nand-flash 文章 最新資訊
三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作
- 閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制訂工作,這種新一代閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達(dá)400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時(shí)候會(huì)完成該標(biāo)準(zhǔn)規(guī) 范的制定工作,另外也沒有說明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動(dòng)和消費(fèi)級電子類應(yīng)用。 現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結(jié)合在一起使用,接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND
爾必達(dá)赴臺設(shè)NAND Flash研發(fā)中心
- 據(jù)了解,日商爾必達(dá)已決定來臺設(shè)立研發(fā)中心,且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達(dá)來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣,未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。 據(jù)悉,爾必達(dá)與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局,但爾必達(dá)與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在,政府單位與爾必達(dá)互動(dòng)密切,爾必達(dá)已于日前向經(jīng)濟(jì)部遞出在臺設(shè)立研發(fā)中心的初步計(jì)劃書,經(jīng)濟(jì)部正進(jìn)行審查中。 官員透露,爾必達(dá)來臺設(shè)立研發(fā)中心的計(jì)劃相當(dāng)成熟,已進(jìn)入實(shí)質(zhì)合作內(nèi)容洽談中,研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動(dòng)態(tài)存儲器
- 關(guān)鍵字: TIMC NAND DRAM
亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場強(qiáng)力支撐
- 全球半導(dǎo)體市場需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機(jī)爆發(fā)前的水平,2010年5月半導(dǎo)體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看,含大陸在內(nèi)的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中,已成為全球半導(dǎo)體市場需求的強(qiáng)力支撐。然因市場對歐洲經(jīng)濟(jì)成長仍持疑慮,2010年秋季后市場需求動(dòng)態(tài)值得關(guān)注。 美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指出,金融危機(jī)爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元,而2010年5月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
SEMICON West來臨之際那些分析師說些什么?
- 編者點(diǎn)評:每年的SEMICON West時(shí),時(shí)間己經(jīng)過半,所以業(yè)界都會(huì)關(guān)心下半年與未來會(huì)是怎么樣。2010年半導(dǎo)體業(yè)可能十分亮麗,似乎已成定局。然而對于設(shè)備業(yè)看似今年的增長幅度達(dá)90%,但是許多設(shè)備公司仍是興奮不起來,因?yàn)?010年業(yè)績的增長仍顯不足于彌補(bǔ)之前的損失。而未來的前景有點(diǎn)模糊,增長點(diǎn)來自哪里?似乎誰也說不清楚。 SEMICON West美國半導(dǎo)體設(shè)備展覽會(huì)即將開幕,與去年全球IC下降不同,如今半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)有點(diǎn)紅火。 按市場調(diào)研公司 VLSI預(yù)計(jì),2010年半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)增長96%
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體設(shè)備 NAND DRAM
力晶聚焦NAND Flash 挑戰(zhàn)20納米
- 近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助,聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶,加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場,3方人馬點(diǎn)燃臺灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示,力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來投入新臺幣70億元,是臺灣血統(tǒng)最純正技術(shù),目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍晚1個(gè)世代,但若未來成功走向20納米制程,對臺灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。 事實(shí)上,力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
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TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口設(shè)計(jì)
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: TMS320C6201DSP 處理器 Flash
NAND閃存芯片價(jià)格三季度將上漲
- 據(jù)iSuppli稱,隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品,今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。 iSuppli高級半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說,當(dāng)市場供貨量緊張的時(shí)候,平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。 今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢。但是,智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件,從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 廠商產(chǎn)量不會(huì)由于超過了需求而進(jìn)行限制。但是,供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存芯片
因供不應(yīng)求 NAND 閃存芯片價(jià)格三季度將上漲
- 據(jù)iSuppli稱,隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品,今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。 iSuppli高級半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說,當(dāng)市場供貨量緊張的時(shí)候,平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。今年第二 季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢。但是,智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件,從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 廠商產(chǎn)量不會(huì)由于超過了需求而進(jìn)行限制。但是,供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
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controller_4G08的方案設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn)了FPGA對Flash的控制

- 本文設(shè)計(jì)了一個(gè)Flash控制器controller_4G08,它建立了自己的指令集,可以方便地實(shí)現(xiàn)FPGA對Flash的控制和讀寫操作。FPGA主狀態(tài)機(jī)可以在系統(tǒng)時(shí)鐘頻率下對controller_4G08發(fā)送指令,然后等待controller_4G08返回的中斷
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華邦:NOR Flash市場缺口達(dá)20%
- 華邦總經(jīng)理詹東義表示,NOR Flash市場供不應(yīng)求的情況仍然嚴(yán)重,估計(jì)市場缺口約20%,第3季的NOR Flash價(jià)格仍會(huì)持續(xù)調(diào)漲,甚至對于第4季營運(yùn)都相當(dāng)樂觀,尤其是華邦在客戶策略上,逐漸集中在一線客戶之后,受到全球景氣波動(dòng)的影響相對較小。 華邦表示,若扣除重覆下單(Double Booking),目前NOR Flash市場缺口約20%,華邦的優(yōu)勢在于質(zhì)量、成本和交期穩(wěn)定。目前對于NOR Flash產(chǎn)能的規(guī)劃,仍由目前的7,000片提升至年底1萬片水平,但預(yù)計(jì)這樣的產(chǎn)能水平仍無法滿足客戶需求
- 關(guān)鍵字: 華邦 NOR Flash
基于M25P32 SPI Flash的TFFS設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 本文對VxWorks下TFFS文件系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)和FTL層的啟動(dòng)過程、塊映射算法、垃圾回收算法以及用FTL創(chuàng)建DOSFS進(jìn)行了分析,給出了在M25P32 SPI Flash上創(chuàng)建TFFS文件系統(tǒng)和將TFFS掛在DOSFS的實(shí)現(xiàn)方法。通過對TFFS核心層FIL的分析給出的TFFS實(shí)現(xiàn)方法,可以從更基礎(chǔ)的層面來認(rèn)識VxWorks中的TFFS文件系統(tǒng),從而給TFFS文件系統(tǒng)的問題定位和實(shí)現(xiàn)帶來新的方法。
- 關(guān)鍵字: M25P32 Flash TFFS SPI
10個(gè)理由看好或看衰半導(dǎo)體業(yè)
- 至此,對于今年全球電子工業(yè)的看法是樂觀的,而且是有相當(dāng)大的增長。 但是作為一個(gè)編輯者仍有些擔(dān)憂,以下是對于2010年有10個(gè)理由來看好或者是看衰半導(dǎo)體業(yè)。 1. IC熱,然后冷 Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示,2010年全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2900億美元, 與2009年銷售額2280億美元相比增長27.1%。與Gartner之前在第一季度的預(yù)測,2010年增長19.9%相比有明顯提高。 芯片銷售額的增長明顯超過系統(tǒng)產(chǎn)品銷售額的增
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 DRAM NAND
nand-flash介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對nand-flash的理解,并與今后在此搜索nand-flash的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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