- 全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術的ZETA清洗系統擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估?？蛻魧χ圃爝^程中無灰化光刻膠剝離法、實現用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
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FSI 半導體 NAND
- 3月21日消息，內存廠商預計Windows 7的將推動NAND閃存芯片的需求，因為這種新的操作系統為利用固態(tài)硬盤進行了優(yōu)化。在當前的市場不確定的情況下，優(yōu)化固態(tài)硬盤以便適應Windows 7已經成為固態(tài)硬盤廠商和筆記本電腦廠商的重點。
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閃存 NAND 芯片
- 集邦科技(DRAMeXchange)表示，2月下旬NAND Flash(閃存)合約價格呈現上揚，現貨價格方面卻已經開始下跌；然而，目前現貨市場仍處于多空未明狀態(tài)，觀望氣氛濃厚，買家不敢貿然搶進。
集邦表示，2月下旬主流MLC NAND Flash合約均價約上漲8%到36%，SLC合約價則維持平盤，價格上漲的主要原因是今年首季國際大
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集邦 NAND Flash
- 市調機構DRAMeXchange指出，2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年營收排名出爐，SAMSUNG以46億1千4百萬美元，市占率為40.4％，蟬聯第一寶座 觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場變化，2007年品牌廠商全年營收約為133億6千8百萬美元，2008年則為114億1千8百萬美元，年營收下跌14.6％，2008年平均銷售價格較2007年下跌63％。
Toshiba以全年營收為32億5百萬美元，市占率28.1％排名居次，比2007年的
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三星 NAND
- 12月25日消息，據臺灣媒體報道，NAND Flash12月下旬合約價出爐，終止先前下跌趨勢，至少都以平盤以上開出，主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上，隨價格回穩(wěn)走揚，將有助創(chuàng)見、威剛、群聯等模組業(yè)者降低庫存跌價損失壓力。
業(yè)者指出，這次NAND Flash價格止跌回穩(wěn)，主要是反應日本東芝與韓國海力士減產效益，隨晶片廠對力保價格不跌有了堅定共識，也意味NAND Flash回穩(wěn)態(tài)勢已逐步確立。
根據集邦科技昨日最新報價，NAND Flash12月下旬合約價都以平盤以上開出，其中以16Gb主流規(guī)格
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NAND
- 東芝宣布，削減30%的閃存芯片產量，以應對需求降低，庫存增加的考驗。
東芝還說，位于日本四日市的四家工廠本月將停工17天，以降低內存卡與MP3播放器的產量。
東芝在一份聲明中說：“全球經濟不景氣以及消費低迷正在對半導體需求產生嚴重沖擊。尤其是NAND閃存芯片，由于使用這種芯片的MP3播放器供應過剩，其需求大幅下降。東芝慎重考慮了這種情形，決
定降低四日市工廠的產量。”
東芝在四日市有兩家300毫米晶圓工廠以及兩家200毫米晶圓工廠。300毫米晶圓廠將停工
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NAND
- 國務院發(fā)展研究中心國際技術經濟所研究員吳康迪
遵循“摩爾定律”的指引，全球半導體巨頭正邁向32納米工藝；不過，其研發(fā)策略卻各不相同。
全球32納米芯片微細技術開發(fā)主要有3個陣營，參加單位數目最多的是IBM陣營，其次是英特爾公司，第三是日本公司，此外還有中國臺灣地區(qū)的臺積電、歐洲比利時微電子中心IMEC等。
英特爾技術業(yè)界領先
2007年9月，英特爾公司領先業(yè)界在“開發(fā)者論壇”首次展出了32納米工藝的測試
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32納米 英特爾 NAND
- 北京時間12月16日消息，據國外媒體報道，日本東芝與美國SanDisk公司周二表示，因全球經濟下滑，打擊數碼相機和便攜式音樂播放器的芯片需求，1月起將減少NAND快閃記憶體(閃存)30%產量。
需求重挫加上產能過剩，造成半導體價格直落，令東芝芯片業(yè)務上半會計年度出現虧損。
首爾HI投資證券分析師Song Myung-sup認為：“東芝與SanDisk減產是項利好消息，但因為整體市場需求疲弱，單單如此還不足以提振NAND的價格。在出現復蘇前得先清出庫存，而這要有需求才能帶動。&r
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NAND
- 北京時間12月16日消息，據國外媒體報道，日本東芝與美國SanDisk公司周二表示，因全球經濟下滑，打擊數碼相機和便攜式音樂播放器的芯片需求，1月起將減少NAND快閃記憶體(閃存)30%產量。
需求重挫加上產能過剩，造成半導體價格直落，令東芝芯片業(yè)務上半會計年度出現虧損。
首爾HI投資證券分析師Song Myung-sup認為：“東芝與SanDisk減產是項利好消息，但因為整體市場需求疲弱，單單如此還不足以提振NAND的價格。在出現復蘇前得先清出庫存，而這要有需求才能帶動。&r
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NAND 東芝 SanDis
- 12月15日消息，市場研究公司Gartner發(fā)布了它預測的2008年10大芯片廠商排行榜。英特爾將連續(xù)第17年排名第一位。
英特爾2008年的芯片市場份額預計將提高到13.1%。高通是10大芯片廠商中增長速度最快的廠商，因為高通2008年的芯片銷售收入增長了15%。
海力士半導體將是10大芯片廠商中銷售收入下降最多的廠商，因為海力士半導體2008年的芯片銷售收入下降了29.7%。海力士半導體是受NAND閃存和DRAM內存芯片價格下跌影響最嚴重的公司之一。由于供過于求，這兩種芯片的價格在20
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英特爾 NAND
- 近幾年，數字音頻市場發(fā)展非常迅速。獨立式音頻與多媒體播放器近幾年已成為數字音頻市場的主流。數以百萬計的消費者都在想辦法將其便攜式播放器與家用音響和車載立體聲音響進行最佳連接。這激勵著目前的家用和車載音頻設備廠商為迎接數字時代的到來而開始準備他們的HiFi系統。為了滿足人們對播放器不斷提高的要求，市場上也出現了大量芯片或芯片組。但這些進入數字音頻市場的芯片往往有很多缺陷，問題就出在合適處理硬件的選擇方面。
傳統解決方案
有些廠商試圖將計算機的一些組件用于音頻或多媒體播放器。盡管這些組件在一臺
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數字音頻 ASIC NAND
- 據國外媒體報道，全球經濟放緩以及信貸危機蔓延導致芯片需求降低，同時也對芯片制造廠商的運營產生了影響。因此，各大芯片制造商都紛紛關閉產量較少的工廠、延緩投資項目，有的甚至展開裁員以應對市場的不景氣。
接下來的幾個月對于亞洲、歐洲和美國的幾家存儲芯片制造商而言將會至關重要。因為他們需要面臨不斷萎縮的芯片需求以及芯片價格的不斷下滑，有些存儲芯片的售價甚至已經低于廠商的生產成本。
全球經濟的萎靡不振已經使得幾家大型DRAM芯片和NAND閃存芯片制造商出現了虧損，同時使得其償債能力和新技
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芯片制造 DRAM NAND
- 據市場調研公司Gartner的最新報告，由于DRAM市場仍然受渠道庫存過多所累，且PC需求放緩，現貨價格連續(xù)第12周下滑，1-Gb DDR2目前報價是1.00美元。一年以前，1-Gb DDR2的價格高于2.60美元，但從那時到現在已累計下跌了62%。
與前一周相比，全部DRAM的平均現貨價格跌4.3%。Gartner在報告中指出：“為假日季節(jié)備貨的時間僅剩五周，2008年第四季度在沒有重大因素的影響下變盤的可能性是零。從需求角度來看，2009年第一季度形勢比較疲軟，因此，如果廠商
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DRAM NAND PC
- 2008 年 11 月 6 日，瑞典斯德哥爾摩和日本東京多核博覽會 - 世界領先的網絡軟件和服務提供商 Enea? (Nordic Exchange/Small Cap/ENEA) 今天宣布推出 5.4 版 Enea OSE? 實時操作系統。從基于 PowerPC 的 Freescale MPC8641D 和 MPC8572DS 處理器開始，OSE 5.4 版增加了對多核 CPU 的對稱多處理 (SMP) 支持。此外，OSE 5.4 還提供一些重要功能，包括支持動態(tài)加載模塊的新型按需分頁程序，以及支持
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NAND 對稱多處理 MPC8572DS
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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