mos-fet 文章最新資訊

如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？

如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？-利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開(kāi)來(lái)設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。
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揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當(dāng)今的開(kāi)關(guān)電源設(shè)備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會(huì)對(duì)MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對(duì)電源設(shè)計(jì)工程師至關(guān)重要。
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MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
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拯救EMI輻射超標(biāo)，開(kāi)關(guān)電源能做點(diǎn)啥？

作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大；干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開(kāi)關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
關(guān)鍵字： EMI 開(kāi)關(guān)電源 MOS

為IC設(shè)計(jì)減少天線效應(yīng)

如同摩爾定律所述，數(shù)十年來(lái)，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級(jí)成長(zhǎng)。眾所周知，這種高速成長(zhǎng)的趨勢(shì)總有一天會(huì)結(jié)束，只是不知道當(dāng)這一刻來(lái)臨時(shí)，芯片的密度和性能到底能達(dá)到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級(jí)氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見(jiàn)的多種效應(yīng)變得原來(lái)越重要且難以控制，天線效應(yīng)便是其中之一。
關(guān)鍵字： IC設(shè)計(jì) 天線天線效應(yīng) 充電損害 MOS

DC-DC電路當(dāng)中同步與非同步的差異講解

在開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)當(dāng)中，電流的轉(zhuǎn)換分為很多種。其中直流轉(zhuǎn)換是較常見(jiàn)的一種設(shè)計(jì)。通常稱為DC-DC轉(zhuǎn)換，是指將一個(gè)電壓值轉(zhuǎn)化為另一個(gè)電壓值電能的裝置。直流轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)在開(kāi)關(guān)電源當(dāng)中非常常見(jiàn)，也是新手接觸比較多一種電路設(shè)計(jì)，本篇文章將為大家介紹這種電路當(dāng)中非同步與同步的區(qū)別。
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FET知識(shí)：采用結(jié)型FET實(shí)現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例

　　與之前介紹的晶體管放大電路相同，各級(jí)FET放大電路之間的連接也必須通過(guò)電容連接，以構(gòu)成CR的連接方式。此時(shí)，為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系，就需要偏置電路來(lái)提供柵極電壓。　　與晶體管放大電路的接地方式相同，結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式?！　∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路　　n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反。　　FET源極接地電路的功能，與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作，要求柵極和源極間的電壓VGS為
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使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路

該電路采用衰減場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)分流信號(hào)到地面。這個(gè)R2是用來(lái)控制輸出級(jí)(衰減等級(jí)),但是你可以用其他來(lái)源的電壓信號(hào)來(lái)控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負(fù)面的信號(hào)電壓會(huì)(你可以用DAC采用對(duì)稱與供電系統(tǒng))。使用FET...
關(guān)鍵字： FET 壓控衰減器

單片機(jī)設(shè)計(jì)注意要點(diǎn)

首先介紹一下這樣做的優(yōu)點(diǎn)：采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機(jī)滿足時(shí)序的要求，這樣單片機(jī)的工作電流可以變得更低，最重要的是VDD到VSS的電流峰值會(huì)更小。
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學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門(mén)之——二極管/晶體管/FET

　　導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體　　硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導(dǎo)體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過(guò)向其摻入雜質(zhì)來(lái)改變自由電子的數(shù)量，并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。　　　　根據(jù)電流流動(dòng)的構(gòu)造，可將半導(dǎo)體分為N型和P型兩類(lèi)。　　半導(dǎo)體的電流流通原理　　(1) N型半導(dǎo)體　　圖1是在硅晶
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高手詳解，MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)總結(jié)

　　在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。　　下面是我對(duì)MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。　　MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，
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恩智浦將分立器件與功率MOS業(yè)務(wù)出售給中國(guó)公司

　　半導(dǎo)體行業(yè)的重組還在繼續(xù)。恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)將把經(jīng)營(yíng)分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導(dǎo)體等產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén)出售給中國(guó)的投資公司(英文發(fā)布資料)。　　標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén)2015年財(cái)年的銷(xiāo)售額為12億美元，約占恩智浦總銷(xiāo)售額(61億美元)的2成。該部門(mén)約有員工1.1萬(wàn)名，約為恩智浦總員工數(shù)量(4.5萬(wàn))的2.5成。　　出售金額約為27.5億美元，購(gòu)買(mǎi)方是北京建廣資產(chǎn)管理有限公司(簡(jiǎn)稱“建廣資產(chǎn)”)與Wise Road Capital兩家
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【E問(wèn)E答】MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？

　　MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高?！　§o電放電形成
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一種簡(jiǎn)單的防短路的保護(hù)方法

　　前段時(shí)間開(kāi)發(fā)了一個(gè)產(chǎn)品，由單片機(jī)控制對(duì)負(fù)載供電，滿負(fù)載時(shí)基準(zhǔn)電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機(jī)輸出一個(gè)PWM信號(hào)控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時(shí)內(nèi)阻非常小，我們所用的型號(hào)約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時(shí)上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對(duì)于電源控制來(lái)說(shuō)是一種效果不錯(cuò)的器件?！　‰m然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過(guò)的電流也有最大限制，如果電流過(guò)大，比如外接負(fù)載短路，同樣會(huì)被燒毀。短路都是非正常工
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí)

　　我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類(lèi)很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管.　　1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管擊穿　　由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗非常高，這本來(lái)是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來(lái)新的問(wèn)題.由于輸入阻抗高，當(dāng)帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí)，在柵極感應(yīng)出來(lái)的
關(guān)鍵字：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOS