nand flash 文章最新資訊

基于GPRS的遠(yuǎn)程心電實時監(jiān)護(hù)儀軟件系統(tǒng)設(shè)計

　　當(dāng)今社會，心臟疾病已嚴(yán)重影響了人們的生命安全，許多突發(fā)患者因得不到及時救治而使生命受到威脅。傳統(tǒng)的心電監(jiān)護(hù)設(shè)備限制了患者的自由，動態(tài)心電記錄儀（Holter）雖能便攜地記錄患者日?；顒訒r的心電數(shù)據(jù)，但是沒有實時監(jiān)護(hù)功能，對于危及生命的突發(fā)心臟病變幫助不大。　　無線通信技術(shù)的日漸成熟使便攜式心電實時監(jiān)護(hù)成為可能。利用GPRS無線數(shù)據(jù)通信技術(shù)，可將實時監(jiān)護(hù)功能與Holter結(jié)合起來。患者可以配戴監(jiān)護(hù)儀自由活動，同時可隨時隨地得到心電監(jiān)護(hù)。緊急情況發(fā)生時，患者掌握著可靠的求生路徑；而醫(yī)生可根據(jù)全面的心電
關(guān)鍵字： GPRS 遠(yuǎn)程監(jiān)護(hù)儀心電實時 Holter 單片機(jī) 電源 NAND Flash LCD GSM/GPRS無線通信

基于ARM9內(nèi)核Processor對外部NAND FLASH的控制實現(xiàn)

目前流行的ARM9 CPU中,沒有集成NAND FLASH的控制器,可以通過使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,實現(xiàn)對外部NAND FLASH的控制.實測結(jié)果顯示,用8 b I/O的NAND FLASH,在文件系統(tǒng)下讀/寫的速度為3 MB/s,擦除的速度為65 MB/s,滿足現(xiàn)在流行手持設(shè)備對Memory的要求.
關(guān)鍵字： Processor FLASH ARM9 NAND

NAND Flash毛利率不復(fù)當(dāng)年新帝全球裁員

　　受到NAND Flash價格直落影響，原本在快閃記憶卡產(chǎn)業(yè)執(zhí)牛耳地位的新帝(SanDisk)，日前無預(yù)警全球大裁員，這次裁員幅度約10分之1。目前以美國總部作為初步的縮減人力計劃區(qū)域，但其它地區(qū)包括亞洲在內(nèi)，不排除有進(jìn)一步縮減人力的計劃。　　事實上，新帝在2年前合并以色列儲存廠商msystems和近幾年面臨幾波NAND Flash大崩盤之后，新帝的營運組織就一直在改組，但這次是首度大規(guī)模裁員，也使得內(nèi)部員工人心惶惶。　　新帝的營運業(yè)務(wù)涵蓋上游NAND Flash生產(chǎn)制造、NAND Flash控
關(guān)鍵字： NAND Flash 記憶卡新帝 SanDisk

可管理NAND：適用于移動設(shè)備的嵌入式大容量存儲革

與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如，適用于大容量存儲的高性價比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機(jī)、MP3 播放器和數(shù)碼相機(jī)中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲裝置。
關(guān)鍵字： NAND 移動設(shè)備嵌入式大容量

一種在片上系統(tǒng)中實現(xiàn)Nand Flash控制器的方法

　　1　引　言　　Flash因為具有非易失性及可擦除性在數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、個人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用。自1989年東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)以來, Nand Flash以其相對于Nor Flash具有更小的體積,更快的寫入和擦除速度,更多次的可擦除次數(shù),以及更低廉的每bit價格得到了迅速發(fā)展。大容量的Nand Flash特別適合現(xiàn)在數(shù)碼設(shè)備中大數(shù)據(jù)量的存儲攜帶,可以降低成本,提高性能。　　ARM7TDMI是世界上廣泛使用的32位嵌入式RIS
關(guān)鍵字： Flash ARM SoC

DSP處理器與FLASH存儲器的接口設(shè)計

DSP與FLASH存儲器的接口設(shè)計是嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的一項重要技術(shù)，本文以基于三個C6201／C6701 DSP芯片開發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實時系統(tǒng)為例，介紹這一設(shè)計技術(shù)。
關(guān)鍵字： FLASH DSP 處理器存儲器

存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先公司協(xié)作創(chuàng)建 NAND 閃存標(biāo)準(zhǔn)接口

　　2008 年 4 月 24 日，北京訊日前，LSI 公司 (NYSE: LSI) 宣布加盟開放式 NAND 閃存接口 (ONFi) 工作組。該工作組由業(yè)界領(lǐng)先公司組成，致力于簡化 NAND 閃存在消費類電子產(chǎn)品、計算平臺以及工業(yè)系統(tǒng)中的集成。　　LSI 負(fù)責(zé)公司策劃與市場營銷的高級副總裁 Phil Brace 表示：“作為業(yè)界領(lǐng)先的供應(yīng)商，LSI不僅能為硬盤驅(qū)動器制造商提供集成電路，同時還可以面向全球領(lǐng)先服務(wù)器 OEM 廠商提供磁盤存儲系統(tǒng)與軟件，因此，完全能夠為 ONFi 計劃提供
關(guān)鍵字： LSI NAND ONFi

Spansion大力推行其革命性MirrorBit? ORNAND2? 架構(gòu)開發(fā)計劃

　　北京，2008年4月23日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（Nasdaq：SPSN）今天宣布在意大利米蘭設(shè)立其安全及先進(jìn)技術(shù)事業(yè)部（SATD）總部，以支持其革命性MirrorBit® ORNAND2™架構(gòu)及安全產(chǎn)品策略的開發(fā)計劃。該部門將負(fù)責(zé)Spansion各種不同閃存安全解決方案的開發(fā)工作，并將MirrorBit技術(shù)拓展到目前NAND所服務(wù)的應(yīng)用領(lǐng)域。　　Spansion執(zhí)行副總裁Carla Golla擔(dān)任該部門負(fù)責(zé)人，并招募了眾
關(guān)鍵字： Spansion 安全存儲 NAND

閃存新公司恒億負(fù)重前行?前景尚不…

?　　如果憑老東家的實力，新公司應(yīng)該讓人感覺很有希望。但是現(xiàn)實面臨兩個大的問題，其一是在專注的存儲器領(lǐng)域強手如林，新公司能否脫穎而出；其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。 ? ????全球頭號芯片供應(yīng)商英特爾與歐洲大廠STMicro合資新建的存儲器廠Numonyx，中文名叫恒憶公司，于2008年4月1日作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND(兩種存儲器類型)及內(nèi)置RAM（內(nèi)存）的存儲器，并利用新型相變移位
關(guān)鍵字：閃存恒億 RAM NOR NAND

恒憶?（NUMONYX）強勢進(jìn)軍存儲器市場

　　2008年4月1日，中國 – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲器，并利用新型相變移位存儲器（PCM）技術(shù)，為存儲器市場開發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲器解決方案。新公司憑借其雄厚實力和技術(shù)專長，在成立之初就成為存儲器市場的領(lǐng)先廠商，專注于存儲器開發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種消費電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。恒憶™將從非易失性存儲器
關(guān)鍵字： RAM NOR NAND DRAM MP3

透視 FPGA 的安全性

　　今天的設(shè)計人員已經(jīng)在許多不同的領(lǐng)域中選擇FPGA作為首選的解決方案。這些FPGA器件早已超越了原本作為原型設(shè)計工具的范疇，逐漸用于生產(chǎn)應(yīng)用中，尤其是消費電子和汽車電子等領(lǐng)域。據(jù)Gartner Dataquest市場研究公司指出，F(xiàn)PGA器件在汽車應(yīng)用中的使用規(guī)模從2002到2005年增加約七倍。　　這個增長在很大程度上是來自于FPGA本身的特點。由于象全球定位系統(tǒng) (GPS) 導(dǎo)航裝置和DVD播放機(jī)之類設(shè)備的產(chǎn)品壽命相對較短，因此縮短其開發(fā)周期變得非常重要?？删幊踢壿嫳憧蔀樵O(shè)計人員提供所需的靈活性
關(guān)鍵字： FPGA 汽車 Flash

HOLTEK新推出HT46F47E于A/D型Flash MCU

　　03/03/2008訊,HOLTEK半導(dǎo)體繼I/O型Flash MCU之后，推出A/D型Flash MCU HT46F47E。HT46F47E的程序內(nèi)存可以透過ISP (In-System-Programming) 接口直接對已制造好的產(chǎn)品進(jìn)行MCU程序內(nèi)存的燒錄，且燒錄次數(shù)可達(dá)十萬次，此項特性讓客戶能夠很容易地做產(chǎn)品的軟件更新，因而能夠縮短產(chǎn)品的上市時間，并可提供更好的售后服務(wù)。例如客戶可以在產(chǎn)品出貨前燒錄最新版的程序及調(diào)校參數(shù)，不需受限于燒錄次數(shù)；在產(chǎn)品售出后可以很方便地做軟件升級，提供更高的附加
關(guān)鍵字： Flash MCU

NAND市場增長放緩芯片廠欲推遲建廠計劃

　　日前，全球領(lǐng)先的閃存供應(yīng)商晟碟和東芝公司在日本簽署了一項合作協(xié)議，表示雙方將共同興建NAND閃存工廠(Fab5)，以應(yīng)對未來市場對NAND閃存的需求，該工廠預(yù)計將于2010年投產(chǎn)。　　市場研究公司AmericanTechnologyResearch分析師道格?弗里德曼(DougFreedman)表示：“我們相信大部分的投資者都希望Fab5工廠能夠于2009年就可以投產(chǎn)，因為現(xiàn)在的供求關(guān)系依然比較樂觀?！? 　　但是閃存供應(yīng)商們延遲其工廠興建計劃也再一次證明了NAN
關(guān)鍵字：閃存 NAND

ZigBee技術(shù) 無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點 MCl3192 LPC2138

　　摘要以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計和軟件設(shè)計，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。　　關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機(jī)嵌入式系統(tǒng) 　　1 NAND Flash和NOR Flash 　　閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點，被廣泛地應(yīng)用于手
關(guān)鍵字： NAND Flash uPSD3234A單片機(jī)嵌入式系統(tǒng)

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的應(yīng)用

以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同；介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計和軟件設(shè)計，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。
關(guān)鍵字： K9F1208 Flash 3234A NAND

共1485條 90/99 |‹ « 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 » ›|

nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]