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AMD低功率芯片技術(shù)規(guī)格曝光難敵英特爾Atom

　　6月19日消息，AMD與英特爾低功率Atom處理器競爭的芯片的技術(shù)規(guī)格已經(jīng)曝光。據(jù)德國一個網(wǎng)站發(fā)表的幻燈片顯示，這種芯片的代號為“Bobcat”，采用一個1GHZ AMD 64處理器內(nèi)核，128KB一級緩存和256KB二級緩存。　　Bobcat芯片支持在400Mhz和800Mhz HyperTransport連線上運(yùn)行的DDR2內(nèi)存。整個芯片封裝的熱設(shè)計功耗（TDP）是8瓦，比英特爾Atom芯片最大4瓦的功耗大一倍。熱設(shè)計功耗大對設(shè)備的電池使用壽命有不利的影響。　　AM
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SanDisk與東芝合資開發(fā)3D內(nèi)存芯片

　　6月19日消息，據(jù)國外媒體報道，閃存制造商SanDisk公司近日發(fā)布了報送給美國證券交易委員會的一份報告，該報告稱，SanDisk將與東芝公司合作，共同開發(fā)和制造可重寫3D內(nèi)存。　　SanDisk公司稱，兩家公司將共同致力于3D內(nèi)存芯片的開發(fā)和生產(chǎn)，并共享與開發(fā)項目有關(guān)的專利許可技術(shù)。作為合資企業(yè)一部分，東芝將向SanDisk支付許可費用。　　雙方合資最終將導(dǎo)致一種可替代NAND閃存的新型內(nèi)存技術(shù)，SanDisk是NAND型閃存的主要生產(chǎn)商之一。后者被iPod、iPhone、數(shù)碼相機(jī)和其他設(shè)備
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Nvidia與AMD戰(zhàn)事升級

　　業(yè)界的兩個老對頭NVIDIA和AMD都在本周一發(fā)布了自己的下一代圖形處理器技術(shù)，并且都宣稱自家芯片能提供萬億次計算(Teraflop)能力。　　不過，兩家公司的“相似點”僅止于此。實際上，兩種芯片的微架構(gòu)在所采用多核方法、顯存、硅集成電路、生產(chǎn)工藝和軟件上，都存在極大差別。　　AMD的“狡辯”？　　AMD這次的新品發(fā)布方法打破傳統(tǒng)，沒有采取過去的先高端，然后逐步衍生出低端產(chǎn)品的模式，相反，他們推出了一種面向主流圖形市場的產(chǎn)品，通過一種專利性的
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降低制造成本東芝將關(guān)閉200毫米閃存工廠

　　日本電子制造商東芝將關(guān)閉它與美國晨碟公司合資構(gòu)建的200毫米閃存工廠。　　市場分析師認(rèn)為，東芝此舉的目標(biāo)是為了在全球閃存市場保持競爭力，公司正在努力尋求削減制造成本的途徑。　　市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Nomura Securities分析師Masaya Yamasaki表示，在產(chǎn)品價格日益下跌的趨勢下，目前東芝的半導(dǎo)體運(yùn)作仍然面臨著嚴(yán)峻的市場環(huán)境。我們認(rèn)為東芝選擇退出200毫米晶圓生產(chǎn)線產(chǎn)品，能夠提升公司的成本競爭力。　　隨著手機(jī)和蘋果ipod數(shù)字音樂播放器系列產(chǎn)品的流行，目前全球閃存產(chǎn)品市場前景被看
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Vishay推出新型20V P 通道TrenchFET? 功率 MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝，具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 V 時業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻。　　隨著便攜式電子設(shè)備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實現(xiàn)消費者對用電池做電源的電子設(shè)備的更長運(yùn)行時間的期望，
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億萬芯片用心零售

　　近期，ICBUY億芯電子網(wǎng)與利爾達(dá)科技合作，攜手在ICBUY上推出了工程樣片零售業(yè)務(wù)，專為工程師提供小批量采購服務(wù)；首期可為客戶提供近2萬種現(xiàn)貨產(chǎn)品的零售服務(wù)，產(chǎn)品覆蓋電子元器件的各個品種，產(chǎn)品均由原廠和代理商供貨，能基本滿足工程師、學(xué)生、老師、維修人員對元器件產(chǎn)品的各種需求。　　細(xì)節(jié)—從解決阻容采購難題開始　　億芯網(wǎng)推出目的是為了幫助工程師能夠快速的采購到所需零件，通過深入分析，億芯網(wǎng)決定從工程師采購最難的電阻、電容產(chǎn)品出發(fā)，為工程師提供阻容產(chǎn)品購買服務(wù)，不設(shè)最小起訂量；據(jù)了解，
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全球半導(dǎo)體市場增長放緩但前景仍然看好

　　美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SIA）日前發(fā)表半年度研究報告指出，受內(nèi)存IC產(chǎn)業(yè)的拖累，08年全球半導(dǎo)體銷售整體增長放緩，不過半導(dǎo)體銷售額在2011年前仍將保持強(qiáng)勁增長，2011年銷售額將從08年的2666億美元增長到3241億美元。　　SIA表示，雖然內(nèi)存IC市場價格走勢疲軟繼續(xù)導(dǎo)致整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受壓，但由于PC、移動設(shè)備和其它消費電子產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)Π雽?dǎo)體的需求旺盛，半導(dǎo)體總體產(chǎn)業(yè)銷售額將保持強(qiáng)勁增長，預(yù)計08-11年芯片銷售額的復(fù)合年增率為6.1%。其中，今年P(guān)C總體銷量有望達(dá)到3億臺左右，手機(jī)單位出貨量預(yù)
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電信設(shè)備及芯片制造商因重組而獲益

　　中國電信運(yùn)營商的重組對電信設(shè)備商以及產(chǎn)業(yè)鏈上游的芯片制造商是一個利好消息。iSuppli預(yù)計,到2010年,中國移動TD系統(tǒng)設(shè)備投資規(guī)模將達(dá)180億元以上。未來3年中國電信為完善CDMA網(wǎng)絡(luò)而在系統(tǒng)設(shè)備方面的投資將達(dá)到500億元。中國聯(lián)通把CDMA網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)賣給中國電信之后，將有充足的資金來發(fā)展他的GSM網(wǎng)絡(luò)。預(yù)計中國聯(lián)通拿到3G牌照后將很快升級到WCDMA，甚至有可能在發(fā)達(dá)城市直接將現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)升級到HSDPA，利用成熟的3.5G網(wǎng)絡(luò)吸引數(shù)據(jù)用戶。預(yù)計中國聯(lián)通未來3年在GSM網(wǎng)絡(luò)的升級過程中在系統(tǒng)設(shè)備方面
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數(shù)字電源控制器與芯片應(yīng)用

　　1、數(shù)字電源基本特征　　數(shù)字電源一直是系統(tǒng)架構(gòu)師與電源設(shè)計者的熱門話題。由于電源管理業(yè)在不斷發(fā)展，而數(shù)字電源正是發(fā)展的重要一環(huán)。那么，什么是真正的數(shù)字電源，它又能帶來什么直接的好處呢?目前公認(rèn)的數(shù)字電源定義是：提供監(jiān)控與配置功能，使用數(shù)字算法擴(kuò)展至全環(huán)路控制的數(shù)字控制電源產(chǎn)品。因此，數(shù)字電源必須執(zhí)行的電源管理功能可以保留在模擬區(qū)域，也可以轉(zhuǎn)移至數(shù)字區(qū)域。數(shù)字電源可以完成對PWM控制環(huán)路的數(shù)字控制和數(shù)字電源管理與通信任務(wù)。系統(tǒng)可以使用一種或兩種形式的數(shù)字電源。數(shù)字電源組成包括好幾個部分，典型的產(chǎn)品由
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TD-LTE芯片設(shè)計的最大挑戰(zhàn)

　　LTE在芯片設(shè)計時，需要考慮帶寬、實時性要求，通過硬件與軟件的分工，進(jìn)行系統(tǒng)體系架構(gòu)設(shè)計。其中最主要的是處理帶寬，對應(yīng)不同的處理量，有不同的采樣率、總線帶寬以及外部通信口的帶寬。　　在芯片設(shè)計之初，芯片處理需求分析主要包括功能的需求分析和性能的需求分析。在性能要求比較高的時候，需要增加新的功能模塊來提高整個芯片的性能。在系統(tǒng)分析的初期要對整個系統(tǒng)的硬件和軟件進(jìn)行分工，做出系統(tǒng)的架構(gòu)分析。　　結(jié)合系統(tǒng)指標(biāo)，我們認(rèn)為最主要的是如何處理帶寬。不同帶寬需求，對應(yīng)著不同的處理數(shù)據(jù)量的需求，還有不同的采樣
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基于Ap1661芯片的熒光燈電子鎮(zhèn)流器設(shè)計

　　前言　　熒光燈應(yīng)用廣泛，種類繁多，特性參數(shù)專業(yè)性較強(qiáng)，通常可根據(jù)管徑、光色、功率進(jìn)行分類。　　熒光燈管按管徑大小分為：T12、T10、T8、T6、T5、T4、T3等規(guī)格。T+數(shù)字組合，表示管徑的毫米數(shù)值：T=1／8英時，一英時為25.4mm，數(shù)字代表T的個數(shù)，故T12=25.4mm×1／8×12=38mm。熒光燈管管徑與電參數(shù)的關(guān)系是管徑越細(xì)，光效越高，節(jié)電效果越好；管徑越細(xì)，燈點燃的啟輝電壓越高，對鎮(zhèn)流器技術(shù)性能要求也越高。管徑大于T8(含T8)，點燃啟輝電壓較低。點
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意法半導(dǎo)體推出全新電壓監(jiān)控器

　　意法半導(dǎo)體推出四通道和五通道電壓監(jiān)控器STM6904/5，新產(chǎn)品可以節(jié)省電路板空間、成本和電能，用于機(jī)頂盒、電信設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、計算機(jī)和數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用等，確保多電壓系統(tǒng)的完整性。　　具備低電流消耗（典型值12µA）特性，加上8引腳MSOP微型封裝，新產(chǎn)品對系統(tǒng)總體功耗和電路板布局的影響微乎其微。STM6905提供五條電壓監(jiān)控通道和固定的延時到復(fù)位時間（210ms）；而STM6904提供四條電壓監(jiān)控通道和用戶可選的復(fù)位延時參數(shù)。　　由于新產(chǎn)品比前一代產(chǎn)品提供更多的監(jiān)控通道，工程師能夠在
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英飛凌推出創(chuàng)新節(jié)能芯片

　　英飛凌近期推出新款NovalithIC?等集成半導(dǎo)體解決方案。該器件在一平方厘米的封裝內(nèi)集成了三個芯片。其中兩個是功率芯片，另一個是控制和監(jiān)視功率級的邏輯電路。NovalithIC適用于多種應(yīng)用，包括汽車燃油泵和雨刮器使用的小型電機(jī)以及鉆孔機(jī)、空調(diào)系統(tǒng)和發(fā)動機(jī)散熱風(fēng)扇等大功率設(shè)備。輸出功率會隨著應(yīng)用需求的變化而不斷改變——這一特性使能耗銳減80%。　　新款NovalithIC具備70 A的峰值電流性能，可對超過800 W的汽車電力負(fù)載進(jìn)行智能控制，節(jié)省能耗。利用
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高集成度促傳感器市場日益數(shù)字化

　　模擬還是數(shù)字？在工業(yè)化測量和控制領(lǐng)域，這還存在爭執(zhí)。盡管問題很簡單，并且有越來越多的數(shù)字化產(chǎn)品，但仍然很難下結(jié)論。　　傳感器設(shè)備集成了越來越多的數(shù)字化電路和接口。一些控制領(lǐng)域的應(yīng)用，要求很多不同的輸入以及多變量的處理。這些復(fù)雜的要求只有數(shù)字電路應(yīng)付得過來。然而，在另一些應(yīng)用中，模擬依舊占主導(dǎo)地位。　　傳感器提供了數(shù)字輸出信號，這需要內(nèi)部具備集成的電路，如ADC以及串行器。因為制造方式相同，所需材料相同，基于MEMS的傳感器非常適合數(shù)字化。　　歐洲Measurement Specialtie
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也談芯片生產(chǎn)中的“過程能力指數(shù)”分析

　　在芯片的生產(chǎn)過程中，會經(jīng)歷許多次的摻雜、增層、光刻和熱處理等工藝制程，每一步都必須達(dá)到極其苛刻的物理特性要求。但是，即使是最成熟的工藝制程也存在不同位置之間、不同晶圓之間、不同工藝運(yùn)行之間以及不同時段之間的變異。有時，這種變異會使工藝制程超出它的制程界限，生產(chǎn)出不符合工藝標(biāo)準(zhǔn)的晶圓，從而嚴(yán)重地影響成品率（Yield）。而任何對半導(dǎo)體工業(yè)有過些許了解的人都知道：整個工業(yè)對其良品率都極其關(guān)注。因此，正確地評估和控制芯片生產(chǎn)過程中的變異顯得尤為重要，而研究過程變異的常用方法之一就是過程能力分析。　　一般
關(guān)鍵字：芯片過程能力指數(shù) 半導(dǎo)體 JMP