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新型存儲器技術(shù)未來將主導存儲器市場

- 存儲器主導著許多SoC,我們很少聽說某個設(shè)計包含太多的存儲器。然而,存儲器消耗了大部分的系統(tǒng)功耗,雖然這對于許多系統(tǒng)可能不是關(guān)鍵問題,但是對于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)邊緣設(shè)備而言,總功耗是非常重要的。 幾乎所有系統(tǒng)的存儲需求都在變化。雖然新的存儲器和存儲器架構(gòu)已經(jīng)籌劃了很長時間,但仍未被廣泛采用。然而,許多業(yè)內(nèi)人士認為臨界點已然將近。 過去50年中,SRAM和DRAM已經(jīng)成為存儲器層次結(jié)構(gòu)的主力,F(xiàn)LASH最近幾年也在加入了“戰(zhàn)場”。所有這些存儲結(jié)構(gòu)在往較小的幾何結(jié)構(gòu)縮放的
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并購ISSI獲DRAM技術(shù) 兆易創(chuàng)新前路何在?

- 兆易創(chuàng)新借助ISSI在DRAM方面的技術(shù)是有可能實現(xiàn)一定程度的進口替代,如果進一步出臺政策支持存儲芯片的生產(chǎn)與銷售,在國內(nèi)的DRAM市場分到一杯羹。
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臺媒:大陸2025年IC自主目標恐難達成 海外技術(shù)取得成關(guān)鍵
- 中國大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場,但自給自足率卻明顯偏低,必須高度仰賴海外IC產(chǎn)品進口。為此中國國務院于2015年3月發(fā)起“2025年中國制造”(MIC 2025)計劃,目標到了2020年達到4成的IC產(chǎn)品自給自足率目標,到了2025年更要達到7成水準。不過市調(diào)機構(gòu)IC Insights分析認為,這項目標恐難達成,而技術(shù)落差也成為現(xiàn)階段大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的最主要困境。 國家層級IC產(chǎn)業(yè)供需自給自足的迷思 根據(jù)IC Insights報導指出,現(xiàn)實情況下在整體IC產(chǎn)業(yè)
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國內(nèi)存儲器項目建設(shè)火熱 亟需制定預警機制
- 存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來看,存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè),同時也是一個高度壟斷和高風險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江存儲國家存儲器基地正式開工建設(shè),同時福建晉華和合肥長芯等存儲器項目也正在積極籌備和建設(shè)當中。在我國將發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)作為國家戰(zhàn)略的大背景下,考慮到存儲器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動和不確定性,以及長期大投入、高風險特性,研究認為,盡快建立并完善行業(yè)定期監(jiān)測分析和預警機制,無論從國家層面還是從產(chǎn)業(yè)層面,都是一件非常有意義的事情。 存儲
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DRAM強漲 金士頓:將缺貨一整年
- 內(nèi)存市況今年持續(xù)看好,據(jù)SEMI半導體協(xié)會預估,內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長17.8%,成為半導體產(chǎn)業(yè)恢復強勁成長的主要推手,不少相關(guān)業(yè)者表示,缺貨情況將再延續(xù)半年,第2季有機會呈現(xiàn)小漲走勢。 DRAM報價從2016年第4季成功終止連續(xù)下跌8季的低潮,開始展開強勁的反彈,迄今至少大漲40~50%之多。 DRAM供貨商南亞科(2408)總經(jīng)理李培瑛、封測大廠力成(6239)董事長蔡篤恭口徑一致指出,至少還要再缺貨半年,內(nèi)存模塊大廠金士頓更直說,DRAM將缺貨一整年。 應用多元需求走強 臺灣金士頓
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DRAM市場所向披靡 三星穩(wěn)坐存儲霸主寶座

- 雖然現(xiàn)在三星被業(yè)界貶低,但是我們不得不承認,其地位依然很強勢。強大的半導體業(yè)務仍是三星的后盾,這些年來三星憑借該業(yè)務獲益匪淺。三星去年遭遇手機品牌危機,雖然導致其智能手機業(yè)務遭遇滑坡,但是元件業(yè)務的完全可以彌補,直到現(xiàn)在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場的老大,依然有價格主導權(quán)利。 不管是PC業(yè)務還是手機業(yè)務未來日子不好過的情況下,唯獨DRAM內(nèi)存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內(nèi)存開始缺貨,甚至漲價,據(jù)了解,DRAM漲價的主要推手是三星公司。眾所周知,
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DRAM市場所向披靡 三星穩(wěn)坐存儲霸主寶座

- 雖然現(xiàn)在三星被業(yè)界貶低,但是我們不得不承認,其地位依然很強勢。強大的半導體業(yè)務仍是三星的后盾,這些年來三星憑借該業(yè)務獲益匪淺。三星去年遭遇手機品牌危機,雖然導致其智能手機業(yè)務遭遇滑坡,但是元件業(yè)務的完全可以彌補,直到現(xiàn)在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場的老大,依然有價格主導權(quán)利。 不管是PC業(yè)務還是手機業(yè)務未來日子不好過的情況下,唯獨DRAM內(nèi)存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內(nèi)存開始缺貨,甚至漲價,據(jù)了解,DRAM漲價的主要推手是三星公司。眾所周知,由于
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美光預投1,300億未來規(guī)劃中科擴廠計劃

- 中國臺灣地區(qū)經(jīng)濟部工業(yè)局昨(17)日首度證實,全球DRAM大廠美光預計在臺投資新臺幣1,300億元,未來將落腳中部科學園區(qū)進行擴廠計劃,預計將增加逾2千個就業(yè)機會。據(jù)悉,美光鎖定中科進行新的3D封測制程,預估2-3年可量產(chǎn),要打造成為亞太區(qū)營運中心。 工業(yè)局表示,去年協(xié)助美光在臺擴大投資,總投資金額高達新臺幣1,300億元,也就美光擴大投資所需土地、廠房、資金等提供協(xié)助,未來規(guī)劃中科擴廠計劃,將可增加2,000個以上就業(yè)機會,將臺灣塑造為高效完整的DRAM全球生產(chǎn)基地。
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工序失衡!2017 DRAM內(nèi)存缺貨/漲價繼續(xù)蔓延

- 從2016年下半年開始,內(nèi)存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚,2017年這一局面將繼續(xù)擴散蔓延,而且一整年都未必會有改觀。 據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道,內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài),今年因為主要的DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃,全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外,群聯(lián)公司董事長潘建成也強調(diào),NAND閃存因為進入3D世代,制程良率無法提升,預計將缺貨一整年。 日前,金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時,針對DRAM內(nèi)存市場進行了分析,他表示,目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃
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為什么說中國必須建設(shè)本土存儲產(chǎn)業(yè)
- 在長江存儲,晉華項目和合肥長鑫這三大存儲國產(chǎn)存儲基地開建之際,有很多人曾經(jīng)質(zhì)疑過中國為什么要投入那么多錢去做這個建設(shè)?,F(xiàn)在我通過一個事實告訴你原因?,F(xiàn)在在存儲產(chǎn)業(yè),基本是韓國廠商的天下,而隨著設(shè)動設(shè)備的火熱,各種設(shè)備的爆發(fā),市場對存儲的需求日增,于是帶來了存儲產(chǎn)品的缺貨問題,進而導致了漲價。 拜DRAM價格因供給短缺而以高角度上揚之賜,部分分析師預測南韓兩大存儲廠三星與SK海力士,今年半導體營業(yè)利潤可能年增5成,來到史無前例的25兆韓圓。 存儲市況從2016年6月觸底反彈后,從最低每單位1
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大陸存儲器的戰(zhàn)略布局
- 長江存儲成立后,大陸在這個階段于半導體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個關(guān)鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟不足導致研發(fā)無法完全自主而緩緩淡出之際,這樣的選擇需要一番辯證。進口替代當然是原因之一,但不是全部。 回歸基本面來看。半導體之所以為高科技是因為有摩爾定律,容許其不斷的制程微縮,而其經(jīng)濟效益也高度依賴摩爾定律。DRAM 在很長的一段時間里是半導體業(yè)的驅(qū)策技術(shù)(driving technology),也就是說DRAM的制程領(lǐng)導其它的半導體制程前進。半導體的先
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