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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率元件

與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開(kāi)發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請(qǐng)這些研究小組的技術(shù)人員，以論
關(guān)鍵字： SiC 講座功率元件氧化鎵

電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原理

電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對(duì)稱(chēng)電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級(jí)均為推挽對(duì)稱(chēng)電路，可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
關(guān)鍵字： MOSFET VP-P 電壓

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
關(guān)鍵字： MOSFET 高頻特性放大器電路工作原理

微芯有刷直流電機(jī)控制方案

有刷直流電機(jī)通過(guò)電刷進(jìn)行換向。以下是關(guān)于有刷直流電機(jī)的一些關(guān)鍵點(diǎn)：典型的轉(zhuǎn)子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開(kāi)，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機(jī)的定子(或外部機(jī)筒)將有
關(guān)鍵字： MOSFET 光學(xué)編碼器 PWM 有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

被忽略的細(xì)節(jié)：理解MOSFET額定電壓BVDSS

　　看到這個(gè)主題，可能有些工程師會(huì)問(wèn)：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內(nèi)容?細(xì)節(jié)決定技術(shù)，今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細(xì)節(jié)，來(lái)理解這個(gè)參數(shù)所設(shè)定的含義。　　數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時(shí)漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標(biāo)稱(chēng)BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，所能施加的最大的額定電壓，測(cè)試的電路如圖1所示。關(guān)于雪崩擊穿問(wèn)題
關(guān)鍵字： MOSFET BVDSS

Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

　　Fairchild，現(xiàn)在是安森美半導(dǎo)體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿(mǎn)足最新的通信、服務(wù)器、電動(dòng)車(chē)(EV)充電器和太陽(yáng)能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。　　SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能，是高性能應(yīng)用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產(chǎn)品設(shè)計(jì)者更大的靈活性，特別是對(duì)于尺寸受限的設(shè)計(jì)。　　Fair
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英飛凌800 V CoolMOS P7系列設(shè)立效率和散熱性能的新基準(zhǔn)

　　英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級(jí)結(jié)技術(shù)，兼具出類(lèi)拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個(gè)新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應(yīng)用，可完全滿(mǎn)足性能、易于設(shè)計(jì)和性?xún)r(jià)比等市場(chǎng)需求。它主要側(cè)重于反激式拓?fù)?，這種拓?fù)涑Ｒ?jiàn)于適配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應(yīng)用。　　　　800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應(yīng)用中測(cè)試的其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品，這相當(dāng)于將
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

步進(jìn)電機(jī)的MOSFET管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

H橋功率驅(qū)動(dòng)電路可應(yīng)用于步進(jìn)電機(jī)、交流電機(jī)及直流電機(jī)等的驅(qū)動(dòng)。永磁步
關(guān)鍵字：步進(jìn)電機(jī) MOSFET 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體推出新款超結(jié)MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結(jié)MOSFET。　　電視和PC等設(shè)備常用的開(kāi)放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導(dǎo)致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類(lèi)應(yīng)用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時(shí)，需要鑄封、引線(xiàn)成形、套管或密封等特殊工
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

GaN、SiC功率元件帶來(lái)更輕巧的世界

　　眾人皆知，由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn)，數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運(yùn)算力不斷增強(qiáng)，使運(yùn)算的取得愈來(lái)愈便宜，也愈來(lái)愈輕便，運(yùn)算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機(jī)、平板。　　 ? 　　GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp) 　　不過(guò)，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去，有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進(jìn)提升，例如筆電出門(mén)經(jīng)常要帶著一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
關(guān)鍵字： GaN SiC

IGBT是啥？看完這篇文章我不信你還不明白

　　電的發(fā)現(xiàn)是人類(lèi)歷史的革命，由它產(chǎn)生的動(dòng)能每天都在源源不斷的釋放，人對(duì)電的需求不亞于人類(lèi)世界的氧氣，如果沒(méi)有電，人類(lèi)的文明還會(huì)在黑暗中探索。　　然而在電力電子里面，最重要的一個(gè)元件就是IGBT。沒(méi)有IGBT就不會(huì)有高鐵的便捷生活。　　　　一說(shuō)起IGBT，半導(dǎo)體**的人都以為不就是一個(gè)分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣，是國(guó)家“02專(zhuān)項(xiàng)”的重點(diǎn)扶持項(xiàng)目，這玩意是現(xiàn)在目前功率電子器件里
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET

Zaptec公司采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的功率技術(shù)，開(kāi)發(fā)出獨(dú)具特色的便攜式電動(dòng)汽車(chē)充電器

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)的享譽(yù)業(yè)界的碳化硅(SiC)功率元器件，讓高科技創(chuàng)業(yè)公司Zaptec開(kāi)發(fā)出世界上最小、最智能、最安全的電動(dòng)汽車(chē)充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產(chǎn)業(yè)革命性的創(chuàng)新性初創(chuàng)公司。　　作為市場(chǎng)首款內(nèi)置電子變壓器的電動(dòng)汽車(chē)便攜式充電器，ZapCharger可以連接任何電網(wǎng)給任何電動(dòng)汽車(chē)充電。意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉(zhuǎn)換性能，讓Zaptec工程師得以設(shè)
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 SiC

SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將開(kāi)始高速發(fā)展

　　SiC功率半導(dǎo)體正進(jìn)入多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域　　當(dāng)首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時(shí)，整個(gè)產(chǎn)業(yè)都對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的未來(lái)發(fā)展存在疑慮，它會(huì)有市場(chǎng)嗎?它能夠真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會(huì)有這樣的疑慮。SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)是真實(shí)存在的，而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)(包括二極管和晶體管)規(guī)模約為2億美元，到2021年，其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將超過(guò)5.5億美元，這期間的復(fù)合年均增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)19%。毫無(wú)懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
關(guān)鍵字： SiC 功率半導(dǎo)體

住在市區(qū)還是郊區(qū)？考慮采用轉(zhuǎn)換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓

　　一般來(lái)講，尋求更大生活空間的居民會(huì)放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務(wù)，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因?yàn)槟抢锓孔痈?，院子更寬敞。同樣，?dāng)工程師需要大電流用于負(fù)載點(diǎn)(POL)設(shè)計(jì)時(shí)，他們一般會(huì)放棄高密度轉(zhuǎn)換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個(gè)更復(fù)雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案。控制器，與郊區(qū)環(huán)境相類(lèi)似，具有相對(duì)的靈活性和經(jīng)濟(jì)性，但會(huì)占據(jù)更多不動(dòng)產(chǎn)，更多的電路板空間。　　　　直到最近，電流超過(guò)10-15A的應(yīng)用一般會(huì)依賴(lài)帶外部MOSF
關(guān)鍵字： MOSFET 封裝

關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)大合集

　　下面對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。　　1，MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu) 　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。　　至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。　　對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開(kāi)
關(guān)鍵字： MOS管 MOSFET