rf-cmos 文章 最新資訊
后CMOS時代 Intel稱有12種設想可降低產(chǎn)品功耗
- 自從14nm節(jié)點開始，Intel在傳統(tǒng)CMOS半導體工藝升級上的步伐就慢下來了，Tick-Tock戰(zhàn)略名存實亡，還被TSMC、三星兩家趕超、奚落，甚至連市值都被TSMC超越了，以致于Intel為了挽回面子都想法推動新的半導體工藝命名規(guī)則了。傳統(tǒng)CMOS工藝很可能在2024年終結(jié)，對此Intel也不是沒有準備，最近他們公布了后CMOS時代的一些技術(shù)思路，Intel的目標是在保持現(xiàn)有晶圓工廠的情況下制造功耗更低的產(chǎn)品，電壓可以低至0.5V，這在目前的晶體管下是不可能的。 根據(jù)EE
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一塊PCB板上如何安置RF電路和數(shù)字電路這兩尊大神？
- 單片射頻器件大大方便了一定范圍內(nèi)無線通信領(lǐng)域的應用，采用合適的微控制器和天線并結(jié)合此收發(fā)器件即可構(gòu)成完整的無線通信鏈路。它們可以集成在一塊很小的電路板上，應用于無線數(shù)字音頻、數(shù)字視頻數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)，無線遙控和遙測系統(tǒng)，無線數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，無線網(wǎng)絡以及無線安全防范系統(tǒng)等眾多領(lǐng)域?！ ? 數(shù)字電路與模擬電路的潛在矛盾 如果模擬電路(射頻) 和數(shù)字電路(微控制器) 單獨工作可能各自工作良好，但是一旦將兩者放在同一塊電路板上，使用同一個電源供電一起工作，整個系統(tǒng)很可能就會不穩(wěn)定。這
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Xilinx發(fā)布RF級模擬技術(shù)的背景資料
- 簡介 隨著通信行業(yè)逐漸向 5G 標準靠攏,移動設備制造商十分鐘情于技術(shù)試驗和概念驗證測試?，F(xiàn)在，這些技術(shù)的商業(yè)可行性正在進行嚴格評估，然而原型設計所使用的很多技術(shù)都無法很好地轉(zhuǎn)化為商業(yè)部署?！ ∮捎谀繕耸且愿凸耐ㄟ^頻譜效率、高度致密化以及新頻譜來提高網(wǎng)絡容量，因此制造商正在依靠軟件、硬件和系統(tǒng)級的技術(shù)突破來實現(xiàn)目標。 有些技術(shù)對滿足嚴苛的網(wǎng)絡容量目標具有至關(guān)重要的作用，而大規(guī)模多輸入多輸出(MIMO)天線陣列就屬于這類技術(shù)。與這些天線陣列進行接口連接的射頻單元必須滿足極其嚴
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八條規(guī)則助你降低RF電路寄生信號
- RF電路布局要想降低寄生信號，需要RF工程師發(fā)揮創(chuàng)造性。記住以下這八條規(guī)則，不但有助于加速產(chǎn)品上市進程，而且還可提高工作日程的可預見性。 規(guī)則1：接地通孔應位于接地參考層開關(guān)處 流經(jīng)所布線路的所有電流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不過回流通常流經(jīng)相鄰的接地層或與信號線路并行布置的接地。在參考層繼續(xù)時，所有耦合都僅限于傳輸線路，一切都非常正常。不過，如果信號線路從頂層切換至內(nèi)部或底層時，回流也必須獲得路徑。 圖1就是一個實例。頂層信號線路電流下面緊挨著就是回流。當它轉(zhuǎn)移到底層時，回
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混頻器件面貌之變遷
- 摘要 半導體工藝和RF封裝技術(shù)的不斷創(chuàng)新完全改變了工程師設計RF、微波和毫米波應用的方式。RF設計人員需要比以往任何時候都更具體、更先進的技術(shù)和設計支持。設計技術(shù)持續(xù)發(fā)展，RF和微波器件的性質(zhì)在不久的未來將大不相同。本文介紹各種類型的混頻器、各自的優(yōu)缺點，以及在不同市場中應用的演變。本文討論不同混頻器件(主要是混頻器)不斷變化的面貌，以及技術(shù)進步如何改變不同市場的需求?！ 『喗椤 ≡赗F和微波設計中，混頻是信號鏈最關(guān)鍵的部分之一。過去，很多應用都受制于混頻器的性能。混頻器的頻率范圍、轉(zhuǎn)換損耗和線性度
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CMOS集成電路電阻的應用分析
- 1 CMOS集成電路的性能及特點 1.1 功耗低CMOS集成電路采用場效應管，且都是互補結(jié)構(gòu)，工作時兩個串聯(lián)的場效應管總是處于一個管導通，另一個管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW，動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW?！ ?.2 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡單，供電電源體積小，基本上不需穩(wěn)壓。國產(chǎn)CC4000系列的集成電路，可在3~18V電壓下正常工作。 1.3
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CMOS影像傳感器供不應求 市場價格止跌
- 據(jù)日本經(jīng)濟新聞(Nikkei)網(wǎng)站報導，攝影用的CMOS影像傳感器市場，由于市場需求增大，原本跌價的趨勢已逐漸趨緩，智能手機用品的2016年7~9月報價甚至與10~12月報價維持相同水準，預料2017年初市場需求不減，報價甚至有上漲的可能。 以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看，2016年第1季~第2季單價下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當?shù)拿總€2~3美元水準。 造成CMOS影像傳感器價格下滑趨勢減緩的理由，主要在高階智能手機轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設計，讓高階手機市場的CMOS影像傳
- 關(guān)鍵字： CMOS 像傳感器
CMOS影像傳感器供不應求 市場價格止跌
- 據(jù)日本經(jīng)濟新聞(Nikkei)網(wǎng)站報導，攝影用的CMOS影像傳感器市場，由于市場需求增大，原本跌價的趨勢已逐漸趨緩，智能手機用品的2016年7~9月報價甚至與10~12月報價維持相同水準，預料2017年初市場需求不減，報價甚至有上漲的可能。 以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看，2016年第1季~第2季單價下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當?shù)拿總€2~3美元水準。 造成CMOS影像傳感器價格下滑趨勢減緩的理由，主要在高階智能手機轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設計，讓高階手機市場的CMOS影像傳
- 關(guān)鍵字： CMOS 傳感器
CMOS影像傳感器供不應求 市場價格止跌
- 據(jù)日本經(jīng)濟新聞(Nikkei)網(wǎng)站報導，攝影用的CMOS影像傳感器市場，由于市場需求增大，原本跌價的趨勢已逐漸趨緩，智能手機用品的2016年7~9月報價甚至與10~12月報價維持相同水準，預料2017年初市場需求不減，報價甚至有上漲的可能。 以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看，2016年第1季~第2季單價下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當?shù)拿總€2~3美元水準。 造成CMOS影像傳感器價格下滑趨勢減緩的理由，主要在高階智能手機轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設計，讓高階手機市場的CMOS影像傳
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