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基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescopic放大器設計
- 近年來,軟件無線電(Software Radio)的技術受到廣泛的關注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經(jīng)過放大后直接采樣,但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高,技術上所限難以實現(xiàn),而多采用中頻采樣的方法。而對于百兆赫茲的射頻段,可以直接射頻帶通采樣,這就要求采樣系統(tǒng)有高的分辨率,而且其Nyquist頻率要求比較高。本文設計的用于軟件無線電臺12 b A/D轉換器中的高精度,高速運算放大器,采用了增益提高電路,在不影響頻率響應的同時,得到普通運放所達不到的高增益。 1 高精度,高速度
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 軟件無線電 CMOS 放大器 放大器
凌力爾特擴大RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列,推出為高溫應用設計的“H 級”器件
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 擴大了 RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列,推出為高溫應用設計的“H 級”器件。LTC285xH 系列器件具有 -40oC 至 125oC 的擴展工作溫度范圍以及這些應用傳統(tǒng)上所需的屬性。這些新溫度級器件拓寬了凌力爾特公司業(yè)界標準低功率 CMOS 收發(fā)器產(chǎn)品線,有助于在汽車應用中常見的嚴酷環(huán)境條件下確??煽繑?shù)據(jù)傳輸。 凌力爾特公司的 LTC285xH 系列收發(fā)器有多種選擇。精選版本具有轉換率限制,同時其它版本具有接
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 凌力爾特 RS422 CMOS
意法半導體(ST)芯片向先進的45nm CMOS 射頻技術升級
- 意法半導體宣布該公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術的功能芯片。這項先端技術對于下一代無線局域網(wǎng)(WLAN)應用產(chǎn)品至關重要。 這些系統(tǒng)級芯片(SoC)是在ST的法國Crolles 300mm 晶圓生產(chǎn)線制造的,原型產(chǎn)品集成了從初級RF信號檢測到下一步信號處理需要的數(shù)字數(shù)據(jù)輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有最先進的性能和最高的密度(低噪放大器、混頻器、模數(shù)轉換器和濾波器都工作在1.1V下,整個電路僅占用0.45mm2)。 ST的半導體成就歸功于公司開發(fā)CM
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 意法半導體 45nm CMOS EDA IC設計
CMOS圖像傳感器中時問延遲積分的實現(xiàn)與優(yōu)化
- 1 引 言 利用高速線掃描攝像機進行監(jiān)控,具有在線監(jiān)控、高精度和高速度的特點[1,2],一般常見的線掃描攝像機,感光器上的每個像素在進行動態(tài)掃描時,每次僅對移動中的物體做一次曝光,而時間延遲積分(TDI)電路具備較多且有效的積分時間,從而增強信號的輸出強度。目前,TDI技術的研究多局限于CCD工藝。CCD器件是實現(xiàn)TDI的理想器件,它能夠?qū)崿F(xiàn)無噪聲的電荷累加[3~5],但傳統(tǒng)CCD圖像傳感器技術存在驅(qū)動電路和信號處理電路難與CCD成像陣列單片集成,需要較高的工作電壓,不能與深亞微米超大規(guī)模集成電
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 TDI CMOS 圖像傳感器 傳感器 執(zhí)行器
一種帶有軟啟動的精密CMOS帶隙基準設計
- 引 言 帶隙基準是所有基準電壓中最受歡迎的一種,由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關的突出優(yōu)點,所以被廣泛地應用于高精度的比較器、A/D或D/A轉換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流,這就要求基準對電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。 本文結合工程實際的要求設計了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動的CMOS帶隙基準源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標準CMOS工藝模型庫進行仿真,HSPICE的仿真結果表明該基
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 CMOS 帶隙基準 比較器 測量工具
Si整流器與SiC二極管:誰與爭鋒
- 在當今的電氣設備中,功率半導體和電抗式元件(電容和電感)隨處可見。它們在正常工作過程中會在為其供電的交流電線上產(chǎn)生兩種不希望出現(xiàn)的副作用。 首先,這些器件會引起較小的功率因數(shù)。其次,它們會使線電流失真,引起電噪聲或者產(chǎn)生與線電壓之間的相位偏移。 功率因數(shù)是指實際使用的功率與交流線上產(chǎn)生的視在功率二者的比值。電氣設備中如果存在大電容或者電感就會導致視在功率大于實際使用的功率,出現(xiàn)較小的功率因數(shù)。 功率因數(shù)越小,在為設備供電的交流導線上損耗的電能就越多。如果設備中的功率半導體開關操作非常
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 Si 整流器 二極管 元器件用材料
奧地利微電子為代工用戶擴展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項目晶圓服務
- 奧地利微電子的全方位服務晶圓代工廠業(yè)務部推出一份更加全面的 2008 年度時間表,擴展了其具有成本效益的、快速的專用集成電路(ASIC)原型服務,即所謂以多項目晶圓 (MPW) 或往復運行(shuttle run)。該服務將來自不同用戶的若干設計結合在一個晶圓上,有助于眾多不同的參與者分攤晶圓和掩膜成本。 RF多項目晶圓服務 奧地利微電子的 MPW 服務包括基于 TSMC(臺積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
- 關鍵字: 消費電子 奧地利微電子 CMOS FLASH MCU和嵌入式微處理器
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