯(lián)第3季獲利創(chuàng)下單季歷史新高，主要是受惠多項主流
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eMMC使命完成，UFS時代來臨，如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS

  • eMMC使命完成，UFS時代來臨，如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS-在高速數(shù)字接口中，并行總線越來越少。原因很簡單，隨著系統(tǒng)頻率的提升，并行總線在板級建置時已經(jīng)遭遇到實體瓶頸，抖動、串擾、信號偏移、傳輸路徑不完美等因素，都將大幅降低并行總線持續(xù)建立時間窗口，從而限制系統(tǒng)帶寬的進一步提升。
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UFS 3.0曝光：2666MB/s速度 快到飛起

  • 　　智能手機體驗優(yōu)秀與否，除了處理器芯片，閃存芯片也是一大影響因素，目前手機上常搭載的閃存有UFS 2.1、UFS 2.0及eMMC 5.1等標準。其中UFS標準于2011年誕生，升級到2.0版本是在2013年，2.1版本則是在2016年發(fā)布的，而近日據(jù)網(wǎng)友爆料其下一代標準3.0也已經(jīng)在研發(fā)了。 　　   　　根據(jù)網(wǎng)友爆料使用的圖片顯示，UFS 3.0的速度最高達2666MB/s，較UFS 2.1最高1333MB/s的速度整整快了一倍。 　　除了快到飛起的速度外，USF 3.0占據(jù)的
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ADAS帶動車用內(nèi)存升級 除錯機制成決勝關(guān)鍵

  • 　　車內(nèi)信息娛樂系統(tǒng)(IVI)越來越普及，先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、無人駕駛技術(shù)亦逐漸成熟，車載系統(tǒng)突飛猛進造就日益龐大的數(shù)據(jù)處理需求，所需內(nèi)存容量、輸出/入帶寬不得不隨之升級。 不僅如此，車用儲存組件相較3C電子等一般應(yīng)用，更須考慮車輛要求之極高可靠性、安全性，進一步納入完善的硬/韌體除錯與實時反饋等相應(yīng)機制。 　　內(nèi)存控制芯片主力供貨商慧榮(SMI)產(chǎn)品企劃部項目經(jīng)理胡文基表示，從早期所用之SD卡、光罩式ROM、PATA/SATA硬盤等演進至今，目前車載系統(tǒng)是以16G起跳之內(nèi)嵌式多媒體記憶卡(e
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Flash產(chǎn)能不給力 UFS稱霸江湖夢碎

  • UFS普及并不缺乏機會，F(xiàn)lash產(chǎn)能的困境能否早日抒解，成為真正影響UFS茁壯的關(guān)鍵因素了。
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吹牛必備常識之——“華為P10閃存門”中的UFS和eMMC究竟是啥?

  • 華為P10“閃存門”其實就是一些消費者在購買P10手機后，經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn)，華為P10系列手機閃存速度出現(xiàn)了明顯差異的情況。用戶測試結(jié)果顯示，有部分手機的閃存速度約為200MB/秒，而根據(jù)網(wǎng)上公布的評測參數(shù)來看，以華為官方配置的P10實際速度應(yīng)該可以達到800MB/秒左右。而最終測試的結(jié)論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問題。
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