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MOSFET晶體管在移相ZVS全橋直流-直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性: 設(shè)計考慮因素和實驗結(jié)果

- 摘要 – 近幾年來,開關(guān)電源市場對高能效、大功率系統(tǒng)的需求不斷提高,在此拉動下,設(shè)計人員轉(zhuǎn)向?qū)ふ译娔軗p耗更低的轉(zhuǎn)換器拓撲。PWM移相控制全橋轉(zhuǎn)換器就是其中一個深受歡迎的軟硬結(jié)合的開關(guān)電源拓撲,能夠在大功率條件下達取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開關(guān)管在零壓開關(guān)(ZVS)轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性。 1. 前言 零壓開關(guān)移相轉(zhuǎn)換器的市場定位包括電信設(shè)備電源、大型計算機或服務(wù)器以及其它的要求功率密度和能效兼?zhèn)涞碾娮釉O(shè)備。要想實現(xiàn)這個目標(biāo),就必須最大限度降低功率損耗和無功功率
- 關(guān)鍵字: MOSFET ZVS
MOSFET驅(qū)動及工作區(qū)的問題分析

- 問題1:最近,我們公司的技術(shù)專家在調(diào)試中發(fā)現(xiàn),MOSFET驅(qū)動電壓過高,會導(dǎo)致電路過載時,MOSFET中電流過大,于是把降低了驅(qū)動電壓到6.5V,之前我們都是在12V左右。這種做法感覺和您在文章里第四部份似乎很相似,這樣做可行么? 問題分析: 系統(tǒng)短路的時候,功率MOSFET相當(dāng)于工作在放大的線性區(qū),降低驅(qū)動電壓,可以降低跨導(dǎo)限制的最大電流,從而降低系統(tǒng)的短路電流,從短路保護的角度而言,確實有一定的效果。然后,降低驅(qū)動電壓,正常工作時候,RDSON會增大,系統(tǒng)效率會降低,MOSFET的溫度會升高,
- 關(guān)鍵字: MOSFET 芯片
淺談MOSFET驅(qū)動電路

- MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路?! ≡谑褂肕OSFET設(shè)計開關(guān)電源時,大部分人都會考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個好的設(shè)計方案。更細致的,MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET,其驅(qū)動電路,驅(qū)動腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會影響MOSFET的
- 關(guān)鍵字: MOSFET 驅(qū)動電路
功率器件心得——功率MOSFET心得
- 功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此,要求同時輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動負載,帶載能力要強?! 」β蔒OSFET是較常使用的一類功率器件?!癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫,譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安),用于功
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意法半導(dǎo)體提升車用40V MOSFET的噪聲性能和能效
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET? F7制造技術(shù),開關(guān)性能優(yōu)異,能效出色,噪聲輻射極低,耐誤導(dǎo)通能力強。新產(chǎn)品最大輸出電流達到120A,主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng),同時優(yōu)異的開關(guān)特性使其特別適用于電機驅(qū)動裝置,例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。 意法半導(dǎo)體的STripFET系列采用DeepGATE?技
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關(guān)于MOS管失效,說白了就這六大原因

- MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。 目前在市場應(yīng)用方面,排名第一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板、NB、
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OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷

- 英飛凌科技股份公司發(fā)布針對高能效設(shè)計和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專門針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應(yīng)用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達驅(qū)動、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流,以及太陽能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。 更環(huán)保的技術(shù) 英飛凌堅持不懈地研發(fā)適用于高能效設(shè)計的產(chǎn)品,以幫助減少全球二氧化碳排放
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 MOSFET
微芯有刷直流電機控制方案
- 有刷直流電機通過電刷進行換向。以下是關(guān)于有刷直流電機的一些關(guān)鍵點:典型的轉(zhuǎn)子(也就是電樞)上有繞組,并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開,從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機的定子(或外部機筒)將有
- 關(guān)鍵字: MOSFET 光學(xué)編碼器 PWM 有刷直流電機驅(qū)動器
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