- 利用50-40nm的工藝制程節(jié)點，NAND閃存密度已達到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術。盡管位元密度強勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內。由于數字內容需要的增長，公司更加重視改進NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費者的需要。再加上存儲產品價格急劇下降，高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。
2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
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NAND 柵極感應 DDR MLC MLC
- 新華網首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產品銷量位列全球第一。
三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱，今年1至6月份，三星閃存產品銷售額達75.1億美元，占全球閃存市場的30%。
韓國海力士半導體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術公司和日本的爾必達內存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。
三星的成功主要源自NAND閃存產品的暢銷，第二季度該類產品銷售額達14.2億美元，占當季全球NAND閃存銷售的42.3%，
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三星 閃存 NAND DRAM
- 新華網首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產品銷量位列全球第一。
三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱，今年1至6月份，三星閃存產品銷售額達75.1億美元，占全球閃存市場的30%。
韓國海力士半導體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術公司和日本的爾必達內存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。
三星的成功主要源自NAND閃存產品的暢銷，第二季度該類產品銷售額達14.2億美元，占當季全球NAND閃存銷售的42.3%，
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三星 半導體 DRAM NAND
- 東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產品應用于移動數碼消費產品，包括手機和數碼相機，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產。隨著帶有控制器功能的存儲器需求不斷擴大，東芝已經采取行動使其在這個不斷擴大的市場上占領領先地位，東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位。
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東芝 NAND 閃存 嵌入式
- TDK 公司日前宣布開發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI，該產品計劃于九月份開始銷售。
GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，與2K字節(jié)/頁和4K字節(jié)/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元 （SLC） 和多級單元（MLC） NAND 閃存，實現了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)（SLC） 和256M字節(jié)到32G字節(jié)（MLC）的高速閃存存儲容量，因而該控制器適用的應用領域非常廣泛。此外，該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
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TDK NAND 閃存 控制器 LSI
- 據國外媒體報道，近日，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示，已與意法半導體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項為期五年的協(xié)議，拓展其在快速增長的NAND閃存領域的共同開發(fā)項目。
據國外媒體報道，根據協(xié)議內容，兩家公司將合作擴大NAND產品線，推出新產品和實現技術創(chuàng)新，從而應對未來五年NAND技術所面臨的挑戰(zhàn)。
根據協(xié)議內容，Hynix和Numonyx將共同開發(fā)技術項目，聯合提供領先的NAND存儲技術和產品，并進行資源整合以促
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NAND 閃存 Hynix 意法半導體 Numonyx
- 恒憶（Numonyx）今天宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議，在飛速增長的NAND閃存領域擴展聯合開發(fā)計劃。針對NAND技術在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家公司將擴大NAND產品線并共同研發(fā)未來產品，進行技術創(chuàng)新。
根據新協(xié)議，恒憶和海力士將擴大聯合開發(fā)的范圍，共同提供領先的NAND存儲器技術和產品，并且整合資源以加快未來NAND技術及解決方案的開發(fā)。在應用于手機多芯片封裝的移動DRAM領域，雙方也將進行合作。
恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示："未來五年，在
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- 微控制器廣泛應用于各種小型電器，隨著技術的發(fā)展，其不但價格低廉，而且功能越來越強大。由于家用電器、手持式消費電子產品、手持式通信裝置和車用電子等領域的市場推動，微控制器的使用量越來越大而且表現出了更新換代的趨勢。預計在未來的市場中，低階應用將會以8位微控制器為主，而高階應用將會由32位微控制器稱霸。當然，也有可能沖出一個比32位微控制器更強大的產品，如果能夠控制成本，則32位微控制器將面臨很快被淘汰的命運。不過就目前的情形來看，32位微控制器將在市場中活躍一陣子。其市場占有率將會逐漸上升，到2010年
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- 據我國臺灣省的一家媒體報道稱，三星對其客戶發(fā)出預警，因蘋果大量訂購NAND閃存芯片，預計這類芯片將在一段時間內缺貨。
當地時間本周三，《電子時報》報道稱，三星在對其客戶發(fā)出的預警中表示，蘋果最近向三星訂購了5000萬顆8Gb的NAND閃存芯片，計劃用于3G版iPhone上；想必大家都聽說此事了。因此三星的其它客戶需要等上一段時間后才能收到三星的發(fā)貨。三星是蘋果的固定供應商之一，兩家公司在2005年簽署了NAND閃存供貨合同。
蘋果這次訂購的NAND閃存芯片總容量相當于5000萬GB(8Gb
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- 【eNet硅谷動力消息】半導體工業(yè)協(xié)會公布月度報告顯示，今年五月份全球半導體的銷售收入從去年同期的203億美元增長了7.5%達到218億美元。受到全球消費電子產品銷售強勁和美國消費性支出好轉的推動，五月份半導體銷售收入比四月份增長了2.8%，四月份全球半導體銷售收入為212億美元。
數據顯示，在半導體銷售中，計算機是最大的終端市場。今年前五個月，全球半導體銷售收入達到1034億美元，比去年同期增長了5.3%。
半導體工業(yè)協(xié)會總裁George Scalise在一份聲明中表示，盡管有媒體報告了
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- 據外電報道，NAND Flash(閃存)制造廠制程技術持續(xù)不斷推進，集邦科技表示，各Flash制造廠自今年第四季起將陸續(xù)轉進30納米制程技術。
根據美光預估，今年全球NAND Flash市場可望增長至254億美元規(guī)模，除了目前一般數字影音播放器、UFD(通用串行總線閃存儲存驅動器)、記憶卡等應用外，也相當看好移動儲存市場的發(fā)展?jié)摿Α?
為降低生產成本，強化競爭力，NAND Flash制造廠持續(xù)不斷進行制程技術微縮，其中IM Flash陣營已宣示，34納米制程技術將于今年第四季投產。韓國三星電
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- 據iSuppli公司，市場對于容量高達1TB而且價格適中的存儲裝置的旺盛需求，正在經濟困難時期維持硬盤(HDD)產業(yè)的生存。
與NAND閃存芯片產業(yè)不同，HDD廠商一直能夠通過學習控制成本來抵抗經濟放緩和需求下滑的嚴重沖擊。另外，由于新應用程序占用的硬盤空間越來越大，PC也需要更大的存儲容量，這有利于硬盤產業(yè)。只要對存儲容量的需求保持增長，硬盤產業(yè)就能設法滿足需求。
出貨量保持兩位數增長率
2008年第一季度，硬盤廠商出貨量為1.37億個，比去年同期增長21%，大部分流向五個主要領域
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- 由于NAND閃存市場仍然充滿挑戰(zhàn)，iSuppli公司維持對供應商近期形勢的“負面”評級，并重申了對于2008年全球市場銷售額增長9%的預測。
美國經濟低迷導致消費需求減弱，NAND需求也出現下滑跡象，促使iSuppli公司去年11月首次對該市場作出負面評估。NAND閃存大量用于個人媒體播放器(PMP)、數碼相機和手機等消費電子產品之中，因此與其它存儲芯片相比受經濟形勢的影響更大。
這種評估得到了媒體報道與NAND供應商英特爾的業(yè)績預警的證實。英特爾在3月份警告稱，由
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- 6月24日消息，由于NAND閃存產業(yè)處于低迷時期，東芝計劃減少其NAND閃存芯片產量。
據國外媒體報道稱，東芝計劃停止在FlashVision制造NAND閃存。FlashVision是東芝與SanDisk的合資企業(yè)，該公司采用200毫米晶圓片生產閃存芯片。東芝將主要采用300毫米晶圓片生產NAND閃存芯片。
東芝將收購FlashVision的部分生產設備，并將它們用于該公司位于四日市或其它地方的工廠。FlashVision將把剩余的設備出售給第三方廠商。
東芝半導體公司首席執(zhí)行官兼東
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東芝 NAND 閃存 芯片
- 半導體產業(yè)是否進入了“無利潤繁榮”時代？半導體產業(yè)是否無法再獲得足夠的投資回報率來滿足空前高漲的產能需求？在美國加州HalfMoonBay舉行的“SEMI產業(yè)戰(zhàn)略座談會”（SEMIIndustryStrategySymposium）上，LamResearch總裁兼CEOStephenNewberry針對產業(yè)的狀態(tài)發(fā)表了觀點，并指出目前復雜的財務狀況用“無利潤繁榮”來描述是再合適不過的了。Newberry的講話被與會者評價為此次座談
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