本文提出的是一種基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)結構的創(chuàng)新型結構，對于同步開關噪聲(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更優(yōu)秀的特性。我們設計的這款新型EBG結構，是在周期性L-bridge EBG結構的基礎上，在一些單元內(nèi)插小型的L-bridge EBG。通過仿真驗證，此結構具有傳統(tǒng)型L-bridge EBG結構所不具有的超帶寬抑制能力和較大的抑制深度。然后我們運用電路模型和平行板諧振腔原理分析了該結構上下變頻。另外，通過3-D
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EBG SSN 電源完整性 IR-Drop 201607
作為NEDO項目的一部分，日本大阪大學和島津公司開發(fā)了兩種新型RGB激光光源模塊，主要使用了RGB可見光激光二極管技術。其中一種激光模塊具有世界最高的亮度，可用于高亮度激光顯示設備和激光照明。另一種激光模塊具有世界最小體積，可用于掃描型激光顯示單模光纖輸出。
正是基于這樣的研究結果，將激光光源模塊集成到設備中，可以帶來極大性能提升。相對于其他光源如LEDs，激光光源具有小型化、節(jié)能和高飽和度等優(yōu)點。
由于激光光源具有以上特性，我們希望將其應用范圍延伸至小型電子設備，如智能手機和平板設備，或
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激光光源 RGB
摘要：先來個小測試，您看封面圖的數(shù)字是5 還是2?這個是色盲測試的題目。其原理
在于我們的眼中用來分辨顏色的錐狀細胞的差異，錐狀細胞通過對三原色的感知來識別萬色萬物，而機器中是怎么樣識別的呢?
我們這樣看著世界
人們都知道，把大象放進冰箱需要三步，而人眼把世界放進大腦也可簡單分為三步：眼
球感應到像(傳感器采集并轉換成數(shù)字信號)——轉成神經(jīng)信號傳到大腦(通過通訊系統(tǒng)將信號傳到處理器)——大腦處理并存放(
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RGB YUV
上周末和好友小陳繼續(xù)探討VGA的真彩色硬件電路時，他給我提供了一個很新穎的想法(至少我個人這么是這么認為的)。一般的VGA做8色的設計其實硬件電路無非下圖所示：
雖然嚴格來說五個信號接口的邏輯高電平是0.7V，但是接3.3V加個電阻其實也是可以工作的。對于這個電路，因為顏色信號接口VGA_R,VGA_G,VGA_B都是模擬電平輸入(0-0.7V)，理論上來說每個信號是可以有256(就是把0-0.7V電壓256等分)個電平值，那么RGB三個信號接口一共最多就會有256的
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VGA RGB
德國elmos公司日前宣布推出一款高度集成的單芯片方案E521.31,該芯片主要應用于汽車RGB氛圍燈。E521.31芯片帶有LIN總線自動尋址功能，專門為車內(nèi)RGB-LED氛圍燈量身打造，外部電路設計靈活并且極為精簡。
該芯片在多路復用模式下可驅動多達6路甚至更多路RGB的LED燈,實現(xiàn)了單一芯片對整體進行動態(tài)調(diào)光，同時產(chǎn)品的性價比又做到最佳。除了用在RGB氛圍燈應用領域，這個方案還可用于汽車內(nèi)飾及其外飾的信息娛樂應用中。如，儀表盤指示，電池狀態(tài)信息以及車載電子信息
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elmos RGB-LED
一、OLED的優(yōu)點
1、厚度可以小于1毫米，僅為LCD屏幕的1/3，并且重量也更輕;
2、固態(tài)機構，沒有液體物質，因此抗震性能更好，不怕摔;
3、幾乎沒有可視角度的問題，即使在很大的視角下觀看，畫面仍然不失真;
4、響應時間是LCD的千分之一，顯示運動畫面絕對不會有拖影的現(xiàn)象;
5、低溫特性好，在零下40度時仍能正常顯示，而LCD則無法做到;
6、制造工藝簡單，成本更低;
7、發(fā)光效率更高，能耗比LCD要低;
8、能夠在不同材質的基板上制造，可以做成能彎
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OLED RGB
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護應用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET具有極低的導通電阻，可大幅減少導通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯(lián)電池的電池保護電路。IRL6297SD
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IR MOSFET IRL6297SD
D類音頻放大器可以在90%左右的效率水平下運行，讓設計者能夠利用小型散熱器或者無需散熱器即可提供極高的音頻輸出。它已逐漸成為高端家用A/V設備以及移動設備的首選拓撲，能夠幫助設計者實現(xiàn)高性能與小尺寸組合，而這正是全世界用戶所期望和需要的。
現(xiàn)在，高集成度D類放大器件，包括單個封裝內(nèi)的整個放大器模塊的出現(xiàn)讓企業(yè)能夠更快地將價格極具競爭力的新產(chǎn)品推向市場，并且其音頻性能達到或者超過了傳統(tǒng)的模擬放大器。因此，D類音頻放大器近十年來市場突飛猛進，年復合增長率遠遠高于應用特殊型音頻器件。
D
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IR D類放大器
道路檢測是視覺導航系統(tǒng)中最核心的部分之一。本文主要研究室內(nèi)環(huán)境下的視覺導航。選取顏色作為分析對象，分析了RGB和HSV顏色空間模型及轉換關系，用3×3模板進行中值平滑濾波，介紹了大津閾值分割法和改進的閾值迭代法，并通過彩色補償原理進行彩色補償。最后實驗仿真驗證其可行性。
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機器人 視覺導航系統(tǒng) RGB HSV 攝像機 201408
全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應用，包括泵電機控制和車身控制等。 使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進的COOLiRFET 40V溝道技術的全新器件系列的首款產(chǎn)品，具有3.3 mΩ超低導通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進行焊接，從而
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IR MOSFET COOLiRFET
球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變器，以及動態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關應用。
全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導通電阻性能，從而實現(xiàn)較低的導通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
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IR MOSFET DirectFET
國際整流器(IR)推出第二代(Gen2)IRAM系統(tǒng)級封裝(System-In-Package,SIP)節(jié)能智慧型功率模組(IntelligentPowerModule)系列，有效縮小及簡化空調(diào)、風扇、壓縮機和洗衣機等家電馬達驅動應用的設計。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示，要超越IR上一代IRAM產(chǎn)品所建立的行業(yè)標準基準并非易事，全新IRAMGen2平臺能夠利用下一代IRAM系統(tǒng)級封裝智慧型功率模組的先進技術，通過改善熱效能及減少電磁雜訊，以滿足市場對更高效家電應用馬達驅動器與日俱增的需求
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IR 驅動器設計
該算法主要用于玉米室內(nèi)考種時穗行數(shù)的自動檢測。執(zhí)行時，首先獲取玉米穗橫斷面圖像，然后提取出玉米穗的邊緣；接著用質心法提取圓心，計算邊緣到圓心的距離和角度，在0～2pi上畫出一周的角度-半徑曲線圖；最后對角度-半徑曲線圖進行最小值濾波器濾波，并統(tǒng)計極小值的個數(shù)即是玉米穗的行數(shù)。本算法實施成本低，測量玉米穗行數(shù)快速、準確、穩(wěn)定，為機器視覺在玉米考種系統(tǒng)下的應用提供了有效參考。
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玉米 自動檢測 RGB HSV 濾波 201406
國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)?近日推出60V器件以擴充StrongIRFET?MOSFET系列，適合多種工業(yè)應用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源二次側同步整流等?！ ∪?0V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應用性能的超低導通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管，以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
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IR StrongIRFET MOSFET
??? 全球功率半導體和管理方案領導廠商?-?國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)推出全新D類音頻芯片組，內(nèi)含IRS20965數(shù)字音頻驅動器IC，可提供受保護的脈沖寬度調(diào)制?(PWM)?開關和完整的音頻MOSFET?，旨在為高性能D類音頻放大器產(chǎn)品作出優(yōu)化?！ RS20965具有高側和低側獨立浮動脈沖寬度調(diào)制輸入，能夠從外部的脈沖寬度調(diào)制控制器進行死區(qū)時間控制。新I
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IR PWM IRS20965 音頻
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