nor flash 文章最新資訊

串行FLASH存儲器在小型LED顯示系統(tǒng)中的應(yīng)用系統(tǒng)分析

LED顯示屏由于其具有耗電少、使用壽命長、成本低、亮度高、故障少、視角大、可視距離遠(yuǎn)等特點(diǎn)，已經(jīng)成為新一代的信息傳播媒體工具。LED與LCD相比較最突出的特點(diǎn)是亮度高、成本低且屏幕尺寸可根據(jù)現(xiàn)場情況用標(biāo)準(zhǔn)LED單
關(guān)鍵字：顯示系統(tǒng) 應(yīng)用系統(tǒng) 分析 LED 小型 FLASH 存儲器串行

VxWorks從Flash BOOT的實(shí)現(xiàn)方法

　　引言　　美國WindRiver公司的實(shí)時(shí)嵌入式系統(tǒng)VxWorks和美國Motorola 公司MPC860系列處理器已經(jīng)廣泛的應(yīng) ...
關(guān)鍵字： VxWorks Flash BOOT

2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)市場存儲報(bào)告，由于經(jīng)濟(jì)形勢糟糕和泰國洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降，2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%。　　2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營業(yè)收入略有增長，從11.6億美元上升到11.7億美元，如圖2所示。　　第四季度NOR營業(yè)收入下降的主要原因，是10月泰國發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國的硬盤工廠，造成硬盤短缺，導(dǎo)致PC銷量下降。NOR營業(yè)收入減少的其它原因包括：在全球經(jīng)濟(jì)黯
關(guān)鍵字： NOR NAND

Flash單片機(jī)自編程技術(shù)介紹

Flash的可自編程性（Self-Programmability）是指，用Flash存儲器中的駐留軟件或程序?qū)lash存儲器進(jìn)行擦除/編程，但是，要求運(yùn)行程序代碼的存儲區(qū)與待編程的存儲區(qū)不在同一模塊中。因此，只有一個(gè)片上Flash存儲器模塊
關(guān)鍵字：介紹技術(shù) 編程單片機(jī) Flash

利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新,引言
嵌入式系統(tǒng)在各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開發(fā)者必須能夠針對系統(tǒng)進(jìn)行升級和維護(hù)，以延長系統(tǒng)的使用周期，
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 遠(yuǎn)程更新嵌入式實(shí)現(xiàn) NAND Flash 利用

基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計(jì)方案

基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計(jì)方案,摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法，并完成了設(shè)計(jì)和仿真。由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級，MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴(kuò)展，因此往往需要對最初的設(shè)計(jì)進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相
關(guān)鍵字：仿真器設(shè)計(jì) 方案在線 Flash MCU 內(nèi)部基于

一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計(jì)方法

摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法，并完成了設(shè)計(jì)和仿真。 ...
關(guān)鍵字：微控制器在線仿真開發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM

Flash存儲器Am29F040結(jié)構(gòu)分析

　Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器，主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù)，也就是開機(jī)后執(zhí)行閃存的程序，并在程序執(zhí)行的過程中實(shí)時(shí)地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。下面首先介紹Am29F040的特點(diǎn)和操作。Am29F040是采
關(guān)鍵字： Flash F040 040 29F

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)
關(guān)鍵字：存儲管理 TMS320F28x 實(shí)現(xiàn) Flash Nand 磨損均衡思想

并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用

并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用,摘要討論Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC開發(fā)中的4種不同用途。J3D Flash可以用于存儲FPGA配置比特流、可引導(dǎo)的軟處理器代碼、可直接執(zhí)行的軟處理器代碼
關(guān)鍵字：開發(fā) 應(yīng)用 SOPC Flash NOR 并行

基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計(jì)

基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計(jì),現(xiàn)今嵌入式存儲產(chǎn)品已滲透進(jìn)人們生活工作中的方方面面，從ATM 機(jī)到手持通訊設(shè)備。社會對嵌入式產(chǎn)品的性能也有越來越高的要求：大容量，高速度，斷電保護(hù)，體積限制等等。當(dāng)前數(shù)據(jù)記錄儀的容量和速度普遍偏小。本文旨
關(guān)鍵字：記錄儀設(shè)計(jì) 數(shù)據(jù) 高速 Flash 大容量基于

大容量FLASH在單片機(jī)臺標(biāo)系統(tǒng)中的應(yīng)用

1　引　言FLASH是一種兼有紫外線擦除EPROM和電可擦可編程只讀存儲器（E2PROM）兩者優(yōu)點(diǎn)的新型非易失存儲器。由于它可在線進(jìn)行電可擦除和編程，芯片每區(qū)可獨(dú)立擦寫至少10,000次以上，因而對于需周期性地修改被儲存的代
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 應(yīng)用臺標(biāo) 單片機(jī) FLASH 大容量

一種支持ISP的Flash在嵌入式設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

一種支持ISP的Flash在嵌入式設(shè)計(jì)中的應(yīng)用,引言在基于VxWorks的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)過程中，板卡支持包BSP(Board Support Package)的開發(fā)是非常重要而又閑難的一個(gè)環(huán)節(jié)。因?yàn)椴荒艽_定硬件系統(tǒng)是否正常丁作，而后續(xù)應(yīng)用開發(fā)都是以此為基礎(chǔ)。在實(shí)際開發(fā)中，為了提高開
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 應(yīng)用嵌入式 Flash ISP 支持

NAND Flash 在MSP430嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

摘要本文實(shí)現(xiàn)了大容量 NAND FLASH 在MSP430嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用，闡述了NAND FLASH 的使用方法，重點(diǎn)介紹了 ...
關(guān)鍵字： MSP430F149 Flash Memory 低功耗系統(tǒng)

μC/OS-II在DSP Flash存儲器中運(yùn)行的關(guān)鍵問題

μC/OS-II在DSP Flash存儲器中運(yùn)行的關(guān)鍵問題,引言　　在作為國家863計(jì)劃子項(xiàng)目挖掘機(jī)智能化控制系統(tǒng)的開發(fā)中，出現(xiàn)了智能化挖掘機(jī)軌跡控制系統(tǒng)不按照預(yù)先設(shè)定好的軌跡運(yùn)行和嵌入式實(shí)時(shí)多任務(wù)操作系統(tǒng)mu;C／OS-Ⅱ調(diào)度紊亂等失控問題。該智能化系統(tǒng)中采用了mu;C
關(guān)鍵字：關(guān)鍵問題運(yùn)行存儲器 DSP Flash C/OS-II

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]