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mini-mos 文章 最新資訊

MOS 管的死區(qū)損耗計算

  • MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經常是成對出現，習慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET　為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同時導通，就會導致電源短路，ＭOS 管會損壞，甚至時電源損壞，這種損壞是災難行動，必須避免．由于MOS 的開通和關斷都是有時沿的，為了避免上管和下管同時導通，造成短路現象，從而引入了死區(qū)的概念，也就是上下管同時關斷的區(qū)間，如圖Figure2 中的E 和 F.死區(qū)E---tDf: 上
  • 關鍵字： MOS 管  逆變電路  

超高壓MOS在變頻器上的應用

  • 一、變頻器的定義及應用領域 變頻器的定義變頻器是應用變頻技術與微電子技術，通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設備。變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流變交流）、制動單元、驅動單元、檢測單元、微處理單元等組成。變頻器的應用領域鋼鐵、軋鋼制線、電力、石油、造紙業(yè)等。變頻器的作用1、調整電機的功率，實現電機的變速運行，達到省電的目的。2、降低電力線路中電壓的波動，避免一旦電壓發(fā)生異常而導致設備的跳閘或者出現異常運行的現象。3、減少對電網的沖擊，從而有效地減少無功損耗，增
  • 關鍵字： RS瑞森半導體  MOS  變頻器  

LED廠今年營運轉晴

  • LED廠歷經景氣谷底，隨著終端庫存逐步去化、疫后客戶釋單意愿提升，2024年表現可望優(yōu)于2023年，綜觀各家LED廠召開的法說會，確認谷底已過，2024年首季雖有工作天數減少的干擾，惟從全年度來看，億光、宏齊、艾笛森、湯石、立碁、弘凱、華興等廠商，今年營運可望回溫。尤其在車用產品上，包括Mini LED背光、顯示、感測等相關需求隨著EV、汽車電子化滲透率拉高，包括億光、榮創(chuàng)車用產品2024年均有機會挑戰(zhàn)雙位數成長；弘凱車用光源營收比重已站上5成，隨著2023年11月營收寫下2022年5月以來單月新高，上季
  • 關鍵字： LED  Mini LED  

BOE(京東方)攜手聯(lián)想重磅發(fā)布兩款4K主動式玻璃基Mini LED顯示器

  • BOE(京東方)攜手聯(lián)想重磅發(fā)布兩款4K主動式玻璃基Mini LED顯示器 定義Mini LED顯示器畫質新標準
  • 關鍵字： BOE  京東方  主動式玻璃基  Mini LED  

高壓MOS/低壓MOS在單相離線式不間斷電源上的應用

  • 單相離線式不間斷電源只是備援性質的UPS，市電直接供電給用電設備再為電池充電，一旦市電供電品質不穩(wěn)或停電時，市電的回路會自動切斷，電池的直流電會被轉換成交流電接手供電的任務，直到市電恢復正常。UPS只有在市電停電了才會介入供電，不過從直流電轉換的交流電是方波，只限于供電給電容型負載，如電腦和監(jiān)視器等。一、前言 單相離線式不間斷電源只是備援性質的UPS，市電直接供電給用電設備再為電池充電，一旦市電供電品質不穩(wěn)或停電時，市電的回路會自動切斷，電池的直流電會被轉換成交流電接手供電的任務，直到市電恢復正
  • 關鍵字： MOS  

全球電視出貨 恐創(chuàng)十年低點

  • 全球電視市場出貨量衰退，群智咨詢（Sigmaintell）預估，2023年全球電視市場出貨規(guī)模下滑至2.15億臺、年減2.5％，創(chuàng)近十年歷史低點。隨著經濟溫和復蘇，再加上大型運動賽事帶動，預期2024年電視出貨量和出貨面積，將雙雙恢復成長。群智咨詢指出，全球高通膨影響消費力，2023年上半年全球電視產品需求低階化趨勢明顯，OLED／Mini LED背光電視出貨不如預期，為品牌經營帶來壓力。此外，面板價上漲讓電視品牌陷入虧損，使下半年策略轉保守。從幾個主要品牌的策略來看，三星電子產品方向轉向多元化，預計將會
  • 關鍵字： 電視  OLED  Mini LED  

獲FDA核準的Accurate Mini血壓計選用Enovix電池

  • 先進硅電池公司Enovix近日宣布其標準物聯(lián)網及可穿戴裝置尺寸電池獲精準醫(yī)電股份有限公司（Accurate Meditech）選用，Accurate Mini血壓計已通過美國FDA Class II核準以非處方器材于醫(yī)療通路販賣，和其他可穿戴血壓計相比，其最大特點為“使用前不需校準”，使用方式與傳統(tǒng)電子血壓計相同。Accurate Mini可持續(xù)不斷地監(jiān)測血壓、脈搏和其他生命特征。精準醫(yī)電于2023年6月獲得FDA許可。搭配Enovix的電池，Accurate Mini預計充電一次可持續(xù)使用4個月的時間，
  • 關鍵字： Accurate Mini  血壓計  Enovix  電池  

Gurman：配備M3芯片的高端MacBook Pro和Mac Mini將于明年推出

  • 7 月 23 日消息，據彭博社的記者 Mark Gurman 稱，蘋果公司計劃在今年十月份發(fā)布搭載 M3 芯片的新款 Mac 電腦，但 Mac mini 和高端 MacBook Pro 機型不在首批推出的名單之內。Gurman 在最新一期的“Power On”時事通訊中稱，蘋果公司正在開發(fā) M3 版本的 Mac mini，但蘋果并不急于推出該產品，可能要到明年底或更晚才能上市。同樣，新款 14 英寸和 16 英寸的 MacBook Pro 機型也不會在今年十月份搭載 M3 芯片推出，而是后續(xù)會使用 M3
  • 關鍵字： Gurman  M3  MacBook Pro  Mac Mini  

耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產品

  • 功率MOSFET最常用于開關型應用中，發(fā)揮著開關的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零時，功率MOSFET需要作為?！伴_”開關運行。在VGS=0V時作為常 "開 "開關的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關型應用中，發(fā)揮著開關的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零
  • 關鍵字： MOSFET  MOS  

如何在電源上選擇MOS管

  • 在開關電源應用MOS管的時候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。在開關電源應用MOS管的時候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。那么柵極電荷和導通阻抗很重要，這都是對電源的效率有直接的影響，主要是傳導損耗和開關損耗。還有在電源中第二重要的是MOS管參數包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。用于針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOS管在ORing F
  • 關鍵字： MOS  

BOE（京東方）攜手創(chuàng)維推出行業(yè)首款主動式玻璃基Mini LED顯示器

  • 近日，創(chuàng)維D80行業(yè)首款主動式玻璃基Mini LED顯示器重磅上市，實現千級物理背光分區(qū)精準控光，以強悍硬件性能、突破性的高刷創(chuàng)作加持和人性化體驗設計，強勢填補當前專業(yè)設計顯示器市場空白。作為行業(yè)首款支持高刷的專業(yè)設計顯示器產品，創(chuàng)維D80搭載了由BOE（京東方）三大顯示技術品牌之一α-MLED賦能的31.5英寸顯示屏，并憑借極致畫質表現、超高刷新率、健康驅動無屏閃等多項行業(yè)領先的技術，定義了Mini LED顯示器畫質新標準，為高端MLED顯示產品的技術突破添上了濃墨重彩的一筆，全面彰顯了“三十而立”的B
  • 關鍵字： BOE  京東方  創(chuàng)維  主動式玻璃基  Mini LED  

功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？

  • 學習模擬電子技術基礎，和電子技術相關領域的朋友，在學習構建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？學習模擬電子技術基礎，和電子技術相關領域的朋友，在學習構建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？首先我們明確一下二者的概念三極管：全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控
  • 關鍵字： 功率放大器  MOS  

短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

  • MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內的封裝密度。這導致氧化物厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關重要。MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內的封裝密度。這導致氧化物厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關重要。在我們嘗試了解各種漏電流成
  • 關鍵字： MOS  晶體管  

減少對三星的依賴，蘋果在 microLED 面板技術上已投資 10 億美元

  • IT之家 5 月 18 日消息，根據 Nikkei 報道，蘋果在過去十年時間里，已累計投資至少 10 億美元（IT之家備注：當前約 70 億元人民幣），研發(fā) microLED 技術。報道中指出蘋果的研發(fā)并不順利，尤其在自產 microLED 面板上存在巨大挑戰(zhàn)。這主要是因為控制 microLED 面板的芯片，其面積是 LED 面板芯片的百分之一。蘋果通過其成熟的供應鏈來幫助推進 microLED 面板落地，IT之家從報道中獲悉，歐司朗（ams-Osram）等供應商合作開發(fā) microL
  • 關鍵字： Apple  三星  mini-LED  

功率MOS管損壞的典型

  • 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現象。在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引
  • 關鍵字： MOS  
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