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nand 閃存 文章 最新資訊

07年第三季NAND Flash廠營收逼近39億美元

  • 　　根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營收市占率報告指出，NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營收表現(xiàn)亮麗，逼近三十九億美元，比第二季增長了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長約30%;而就營收排行而言，三星(Samsung)如預(yù)期再度蟬連冠軍，東芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營收均有顯著的增長。 　　 　　由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
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IDC: 今年芯片銷售增速緩慢將促使08年猛增

  • 　　IDC在最新的《全球半導(dǎo)體市場預(yù)測》中預(yù)測，2007年全球芯片銷售收入增長速度放慢將為2008年的大增長奠定基礎(chǔ)。 　　據(jù)國外媒體報道，2007年全球芯片市場的增長速度將只有4.8%，2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預(yù)測，2008年的增長速度將達到8.1%。 　　報告指出，如果產(chǎn)能增長速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢，芯片市場的增長速度會更快。市場潮流是合并和收購，這可能會改變業(yè)界的競爭格局。 　　IDC負責《全球半導(dǎo)體市場預(yù)測》的項目經(jīng)理戈帕爾說，今年上半年芯片市場的供過于求降低了對各
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IC單位出貨量強勁 面臨廠商無利潤繁榮局面

  • 　　最近公布的數(shù)據(jù)顯示，2007年IC單位出貨量將增長10%，略高于市場調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計的8%。自2002年以來，IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強勁增長，正在推動總體產(chǎn)業(yè)需求，并使IC出貨量保持在高位。 　　1980年以來，IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長率，分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后，IC的單位出貨量增長速
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觸控面板告急 NAND Flash廠失良機原地嘆息

  • 　　iPodTouch面板供貨不及，大量出貨日期延后，NANDFlash廠最著急，NANDFlash價格反彈后繼無力。 　　據(jù)境外媒體報道，為迎圣誕買氣，各大NANDFlash廠商鉚足了勁，原本寄望因蘋果(Apple)iPodTouch成走紅圣誕禮物而大量出貨，借此將NANDFlash價格回升，然后，卻因iPodTouch的關(guān)鍵零組件觸控面板出現(xiàn)供貨不足，造成iPodTouch出貨量受限，繼而影響NANDFlash的出貨，真是急壞了NANDFlash廠商。 　　蘋果原計劃九月起開始出貨，但因沒有足夠的
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集成電路出貨量增長 廠商面臨無利潤繁榮局面

  • 　　最近公布的數(shù)據(jù)顯示，2007年IC單位出貨量將增長10%，略高于市場調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計的8%。自2002年以來，IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強勁增長，正在推動總體產(chǎn)業(yè)需求，并使IC出貨量保持在高位。 　　1980年以來，IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長率，分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后，IC的單位出貨量增長速
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報告:9月全球微芯片銷售收入同比增長5.9%

  • 　　據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SIA)周一稱，在PC和手機等消費電子產(chǎn)品需求的推動下，今年9月份全球微芯片銷售收入增長了5.9%。 　　9月份全球微芯片銷售收入從去年同期的213億美元增長到了226億美元。今年第三季度全球微芯片銷售收入增長6%，從去年同期的640億美元提高到了678億美元。 　　SIA總裁GeorgeScalise在聲明中稱，第三季度的全球銷售比今年第二季度增長了13.2%反映了為圣誕節(jié)假日銷售準備產(chǎn)品的傳統(tǒng)模式已經(jīng)開始。 　　消費電子產(chǎn)品的需求非常強勁。第三季度用于傳統(tǒng)消費電子產(chǎn)品的
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NAND和NOR flash詳解

  •       NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 　　相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人
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Spansion與中芯國際簽代工協(xié)議 任命Gary Wang為大中華區(qū)總裁

  •     10月24日，對Spansion和中芯國際來講都是一個重要的日子。Spansion公司宣布，為加強對中國市場的關(guān)注力度，Spansion已與中芯國際集成電路制造有限公司（中芯國際）展開合作，將向中芯國際轉(zhuǎn)讓65納米MirrorBit 技術(shù)，用于其在中國的300毫米晶圓代工服務(wù)。 中芯國際與Spansion還簽署了一項初步諒解備忘錄，將授權(quán)中芯國際為中國的與內(nèi)容發(fā)布相關(guān)的產(chǎn)品應(yīng)用市場制造和銷售90納米、65納米以及將來的Spansion M
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各類器件增長強勁 出貨量增長率預(yù)測調(diào)高

  • 　　據(jù)市場調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預(yù)測是增長8%。 　　ICInsights將調(diào)高增長率預(yù)測歸因于以下器件的出貨量強勁增長：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關(guān)的模擬IC(上升32%)。 　　ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長率達到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長，創(chuàng)下前所未有的強勁增長紀錄。 　　ICInsights認為，
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報告稱：07年全球集成電路出貨量將增長10%

  • 　　10月21日消息，據(jù)外電報道，市場研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長率從原來的8%提高到了10%。 　　這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強勁增長，如DRAM內(nèi)存出貨量增長49%，NAND閃存出貨量增長38%，接口集成電路出貨量增長60%，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長58%，汽車模擬集成電路出貨量增長32%。 　　ICInsights稱，如果2007年全球集成電路出貨量增長率達到10%或者更高，這將是連續(xù)第六年的兩位增長
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DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清

  • 　　現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后，暫時止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場方面，由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足，上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況，價格持續(xù)小幅上揚，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。 　　十月份合約市場相當清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠商甚至認為，倘若預(yù)期十一
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NAND閃存價格反彈 帶動八月芯片銷售增長

  • 根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SIA報告，2007年8月全球芯片銷售三月平均值達到215.2億美元，比2006年同期數(shù)字猛升4.9%。8月份銷售增長超過分析師預(yù)測，比2007年7月的三月平均銷售額206.1億美元增長4.5%。 SIA表示，增長歸因于NAND閃存供應(yīng)減少導(dǎo)致平均銷售價格反彈。8月份NAND閃存銷售價格比7月增長19%，與2006年8月相比增長48%。      SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節(jié)性增長帶來全球半導(dǎo)體銷售連續(xù)健
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Microchip推12款全新高性能8位閃存單片機

  • MicrochipTechnologyInc.(美國微芯科技公司)宣布推出12款全新的高性能、8位閃存單片機，其中包括該公司首款集成片上高速12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器外設(shè)的USB及LCD單片機系列。三個新產(chǎn)品系列共備有16種集成高分辨率片上模數(shù)轉(zhuǎn)換器的高性能PIC18單片機，擴展了Microchip通用PIC18F4523系列產(chǎn)品線并極大地豐富了客戶的選擇。      在這三個新產(chǎn)品系列中，PIC18F8723大容量存儲器通用系列提供豐富的外設(shè)集以及高達10MIPS
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東芝稱閃存芯片供不應(yīng)求 只能完成70%訂單

  • 東芝(Toshiba)半導(dǎo)體部門的CEO兼總裁ShozoSaito稱，東芝無法滿足對其NAND閃存芯片的需求，訂單已經(jīng)排到了12月份。  Saito表示，東芝只能滿足客戶訂單需求的70%。但是，東芝對NAND閃存芯片平均售價的前景并不樂觀。本周，Saito在接受采訪時說，目前有利的一面是需求相當強勁，我們計劃大幅度提高產(chǎn)量，滿足迅速增長的需求。  大多數(shù)的NAND閃存需求來自嵌入設(shè)備市場，其中包括MP3播放機、優(yōu)盤等產(chǎn)品，閃存卡只占需求很少的一部分。Saito說，東芝將專注于嵌入式設(shè)備
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中芯國際進軍閃存市場計劃遇到阻力

  • 　　據(jù)一名外國分析師透露，中國晶圓代工廠中芯國際集成電路制造有限公司(Semiconductor Manufacturing International Corp.，以下簡稱中芯國際)進軍閃存市場的計劃明顯遇到了阻力。 　　早在2005年的時候，以色列的賽芬半導(dǎo)體有限公司(Saifun Semiconductors Ltd.)曾透露和中芯國際簽訂了一份晶圓代工協(xié)議。在賽芬的幫助下，中芯國際公司去年決定進軍存儲卡市場。中芯國際擴充了專利授權(quán)范圍，獲得了使用氮氧化合物閃存技術(shù)的權(quán)利，目的是開發(fā)和生產(chǎn)存儲卡。
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nand 閃存介紹

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