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sic mosfet 文章 最新資訊

Vishay提供免費在線MOSFET熱模擬工具

  •     Vishay推出一款網上工具，可供設計人員詳細模擬在各種應用中Vishay Siliconix MOSFET 在運行時的熱效應情況及其受鄰近元件的影響如何。             Vishay 新推出的 ThermaSim™（可從 http://www.vishay.
  • 關鍵字： MOSFET  Vishay  電源技術  工具  免費  模擬技術  熱模擬  在線  

ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應用性能

  •  意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產品的第一款產品。 通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產品為客戶大幅度降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。 商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產品STD11NM60N就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導體器件技術極限的實例，該產品采用ST自主開發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術，最大通態(tài)電阻 RDS&nb
  • 關鍵字： MOSFET  ST  電源技術  晶體管  模擬技術  消費電子  意法半導體  照明  消費電子  

降低高性能CPU電源中的元件成本

  • 新處理器對電源的要求越來越高，快速的負載階躍響應、嚴格的輸出電阻限制以及快速的輸出變化都是必不可少的。因此，選用合適的控制器至關重要。 同樣的控制器，不同的電感和電容 首先來看現(xiàn)有的控制器。對于臺式計算機和一些較大的筆記本電腦來說，具有最小紋波電流的四相控制器為負載階躍提供最快速的響應。但是，必須有足夠高的開關頻率以所需的轉換速率來響應負載瞬變，還需要MOSFET來保證低的導通電阻RDSON并且使高頻開關損耗最小。 如果需要提高開關頻率，那么需要增加控制器反饋環(huán)路的帶寬以提供足夠快的響應，可是大
  • 關鍵字： MOSFET  電源技術  工業(yè)控制  模擬技術  模擬IC  電源  工業(yè)控制  

瑞薩發(fā)布符合第二階段產品標準的第二代 “集成驅動器MOSFET（DrMOS）”

  • 瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產品標準的第二代 “集成驅動器MOSFET（DrMOS）” 實現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當前的產品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅動器IC和兩個高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務器等產品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
  • 關鍵字： DrMOS  MOSFET  單片機  電源技術  集成驅動器  模擬技術  嵌入式系統(tǒng)  瑞薩  

Intersil推出新型雙同步降壓穩(wěn)壓器

  • Intersil的雙同步降壓穩(wěn)壓器具有集成式MOSFET和高效用戶可配置電源模塊 Intersil的ISL65426提供了2個邏輯可編程或電阻可調輸出電壓，并提高了每個輸出（2個輸出的總輸出電流為6A）的用戶可編程負載電流的靈活性 Intersil（NASDAQ：ISIL）公司宣布推出高效率雙輸出同步降壓穩(wěn)壓器 - ISL65426。該器件采用薄型QFN封裝，并為2條同步降壓穩(wěn)壓器通道集成了保護功能，使其成為為當今的小型應用供電的理想之選。 ISL65426在1MHz的固定頻率下進行轉
  • 關鍵字： Intersil  MOSFET  電源技術  電源模塊  集成式  降壓穩(wěn)壓器  模擬技術  雙同步  模塊  

單相逆變器智能功率模塊應用電路設計

  • 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關速度快、損耗小、功耗低、有多種保護功能、抗干擾能力強、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領域得到越來越廣泛的應用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應用電路設計和在單相逆變器中的應用。 2 IPM的結構 IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級驅動器及保護電路構成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
  • 關鍵字： IPM  MOSFET  電源技術  模擬技術  模塊  

飛兆半導體的 AEC-Q101 低壓 30/40V MOSFET

  • 為汽車電子設計提供性能、效率和節(jié)省空間方面的優(yōu)勢 飛兆半導體擴充其低RDS(ON) MOSFET產品系列， 推出11種面向電機控制應用的新型30/40V器件 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 擴充其AEC-Q101認證的30V和40V MOSFET產品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench®MOSFET專為優(yōu)化汽車應用的效率、性能和線路板空間而設計，其應用包括動力轉向、集成啟動器/交流發(fā)電機，
  • 關鍵字： 30/40V  AEC-Q101  MOSFET  低壓  飛兆半導體  汽車電子  汽車電子  

降壓式DC/DC轉換器的MOSFET選擇

  • 同步整流降壓式DC/DC轉換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結構。控制器生產商會在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應用電路，但用戶的使用條件經常與典型應用電路不同，要根據(jù)實際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。 對功率MOSFET的要求 同步整流降壓式DC/DC轉換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示，它是由帶驅動MOSFET的控制器及外接開關管(Q1)及同步整流管(Q2)等組成。目前，Q1和Q2都采用N溝道功率MOSFET，因為它們能滿足DC/DC轉換器在輸入電壓、開關頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。 圖
  • 關鍵字： MOSFET  電源技術  模擬技術  

飛兆半導體推出11種MicroFET™ MOSFET產品

  • 飛兆半導體的 MicroFET™系列產品可在廣泛的低電壓應用中 節(jié)省空間并延長電池壽命 擴展的MicroFET產品系列提供了在其電壓范圍內 最完備的2x2mm MLP封裝MOSFET器件 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0
  • 關鍵字： Fairchild  MicroFET™    MOSFET  單片機  飛兆  嵌入式系統(tǒng)  

Zetex 高電壓MOSFET導通電阻最大僅150mΩ

  • 　Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預偏置供應電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強化型N信道器件，可用于簡單的線性調節(jié)器，在起動階段為脈沖寬度調變(PWM)集成電路供應所需電壓，然后在轉換器完全激活后關掉。相比于其它倚賴電阻器的解決方案，這種以MOSFET為基礎的解決方案有助改善系統(tǒng)效率和減省起動時間。 　　Zetex亞洲副總裁林博文指出，新MOSFET采用獨特四腳型SOT223封裝，能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導線
  • 關鍵字： MOSFET  Zetex  高電壓  電阻  電位器  

擴展升壓穩(wěn)壓器輸入、輸出電壓范圍的級聯(lián) MOSFET

能改進動圈表頭對小電流測量的MOSFET

  • 以前曾經有一個設計實例介紹了用動圈模擬表頭測量小于 1A電流的十分有趣和有用的方法（參考文獻 1）。
  • 關鍵字： MOSFET  測量  電流  表頭  改進  

IR推出100V集成MOSFET解決方案

  • 為PoE應用節(jié)省80%的占位空間 國際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個HEXFET  MOSFET集成在一個功率MLP封裝內，可滿足以太網供電（Power-over-Ethernet，簡稱PoE）應用的需求。這款新器件符合針對網絡和通信基礎設施系統(tǒng)的IEEE802.3af標準，例如以太網交換器、路由器和集線器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個獨立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當于節(jié)省了80%的空間，或相當于典型48端口電路板中3
  • 關鍵字： IR  MOSFET  解決方案  

MOSFET的開關速度將決定未來POL電源的性能

  • 　　一個采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負載點電源的瞬態(tài)響應要求。 　　與十年之前以單元密度和導通電阻作為器件設計的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術在發(fā)展方向上正經歷著一場重大的變革。如今，并在可以預見的未來，開關速度正在逐步成為負載點（POL）電源應用的決定性因素。對于工作電壓為1V或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關速度是滿足其供電要求的關鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
  • 關鍵字： MOSFET  模擬IC  電源  

功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究

  • 對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進行了研究，詳細分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數(shù)和外圍電路聯(lián)系起來，得出較大的Q值和適當?shù)腖s/Lx有利于并聯(lián)均流。大量的仿真和小功率實驗結果均表明該方法的正確性。
  • 關鍵字： 研究  問題  MOSFET  功率  
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