mosfet 文章最新資訊

飛兆與英飛凌就創(chuàng)新型汽車無鉛封裝技術(shù)達成協(xié)議

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進汽車MOSFET封裝技術(shù)達成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標準的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
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英飛凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA

英飛凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA，壯大其車用功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案，可滿足最高汽車質(zhì)量認證標準AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其適用于混合動力汽車和純電動汽車的電池充電、直流/直流轉(zhuǎn)換器和HID(高強度放電)照明等諧振拓撲。
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電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇

DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種
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Power Trench MOSFET讓更高功率密度成可能

引言對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統(tǒng)意味著...
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飛兆與英飛凌簽署汽車級封裝工藝許可協(xié)議

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標準的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
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可編程大電流熱插拔控制

電路熱插拔控制的目的是為了在一塊正在工作的電路板上添加或“插入”一塊未通電的電路板，不會中斷原電路板正在進行的工作狀態(tài)，并且同時啟動添加到系統(tǒng)中的那塊電路板的有序上電。主要目的是為了當電流轉(zhuǎn)入一塊插入到“正在工作”或帶電的背板或其他電路的電路板時，保護MOSFET器件。
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MOSFET門極驅(qū)動電壓的優(yōu)化

在同步降壓電源應(yīng)用中,降低MOSFET導(dǎo)通電阻對同步整流器而言十分關(guān)鍵,因為多數(shù)情況下,快速恢復(fù)式整流電...
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電源測試之-MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

MOSFET的開關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開關(guān)過程“軟硬”程度的重要評估指標，MOSFET的軟硬程度對于開關(guān)電源的性能、...
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2016年LED照明領(lǐng)域大功率半導(dǎo)體市場將達30億美元

　　據(jù)市場研究機構(gòu)IMS Research的最新報告顯示，2016年，LED照明應(yīng)用領(lǐng)域的全球功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將超過30億美元。　　報告認為，隨著更高效照明需求的增長以及淘汰白熾燈的法令的頒布，LED照明市場快速增長，這將催生一個巨大的大功率LED潛在市場，到2016年，大功率LED出貨量將達190億個，總值超過30億美元。　　LED照明是大功率LED市場發(fā)展的最大機遇，到2016年將可帶動20億美元的功率半導(dǎo)體市場。市面上具有各種不同的電子設(shè)計、要求和規(guī)格的LED燈的產(chǎn)品范圍越來越廣，這也給大
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集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(四)

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能(上接第1
關(guān)鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅(qū)動器 MOSFET 集成

IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)

1引言開關(guān)電源中大功率器件驅(qū)動電路的設(shè)計一向是電源領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。普通大功率三極管和絕緣柵功...
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動光電耦合器脈沖變壓器

Alpha MOS在PFC應(yīng)用中的注意事項與設(shè)計要點

Super-junction類型的高壓功率MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，因此在通信電源，服務(wù)器電源，電源適配器以及臺式電腦電...
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[組圖]800瓦MOSFET功放

800瓦MOSFET功放功放適合大功率的AV場合，看看參數(shù)吧：頻響寬度：10HZ--100KHZ失真度（8歐姆100W輸出時）：0 ...
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Diodes MOSFET使電源供應(yīng)器超越“能源之星”效率目標

Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設(shè)計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅(qū)動二極管。同時，ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗，以及逾87%的滿載效率。
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功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機制及相應(yīng)仿真模型的基礎(chǔ)上，研究了無緩沖層MOSFET準靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結(jié)構(gòu)MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負
關(guān)鍵字：二維數(shù)值模擬能力 SEB MOSFET 功率

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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]