sram 文章進(jìn)入sram技術(shù)社區(qū)

基于FPGA與外部SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲

1引言我們將針對FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進(jìn)設(shè)計的方法，并給出...
關(guān)鍵字： FPGA SRAM

富士通與SuVolta展示其SRAM可在0.4伏低壓下工作

　　富士通半導(dǎo)體有限公司和SuVolta公司宣布，通過將SuVolta的PowerShrink 低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲)模塊可以正常運行。這些技術(shù)降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。　　從移動電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務(wù)器，以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應(yīng)電
關(guān)鍵字：富士通 SRAM

富士通和SuVolta展示低電壓工作的SRAM模塊

　　富士通半導(dǎo)體和SuVolta宣布，通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲)模塊可以正常運行。這些技術(shù)降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。　　從移動電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務(wù)器，以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應(yīng)電壓又是決定功耗的重要因素
關(guān)鍵字：富士通 SRAM

富士通半導(dǎo)體與SuVolta攜手合作

富士通半導(dǎo)體有限公司和SuVolta，Inc今日宣布，通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲)模塊可以正常運行。這些技術(shù)降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。
關(guān)鍵字：富士通 SuVolta SRAM

新型高可靠性低功耗6管SRAM單元設(shè)計

摘要：提出一種新型的6管SRAM單元結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)采用讀／寫分開技術(shù)，從而很大程度上解決了噪聲容限的問題，并且該結(jié)構(gòu)在數(shù)據(jù)保持狀態(tài)下，采用漏電流以及正反饋保持?jǐn)?shù)據(jù)，從而不需要數(shù)據(jù)的刷新來維持?jǐn)?shù)據(jù)。仿真顯示了正
關(guān)鍵字：單元設(shè)計 SRAM 功耗可靠性新型

非易失性SRAM DS1747

DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的 ...
關(guān)鍵字： SRAM DS1747

Altera 選擇賽普拉斯的高容量QDR?II 和 QDRII+ SRAM器件用于28 納米 Stratix V FPGA 開發(fā)套件

2011年10月24日，北京訊，加州圣何塞訊——SRAM領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先者賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克股票代碼：CY）日...
關(guān)鍵字： SRAM 賽普拉斯 FPGA

科學(xué)家研制出新型鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲器

　　據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道，美國科學(xué)家們正在研制一種新的計算機(jī)存儲設(shè)備——鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲設(shè)備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。研究發(fā)表在美國化學(xué)學(xué)會的《納米快報》雜志上。　
關(guān)鍵字： FeTRAM SRAM

嵌入式MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應(yīng)用

嵌入式MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應(yīng)用, 在微控制器尺寸和成本的限制下，M4K內(nèi)核內(nèi)部不支持指令高速緩存(I-cache)或數(shù)據(jù)高速緩存(D-cache)的標(biāo)準(zhǔn)功能。本文重點討論的一個內(nèi)容--SRAM接口，這是MIPS32 M4K內(nèi)核的一個標(biāo)準(zhǔn)功能。　　M4K內(nèi)核SRAM接口基本描述
關(guān)鍵字： SRAM 接口應(yīng)用內(nèi)核處理器 MIPS32 M4K 嵌入式

基于SRAM的可重配置電路PLD

本文介紹了一種基于微控制器的PLD ICR控制電路，該控制電路結(jié)構(gòu)簡單、占用空間小、性價比較高，適用于需要ICR功能的電子裝置中，該ICR控制電路是為配置ALTERR系列PLD器件來設(shè)計的，稍加屐也適用于XILINX公司的FPGA器件。這個配置電路的主要弱點在于配置速率較慢，只能適應(yīng)用于配置速率要求不高的應(yīng)用。
關(guān)鍵字： SRAM PLD 可重配置電路

賽普拉斯推出32位總線寬度低耗異步SRAM

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長電池使用壽命)異步 SRAM。這些器件的推出進(jìn)一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列(包括高性能同步、異步和微功耗器件)。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能，從而充分滿足電信、計算機(jī)、外設(shè)、消費類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。　　
關(guān)鍵字：賽普拉斯 SRAM

賽普拉斯推出全球首批低功耗異步SRAM

賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克股票代碼：CY）日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL （更長電池使用壽命）異步 SRAM。這些器件的推出進(jìn)一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列（包括高性能同步、異步和微功耗器件）。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能，從而充分滿足電信、計算機(jī)、外設(shè)、消費類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。
關(guān)鍵字：賽普拉斯 SRAM

Cortex―M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究

Cortex―M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究,引言
目前，對于存儲單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成，而且這些方法都是運用在生產(chǎn)過程中，但是生產(chǎn)過程并不能完全杜絕SRAM的硬件故障。在其使用過程中，如果SRAM硬件出錯，將導(dǎo)致程序出錯而且很難被發(fā)現(xiàn)
關(guān)鍵字：軟件檢測研究故障單元 M3 SRAM Cortex

四倍速SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計

互聯(lián)網(wǎng)的飛速發(fā)展極大地促進(jìn)了高速數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的需求量增加，同時也促進(jìn)了更快速的處理器的發(fā)展，推動了存儲器...
關(guān)鍵字： SRAM Spartan3

QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計

QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計,為了滿足當(dāng)前系統(tǒng)和處理器的生產(chǎn)量需求，更新的靜態(tài)存儲器應(yīng)運而生。QDR SRAM就是由Cypress、Renesas、IDT、NEC和Samsung為高性能的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)應(yīng)用而共同開發(fā)的一種具有創(chuàng)新體系結(jié)構(gòu)的同步靜態(tài)存儲器。　　1 QDR SRAM的
關(guān)鍵字：接口設(shè)計 FPGA Spartan3 SRAM QDR

共187條 8/13 |‹ « 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 »

sram介紹

　　SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]