- 海力士半導體(Hynix)近來決定將制造部門分為前段制程和后段制程部門，并進行組織及人事重整作業(yè)。海力士社長權五哲就任后，任命樸星昱擔任副社長職務，并首度進行組織改編，以強化后段制程、強化產線應用效益、調動老員工以賦予組織緊張感、任期內成效最大化等，頗有為親政而架構新格局的意味。
海力士的制造部門將分為制造1部和制造2部，1部負責制造廠業(yè)務，2部則處理封裝及測試事宜。1部部長確定由采購室長姜東均(譯名)、2部部長由質量管理室長白東源接管，而目前的采購室則由大陸無錫廠企劃管理團隊長官姜聲錫(譯名)
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海力士 半導體
- 據國外媒體報道，惠普周二宣布與韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)達成合作協(xié)議，共同研發(fā)下一代內存技術電阻式內存并將其推向市場。
據一份聲明顯示，兩家公司將合作開發(fā)新型材料和技術，實現電阻式內存(ReRAM)技術的商業(yè)化。海力士將會采用由惠普實驗室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現有的固態(tài)存儲技術能耗更低，速度更快，而且能在斷電時存儲數據。惠普今年春季稱表示，憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。
ReRAM技術的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
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海力士 內存 ReRAM
- 韓國海力士聲稱，在其M11的300毫米生產線上開始利用20納米技術進行64Gb的NAND閃存量產。
該公司在2月時曾報道擬進行20納米級的64Gb的NAND生產，采用現有的32Gb產品進行疊層封裝完成。
海力士稱它的芯片是26nm的一種，有人稱20nm級產品。三星是27nm的NAND閃存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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海力士 20納米 NAND
- 韓國現代重工(HyundaiHeavyIndustriesCo.)仍在考慮收購海力士半導體公司(HynixSemiconductorInc.)。
根據《每日經濟新聞》(MaeilBusinessNewspaper)29日報道，現代重工首席執(zhí)行官LeeJai-Seong表示，該公司還沒有認真的審核對海力士半導體的收購可能，但從未完全放棄對該芯片公司的興趣。
他表示，這家現金充裕的造船企業(yè)被一些相關方聯系有關收購海力士半導體事宜。海力士半導體是世界收入第二大的芯片廠商。
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海力士 內存芯片
- 7月27日消息，據國外媒體報道，海力士半導體股東今日對外表示，將以周一收盤價出售5844億韓元(約合4.907億美元)的海力士股票，占總股份的4.1%。
韓國外換銀行發(fā)言人稱，包括該行在內的海力士大股東以每股23950韓元的價格出售2440萬股。
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- 海力士半導體股東日前表示，股東以周一收盤價出售5844億韓元(4.907億美元)的海力士股票，占總股份的4.1%。
韓國外換銀行發(fā)言人稱，包括該行在內的海力士大股東以每股23,950韓元的價格出售2440萬股。
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海力士 半導體
- 據國外媒體報道，全球第二大計算機內存芯片制造商海力士周四發(fā)布了該公司2010年第二季度財報。財報顯示，受內存芯片價格上漲及PC銷量增長的推動，海力士第二季度業(yè)績超過了市場預期。
在截至6月30日的第二季度，海力士凈利潤為6648億韓元(約合5.502億美元)。這一業(yè)績好于上年同期，2009年第二季度，海力士凈虧損為580億韓元。海力士第二季度營收同比增長96%，達到創(chuàng)紀錄的3.28萬億韓元(約合27.2億美元)。海力士第二季度運營利潤為7465億韓元，高于去年同期的運營虧損6525億韓元。海力士
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海力士 內存芯片
- 據韓國ET NEWS報導，過去1年2個月期間呈現上升趨勢的DRAM價格，可能將再度下滑。預期第3季DRAM價格將小幅下滑后止跌，但第4季將會有大幅的下滑趨勢。雖韓國企業(yè)的凈利也將減少，但對臺灣企業(yè)打擊可能更大。
據相關業(yè)者及證券師指出，自2009年4月持續(xù)上升的DRAM價格進入第3季后可能會有 5%的價格下滑。業(yè)界相關人員表示，第3季DRAM價格依據PC業(yè)者的調降要求，可能會有5%的下滑，但DRAM供貨貨量有限制，因此下滑幅度應不大。
摩根大通(JP Morgan Chase &
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海力士 DRAM 40納米
- 樂金集團(LG Group)重申，該公司無意接手經營南韓芯片制造商海力士(Hynix Semiconductor Inc. KR-000660)。
據彭博報導，首爾經濟日報稍早報導，海力士的債權銀行要求樂金集團經營接管海力士。
樂金集團發(fā)言人Lee Hyoung Kun指出：“我們的立場不變，亦即我們無意接管海力士。”此外，他拒絕對報導置評。
根據報導，這些債權銀行還提議樂金集團剛開始先購入5%的股權，隨后再自行決定是否要進一步買進其他10%的股份。據了解，這
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海力士 芯片制造
- 在全球集成電路存儲器領域處于領先地位的無錫海力士—恒億半導體有限公司迎來了又一次產品技術升級的契機。6月18日，韓國海力士株式會社與無錫新區(qū)在南京簽約，將增資11億美元用于擴大44納米產品的產能。省委書記梁保華、省長羅志軍會見了韓國海力士株式會社社長權五哲一行，并出席項目簽約儀式。
梁保華在會見時對無錫海力士半導體封裝項目剛剛實現竣工投產表示祝賀。他說，無錫海力士封裝項目順利投產和44納米技術升級項目簽約，標志著我們雙方的合作達到了一個新的水平。當前信息產業(yè)面臨著新的發(fā)展機遇，海力士
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海力士 封裝
- 據彭博(Bloomberg)報導，韓國經濟日報(Korea Economic Daily)指出，海力士債權機構計劃于2010年6月中之后，以成批出售(block sale)的方式出售約5%的股份，然韓國經濟日報并未提供消息來源。此外，該報導稱海力士將采用毒性賣權(Poison put)避免惡意購并競標。
海力士債權機構韓國外匯銀行(Korea Exchange Bank)于先前表示，海力士的債權人將在2010年出售13%的股權，其中8%將在2010年上半賣出，其余5%將在下半年出售。
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海力士 芯片制造 存儲器芯片
- 韓國芯片制造企業(yè)海力士半導體周二表示，公司將投資4560億韓圓(約合3.734億美元)用于擴大及升級芯片產能。
報道稱，海力士半導體是全球第二大存儲器芯片制造商，公司最近將其2010年資本支出計劃規(guī)模提高了三分之一，達到3.05萬億(兆)韓圓。
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海力士 芯片制造 存儲器芯片
- 海力士半導體(Hynix)宣布，將與斗山電子(Doosan Electro-Materials)共同開發(fā)可縮小半導體印刷電路板(PCB)體積近25%的新PCB原料。利用此技術，使用Tenting(蓬蓋式)制程也可縮小半導體封裝基板的銅線路線寬近25%，至25μm，也將可使PCB基板面積隨之縮小。為實現25μm的線寬，已采用MSAP(Modified Semi-Addictive Process)制法，然此制法存在較原始方法制程復雜且困難，所需費用也增加20%的問題。
海力士和斗山為解
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海力士 半導體
- 海力士半導體決定通過回購恒億所持合資企業(yè)的21%股份以終止雙方合資企業(yè)的合作關系，此舉符合市場廣泛預期。
綜合外電5月31日報道，以收入計全球第二大電腦存儲芯片制造商海力士半導體公司(HynixSemiconductorInc.)決定終止與恒億公司(Numonyx)建立的合資企業(yè)，前者將以4.23億美元回購后者所持合資企業(yè)的21%股份。
2010年早些時候，美光科技公司(MicronTechnologyInc)以12.7億美元收購了恒億公司，此后市場廣泛預期海力士半導體公司將作出上述決定。
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海力士 存儲芯片
- 韓國媒體Korea Times獨家獲得海力士(Hynix)內部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲器廠商提高投資，預料競爭將加劇。
除提高投資外，該份名為「財務穩(wěn)健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦顯示，海力士在2012年的營收目標為12兆韓元，較2010年的10兆韓元成長20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率則可望達到20
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