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rf-cmos 文章 最新資訊

RFaxis推出新款純CMOS大功率放大器

  • 　　專注于為無線連接和蜂窩移動市場開發(fā)創(chuàng)新型下一代射頻(RF)解決方案的領(lǐng)先無晶圓半導體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，該公司用于無線局域網(wǎng)絡(WLAN)應用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產(chǎn)?！　FX241最新加入RFaxis瞄準快速增長的無線接入點(AP)、路由器(Router)、機頂盒(STB)、家庭網(wǎng)關(guān)(HGW)、熱點(Hotspot)等無線基礎設施市場的純CMOS大功率CMOS PA產(chǎn)品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內(nèi)的目前市場上
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德州儀器的新型 RF 軟件開發(fā)套件可幫助小型基站和回程開發(fā)人員在一天之內(nèi)實現(xiàn)“首次調(diào)用”，從而顯著縮短了開發(fā)時間

  • 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布其基站軟件開發(fā)包 (Base Station SoftwarePac) 新增 RF 軟件開發(fā)套件 (RFSDK)，可使小型基站開發(fā)人員配置基帶至射頻通信并在僅僅一天之內(nèi)即實現(xiàn)首次調(diào)用或系統(tǒng)驗證，而此前所需的時間長達數(shù)周甚至數(shù)月之久。借助該新型 RFSDK，基于 TI KeyStone™ 的 TCI6630K2L 小型基站片上系統(tǒng) (SoC) 和 TCI6631K2L 回程 SoC 如今能夠無縫地實現(xiàn)諸如數(shù)字預失真 (DPD) 和波形因數(shù)抑制 (CFR) 等數(shù)字
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無視出售芯片業(yè)務傳言 IBM升級RF芯片制程

  • 　　在市場再度傳言IBM將10億美元出售其芯片部門給GlobalFoundries的同時，該公司正在加速量產(chǎn)新一代絕緣上覆硅(silicon-on-insulator，SOI)與硅鍺(silicongermanium，SiGe)制程，以擴大在射頻(RF)芯片代工市場的占有率;該類芯片傳統(tǒng)上大多是采用更稀有的砷化鎵(galliumarsenide，GaAs)制程。 　　IBM的兩種新制程都在該公司只提供晶圓代工的美國佛州Burlington晶圓廠運作，該座8吋晶圓廠以往曾生產(chǎn)IBM高階服務器處理器以及
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美高森美為廣泛的RF產(chǎn)品組合增添全新單片微波集成電路器件系列

  • 　　致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布進軍單片微波集成電路(monolithic microwave integrated circuit, MMIC)市場領(lǐng)域。在其豐富的RF、微波和毫米波解決方案歷史的基礎下，新的產(chǎn)品系列最初將提供涵蓋DC-40GHz范圍的16種產(chǎn)品，包括寬帶放大器、低噪聲放大器和開關(guān)產(chǎn)品，設計用于國防、通信、儀器儀表和航空航天工業(yè)。 　　美高森美一直活躍于MMIC產(chǎn)品的開發(fā)工作，同時使用成熟的
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Molex 柔性微波電纜組件提供出色的電氣性能突破半剛性組件的限制

  • 　　Molex 公司的柔性微波電纜組件(Flexible Microwave Cable Assemblies)通過結(jié)合Temp-Flexò同軸電纜和高性能射頻(RF)連接器，替代半剛性組件。這些組件具有出色的電氣性能及使用專有技術(shù)組裝，最大限度地減小電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio)和插入損耗，用于完整的端至端互連解決方案。 　　Molex產(chǎn)品經(jīng)理Darren Schauer表示：“半剛性電纜組件被彎曲放入現(xiàn)今較小的模塊時可能出現(xiàn)性能退化
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德國開發(fā)出可耐高溫的新型微芯片

  • 　　在地熱生產(chǎn)和石油生產(chǎn)過程中溫度通常會超過200℃，高于設備所用的傳統(tǒng)微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統(tǒng)研究所(IMS)的研究人員近日開發(fā)出一種新型的高溫工藝，可以制造出超緊湊型微芯片，這種微芯片在高達300℃的溫度下也能正常工作。 　　傳統(tǒng)的CMOS芯片有時能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會迅速下降。還有一種方法是對熱敏感的微芯片實施持續(xù)冷卻，但是很難實現(xiàn)。此外，市場上也存在專門的高溫芯片，但是尺寸過大(最小尺寸也達1微米)。 　　IMS開發(fā)的微芯片尺寸僅有0
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ADI推出GSPS性能標準的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器

  • 　　Analog Devices, Inc.(NASDAQ：ADI)，全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應商及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器市場份額領(lǐng)先者*，日前宣布推出雙通道、1.25 V、14位、1 GSPS ADC AD9680 ，它具有同類產(chǎn)品中的最佳噪聲和動態(tài)范圍性能，支持通訊、儀器儀表和軍事/航空航天領(lǐng)域的直接RF采樣應用。其154 dBFs/Hz的噪聲密度為業(yè)內(nèi)最低。ADI公司的寬帶RF數(shù)據(jù)采集技術(shù)具有突破性的性能、帶寬、集成功能，能夠在擁堵的RF環(huán)境中，以史無前例的帶寬更好地提取信號。AD9680可與主要制造
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一種低電壓、低功耗模擬電路設計簡介

  • 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個三端設備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會遠低于現(xiàn)有標準，于是采用襯底驅(qū)動技術(shù)進行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅(qū)動MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場效應晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
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研究表明新三維封裝技術(shù)將提高智能移動設備性能

  • 當平面工藝已經(jīng)無法滿足對于性能提升的需求時，3D架構(gòu)是業(yè)界首先能想到的提升方式。
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卓勝微電子向三星累積出貨已超2000萬顆

  • 　　作為專注在WiFi、藍牙、GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應商，卓勝微電子今日宣布，公司GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆。 　　“卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能?！弊縿傥㈦娮涌偨?jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機市場的領(lǐng)先者，三星對產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求，同時它對合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力?！? 　　卓勝微電子的GPS
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卓勝微電子宣布MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆

  • 　　2014年5月5日，作為專注在WiFi，藍牙，GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應商，卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆。 　　“卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能。”卓勝微電子總經(jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機市場的領(lǐng)先者，三星對產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求，同時它對合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力。” 　　卓勝微電子的G
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分析師預測2019年MRAM市場可達21億美元

  • 　　市場研究機構(gòu)CoughlinAssociates的最新報告預測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(field-induced)以及自旋力矩轉(zhuǎn)移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來因為取代DRAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 　　CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場營收規(guī)模可望由2013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元;期間的復合年平均成長率(CAGR)估計為50%。
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Diodes雙門邏輯系列有效延長電池壽命

  • 　　Diodes公司?(Diodes?Incorporated)?推出先進的74AUP2G雙門超低功率?CMOS微型邏輯器件系列，為低壓和低功耗模式設計，可延長手機、電子書閱讀器及平板電腦等多種掌上消費性電子產(chǎn)品的電池壽命。　　這款邏輯器件的漏電流少于0.9?μA，達到低靜態(tài)功耗的效果。其功耗電容在3.6V供電下一般為6pF，可將動態(tài)功耗降到最低。74AUP2G系列提供從0.8V到3.6V的供電電壓范圍，使電路供電降到最低等級。　　全新超低功率74AUP2
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先進封裝技術(shù)：可穿戴電子設備成功的關(guān)鍵

  • 　　最近以來智能手表、體征監(jiān)測等穿戴式電子設備受到業(yè)界的極大關(guān)注，但市場一直處于“雷聲大，雨點小”的狀態(tài)。究其原因，有以下幾個因素制約了穿戴式電子設備實現(xiàn)突破：小型化低功耗技術(shù)還滿足不了需求、“殺手級”應用服務缺失、外觀工藝粗糙、用戶使用習慣仍需培養(yǎng)?！　募夹g(shù)層面上看，先進封裝將是穿戴式電子取得成功的關(guān)鍵技術(shù)之一，特別是系統(tǒng)級封裝(SiP)以及3D封裝等。據(jù)深圳市半導體行業(yè)協(xié)會秘書長蔡錦江介紹，2001年以色列Given?Imaging公司推出的膠囊內(nèi)鏡就采用SiP技術(shù)將光學鏡頭、應用處理器、
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Xilinx助力有線電視運營商打造面向未來的前端系統(tǒng)

  • 　　全球可編程平臺領(lǐng)導廠商賽靈思公司?(Xilinx,?Inc.?)在?2011?年?SCTE?有線電視技術(shù)博覽會?(SCTE?Cable-Tec?Expo?2011)上演示了有線電視行業(yè)第一個用單個?RF?端口支持多達?160?個正交幅度調(diào)制?(QAM?)信道的方案，該方案是在基于賽靈思?28nm?7?系列
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