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MOS 管的死區(qū)損耗計(jì)算

MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn)，習(xí)慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET　為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同時(shí)導(dǎo)通，就會(huì)導(dǎo)致電源短路，ＭOS 管會(huì)損壞，甚至?xí)r電源損壞，這種損壞是災(zāi)難行動(dòng)，必須避免．由于MOS 的開通和關(guān)斷都是有時(shí)沿的，為了避免上管和下管同時(shí)導(dǎo)通，造成短路現(xiàn)象，從而引入了死區(qū)的概念，也就是上下管同時(shí)關(guān)斷的區(qū)間，如圖Figure2 中的E 和 F.死區(qū)E---tDf: 上
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超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用

一、變頻器的定義及應(yīng)用領(lǐng)域變頻器的定義變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù)，通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動(dòng)機(jī)的電力控制設(shè)備。變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流變交流）、制動(dòng)單元、驅(qū)動(dòng)單元、檢測單元、微處理單元等組成。變頻器的應(yīng)用領(lǐng)域鋼鐵、軋鋼制線、電力、石油、造紙業(yè)等。變頻器的作用1、調(diào)整電機(jī)的功率，實(shí)現(xiàn)電機(jī)的變速運(yùn)行，達(dá)到省電的目的。2、降低電力線路中電壓的波動(dòng)，避免一旦電壓發(fā)生異常而導(dǎo)致設(shè)備的跳閘或者出現(xiàn)異常運(yùn)行的現(xiàn)象。3、減少對電網(wǎng)的沖擊，從而有效地減少無功損耗，增
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LED廠今年?duì)I運(yùn)轉(zhuǎn)晴

LED廠歷經(jīng)景氣谷底，隨著終端庫存逐步去化、疫后客戶釋單意愿提升，2024年表現(xiàn)可望優(yōu)于2023年，綜觀各家LED廠召開的法說會(huì)，確認(rèn)谷底已過，2024年首季雖有工作天數(shù)減少的干擾，惟從全年度來看，億光、宏齊、艾笛森、湯石、立碁、弘凱、華興等廠商，今年?duì)I運(yùn)可望回溫。尤其在車用產(chǎn)品上，包括Mini LED背光、顯示、感測等相關(guān)需求隨著EV、汽車電子化滲透率拉高，包括億光、榮創(chuàng)車用產(chǎn)品2024年均有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)雙位數(shù)成長；弘凱車用光源營收比重已站上5成，隨著2023年11月營收寫下2022年5月以來單月新高，上季
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BOE(京東方)攜手聯(lián)想重磅發(fā)布兩款4K主動(dòng)式玻璃基Mini LED顯示器

BOE(京東方)攜手聯(lián)想重磅發(fā)布兩款4K主動(dòng)式玻璃基Mini LED顯示器定義Mini LED顯示器畫質(zhì)新標(biāo)準(zhǔn)
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高壓MOS/低壓MOS在單相離線式不間斷電源上的應(yīng)用

單相離線式不間斷電源只是備援性質(zhì)的UPS，市電直接供電給用電設(shè)備再為電池充電，一旦市電供電品質(zhì)不穩(wěn)或停電時(shí)，市電的回路會(huì)自動(dòng)切斷，電池的直流電會(huì)被轉(zhuǎn)換成交流電接手供電的任務(wù)，直到市電恢復(fù)正常。UPS只有在市電停電了才會(huì)介入供電，不過從直流電轉(zhuǎn)換的交流電是方波，只限于供電給電容型負(fù)載，如電腦和監(jiān)視器等。一、前言單相離線式不間斷電源只是備援性質(zhì)的UPS，市電直接供電給用電設(shè)備再為電池充電，一旦市電供電品質(zhì)不穩(wěn)或停電時(shí)，市電的回路會(huì)自動(dòng)切斷，電池的直流電會(huì)被轉(zhuǎn)換成交流電接手供電的任務(wù)，直到市電恢復(fù)正
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全球電視出貨恐創(chuàng)十年低點(diǎn)

全球電視市場出貨量衰退，群智咨詢（Sigmaintell）預(yù)估，2023年全球電視市場出貨規(guī)模下滑至2.15億臺(tái)、年減2.5％，創(chuàng)近十年歷史低點(diǎn)。隨著經(jīng)濟(jì)溫和復(fù)蘇，再加上大型運(yùn)動(dòng)賽事帶動(dòng)，預(yù)期2024年電視出貨量和出貨面積，將雙雙恢復(fù)成長。群智咨詢指出，全球高通膨影響消費(fèi)力，2023年上半年全球電視產(chǎn)品需求低階化趨勢明顯，OLED／Mini LED背光電視出貨不如預(yù)期，為品牌經(jīng)營帶來壓力。此外，面板價(jià)上漲讓電視品牌陷入虧損，使下半年策略轉(zhuǎn)保守。從幾個(gè)主要品牌的策略來看，三星電子產(chǎn)品方向轉(zhuǎn)向多元化，預(yù)計(jì)將會(huì)
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獲FDA核準(zhǔn)的Accurate Mini血壓計(jì)選用Enovix電池

先進(jìn)硅電池公司Enovix近日宣布其標(biāo)準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)及可穿戴裝置尺寸電池獲精準(zhǔn)醫(yī)電股份有限公司（Accurate Meditech）選用，Accurate Mini血壓計(jì)已通過美國FDA Class II核準(zhǔn)以非處方器材于醫(yī)療通路販賣，和其他可穿戴血壓計(jì)相比，其最大特點(diǎn)為“使用前不需校準(zhǔn)”，使用方式與傳統(tǒng)電子血壓計(jì)相同。Accurate Mini可持續(xù)不斷地監(jiān)測血壓、脈搏和其他生命特征。精準(zhǔn)醫(yī)電于2023年6月獲得FDA許可。搭配Enovix的電池，Accurate Mini預(yù)計(jì)充電一次可持續(xù)使用4個(gè)月的時(shí)間，
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Gurman：配備M3芯片的高端MacBook Pro和Mac Mini將于明年推出

7 月 23 日消息，據(jù)彭博社的記者 Mark Gurman 稱，蘋果公司計(jì)劃在今年十月份發(fā)布搭載 M3 芯片的新款 Mac 電腦，但 Mac mini 和高端 MacBook Pro 機(jī)型不在首批推出的名單之內(nèi)。Gurman 在最新一期的“Power On”時(shí)事通訊中稱，蘋果公司正在開發(fā) M3 版本的 Mac mini，但蘋果并不急于推出該產(chǎn)品，可能要到明年底或更晚才能上市。同樣，新款 14 英寸和 16 英寸的 MacBook Pro 機(jī)型也不會(huì)在今年十月份搭載 M3 芯片推出，而是后續(xù)會(huì)使用 M3
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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為?！伴_”開關(guān)運(yùn)行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零
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如何在電源上選擇MOS管

在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時(shí)候，在很多電源設(shè)計(jì)人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗(yàn)證。在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時(shí)候，在很多電源設(shè)計(jì)人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗(yàn)證。那么柵極電荷和導(dǎo)通阻抗很重要，這都是對電源的效率有直接的影響，主要是傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。還有在電源中第二重要的是MOS管參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。用于針對N+1冗余拓?fù)涞牟⑿须娫纯刂频腗OS管在ORing F
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BOE（京東方）攜手創(chuàng)維推出行業(yè)首款主動(dòng)式玻璃基Mini LED顯示器

近日，創(chuàng)維D80行業(yè)首款主動(dòng)式玻璃基Mini LED顯示器重磅上市，實(shí)現(xiàn)千級(jí)物理背光分區(qū)精準(zhǔn)控光，以強(qiáng)悍硬件性能、突破性的高刷創(chuàng)作加持和人性化體驗(yàn)設(shè)計(jì)，強(qiáng)勢填補(bǔ)當(dāng)前專業(yè)設(shè)計(jì)顯示器市場空白。作為行業(yè)首款支持高刷的專業(yè)設(shè)計(jì)顯示器產(chǎn)品，創(chuàng)維D80搭載了由BOE（京東方）三大顯示技術(shù)品牌之一α-MLED賦能的31.5英寸顯示屏，并憑借極致畫質(zhì)表現(xiàn)、超高刷新率、健康驅(qū)動(dòng)無屏閃等多項(xiàng)行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)，定義了Mini LED顯示器畫質(zhì)新標(biāo)準(zhǔn)，為高端MLED顯示產(chǎn)品的技術(shù)突破添上了濃墨重彩的一筆，全面彰顯了“三十而立”的B
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功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？

學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？首先我們明確一下二者的概念三極管：全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控
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短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。在我們嘗試了解各種漏電流成
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減少對三星的依賴，蘋果在 microLED 面板技術(shù)上已投資 10 億美元

IT之家 5 月 18 日消息，根據(jù) Nikkei 報(bào)道，蘋果在過去十年時(shí)間里，已累計(jì)投資至少 10 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 70 億元人民幣），研發(fā) microLED 技術(shù)。報(bào)道中指出蘋果的研發(fā)并不順利，尤其在自產(chǎn) microLED 面板上存在巨大挑戰(zhàn)。這主要是因?yàn)榭刂?microLED 面板的芯片，其面積是 LED 面板芯片的百分之一。蘋果通過其成熟的供應(yīng)鏈來幫助推進(jìn) microLED 面板落地，IT之家從報(bào)道中獲悉，歐司朗（ams-Osram）等供應(yīng)商合作開發(fā) microL
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功率MOS管損壞的典型

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引
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