nor flash 文章最新資訊

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設(shè)計

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計思想。該系統(tǒng)改進了FAT表和FRT表的存儲方式，延長了存儲器的使用壽命，提高了穩(wěn)定性。 NAND Flash存儲器是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，容易出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，同時在使用中可
關(guān)鍵字： FAT NAND Flash 存儲器通信嵌入式系統(tǒng) 嵌入式無線通信

07年第三季NAND Flash廠營收逼近39億美元

　　根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營收市占率報告指出，NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營收表現(xiàn)亮麗，逼近三十九億美元，比第二季增長了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長約30%;而就營收排行而言，三星(Samsung)如預(yù)期再度蟬連冠軍，東芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營收均有顯著的增長。　　　　由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器

NAND和NOR flash詳解

NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人
關(guān)鍵字： NAND NOR flash 集成電路存儲器

基于EDMA的TMS320C6713片外Flash自舉引導(dǎo)

著重描述了引導(dǎo)引腳以及相關(guān)寄存器的設(shè)置，分析了采用EDMA傳輸方式將代碼從Flash復(fù)制到DSP的過程，并對引導(dǎo)程序給出基于匯編語言的代碼實現(xiàn)。
關(guān)鍵字： Flash 引導(dǎo) 片外 TMS320C6713 EDMA 基于

單片機的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)設(shè)計

前言DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320C
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 FLASH 裝載系統(tǒng) DSP 單板計算機

C8051F的超大容量Flash存儲器擴展

　　摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，當前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機的數(shù)據(jù)存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。關(guān)鍵詞：NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲 C8051F 引言　　大容量數(shù)據(jù)存儲是單片機應(yīng)用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應(yīng)用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
關(guān)鍵字： NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲 C8051F MCU和嵌入式微處理器

TMS320C6713的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)設(shè)計

前言 DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 TMS320C6713 FLASH 中間件軟件庫

51內(nèi)核8位單片機MAX7651的開發(fā)環(huán)境

　　摘要：介紹一種基于四時鐘周期、高速8051內(nèi)核的混合信號8位單片機MAX7651。探討在開發(fā)基于MAX7651的應(yīng)用系統(tǒng)時所面臨的問題，并推薦相應(yīng)的解決方案。關(guān)鍵詞：MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期　　在全球8位單片機領(lǐng)域，英特爾（Intel）生產(chǎn)的MCS-51系列是毋庸質(zhì)疑的領(lǐng)導(dǎo)者。借助英特爾廣泛的授權(quán)行為，基于8051內(nèi)核的8位單片機兼容產(chǎn)品早已根深葉茂。Dallas Semicondu
關(guān)鍵字： MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期 MCU和嵌入式微處理器

基于NOR FLASH存儲器的嵌入式文件系統(tǒng)的設(shè)計

本文中，我們將以嵌入式操作系統(tǒng)WINCE為背景，來討論嵌入式手持移動終端中文件系統(tǒng)的實現(xiàn)。
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AVR單片機的RC5和RC6算法比較與改進

　　摘要：RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機功能強大，在無線數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用方面很有優(yōu)勢。本文基于Atmega128高速嵌入式單片機，實現(xiàn)RC5和RC6加密及解密算法，并對算法進行匯編語言的優(yōu)化及改進。根據(jù)實驗結(jié)果。對兩種算法的優(yōu)熱點進行比較和分析。關(guān)鍵詞：Atmega128 RC5 RC6 分組密碼混合密鑰 Flash 引言　　在無線局域網(wǎng)中，傳輸?shù)慕橘|(zhì)主要是無線電波和紅外線，任何具有接收能力的竅聽者都有可能攔截?zé)o線信道中的數(shù)據(jù)，掌握
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基于FPGA的NAND FLASH控制器

1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤、MP3播放器、數(shù)碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復(fù)雜，對時序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來很大的難度，于是就要求有一個控制器，使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)
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一種新型單片機MSC1210及其應(yīng)用

　　摘要：主要介紹內(nèi)核兼容8051的MSC1210單片機結(jié)構(gòu)特點，其高性能ADC、片內(nèi)存儲器以及Flash編程應(yīng)用等功能。關(guān)鍵詞：MSC1210 ADC PGA Flash 實際應(yīng)用系統(tǒng)往往需要進行高精度的測量，同時還必須進行實時快速控制，提高其開發(fā)效率。為此人們常采用高精度A/D芯片加帶ISP開發(fā)功能的單片機系統(tǒng)來實現(xiàn)。德州儀器（TI）的MSC1210單片機解決了上述問題。它集成了一個增強型8051內(nèi)核、高達33 MHz
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歐盟批準英特爾與意法半導(dǎo)體合并閃存業(yè)務(wù)

英特爾和意法半導(dǎo)體（STMicro）合并雙方閃存部門的計劃周一獲得了歐盟委員會的批準。該合并計劃得到了私募基金公司FranciscoPartners的支持。這筆交易將有助于合并后的公司實現(xiàn)規(guī)?；\營，解決閃存產(chǎn)品激烈的價格競爭，并可以使兩家公司擺脫這個給他們的利潤率帶來重壓的業(yè)務(wù)。雙方今年5月首次宣布了這樁交易。根據(jù)交易條款，意法半導(dǎo)體將向新成立的公司出售其閃存資產(chǎn)，英特爾將出售其NOR閃存資產(chǎn)及資源。做為交換，英特爾將得到合資企業(yè)45.1%的股權(quán)及4.32億美元現(xiàn)金，意法半導(dǎo)
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PISMO顧問委員會發(fā)布新2.0多媒體標準

致力于簡化系統(tǒng)級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問委員會近日宣布，PISMO 2.0多媒體標準已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應(yīng)商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿足手機和消費產(chǎn)品中存儲豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺上測試多種存
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英特爾閃存生產(chǎn)工藝將向65nm過渡

美國英特爾2007年8月21日宣布，NOR閃存生產(chǎn)工藝將向65nm過渡。計劃2008年上半年面向客戶供應(yīng)樣品。該公司的閃存主要面向手機及數(shù)字家電等產(chǎn)品。該公司表示，生產(chǎn)工藝向65nm過渡將有利于提高性價比。英特爾的閃存產(chǎn)品包括低成本產(chǎn)品“StrataFlash嵌入式存儲器”和“嵌入式閃存”以及串行產(chǎn)品“串行閃存”等。
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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]