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EEPW首頁 >> 主題列表 >> m3 芯片

m3 芯片 文章 最新資訊

采用DSP芯片的MELP聲碼器的算法設計方案

  • 采用DSP芯片的MELP聲碼器的算法設計方案,摘要:論文對MELP編解碼算法的原理進行了簡要分析,討論了如何在定點DSP芯片MS320VC5416上實現該算法,并研究了其關鍵技術,最后對測試結果進行了分析。 1 引言 1996年3月,美國政府數字語音處理協(xié)會(DDVPC)選擇
  • 關鍵字: 設計  方案  算法  MELP  DSP  芯片  采用  

我國RFID產業(yè)發(fā)展與政策支持現狀

  •   我國RFID產業(yè)發(fā)展現狀   相較于歐美等發(fā)達國家或地區(qū),我國在RFID產業(yè)上的發(fā)展還較為落后。目前,我國RFID企業(yè)總數雖然超過100家,但是缺乏關鍵核心技術,特別是在超高頻RFID方面。從包括芯片、天線、標簽和讀寫器等硬件產品來看,低高頻RFID技術門檻較低,國內發(fā)展較早,技術較為成熟,產品應用廣泛,目前處于完全競爭狀況;超高頻RFID技術門檻較高,國內發(fā)展較晚,技術相對欠缺,從事超高頻RFID產品生產的企業(yè)很少,更缺少具有自主知識產權的創(chuàng)新型企業(yè)。   僅以RFID芯片為例,RFID芯片在R
  • 關鍵字: RFID  芯片  天線  標簽  讀寫器  

放寬政策:臺積電獲準持有中芯國際8%股權

  •   據臺積電官員上周六透露,臺積電公司將很快開始接收大陸中芯國際公司8%股權的操作。臺積電公司上周五就此事知會了臺當局投資審議委員會以及經濟部工業(yè)局 等當局部門,該官員并稱有關的計劃將很快被當局審批通過。   在去年發(fā)生的專利權糾紛官司中,中芯國際去年11月份曾答應支付給臺積電公司2億美元現金,并將把相當于公司8%股份的股權轉讓給臺積電公司,以平息兩家的專利糾紛。另外,據協(xié)議規(guī)定,臺積電還可以在三年內以1.3港幣每股的價格再購買中芯國際2%的股份,這樣前者在中芯國際所占股比將累計達到10%。   不過
  • 關鍵字: 臺積電  芯片  

PCI總線目標接口芯片PCI9052及其應用

  • PCI總線目標接口芯片PCI9052及其應用,摘要:PCI9052是PLX公司繼PCI9050之后新推出的一種低成本的PCI總線目標接口芯片,它傳輸速率高,數據吞吐量大,可避免用戶直接面對復雜的PCI總線協(xié)議。文中主要介紹了PLX公司的PCI總線目標接口芯片的功能與應用,并給出了
  • 關鍵字: PCI9052  及其  應用  芯片  接口  總線  目標  PCI  

一種移動介質的新型車載影音系統(tǒng)設計

  • 1工作原理當今互聯(lián)網上的影像資源80%以上都是以RMVB格式進行下載的,歌曲則以MP3、WMA格式為主,圖片以JPG...
  • 關鍵字: 新一代  車載  影音系統(tǒng)  芯片  AML8613  

IBM宣布芯片實現重大突破 可建百萬萬億次電腦

  •   據《自然》雜志報道,IBM的科學家當日宣布,他們用微型硅電路取代銅線實現了芯片間通訊,在通過光脈沖而不是電子信號進行芯片通訊上取得重大突破。   這種設備被稱為‘納米光子雪崩光電探測器’(nanophotonic avalanche photodetector),是同類產品中速度最快的一個,并且顯著降低了能耗,將對未來電子行業(yè)發(fā)展產生重大影響。   IBM的設備利用了當前芯片生產中使用的鍺元素的雪崩效應。與陡峭山體的雪崩一樣,最初出現的光脈沖只釋放了一小部分電荷載體,隨后這
  • 關鍵字: IBM  芯片  通訊  

瑞芯微推出RK2808芯片方案 Android下720p播放國產最強

  •   國內芯片方案廠商福州瑞芯微剛剛推出了RK2808芯片方案,這是一款可以用于手機、MID、電子書等設備的芯片。這款芯片率先開始支持Android系統(tǒng),采用65納米制程構建,其最大的賣點是支持Android系統(tǒng)下的720p視頻回放,在Android方案播放HD較弱的背景下,這也是目前這方面最 強的芯片方案。另外,從官網的介紹還看到支持WinCE平臺。        該方案特點如下:   * 65納米工藝   * ARM+DSP 雙核結構,ARM 600M,DSP 550M   *
  • 關鍵字: 瑞芯微  芯片  RK2808  Android  

幾種直流電機功率驅動芯片及其應用

  • SA60 和LMD18245 分別是美國Apex 公司和NS 公司推出的面向中小型直流電機的全橋功率輸出電路。它們既具有在外接少量元件的情況下實現電機的功率驅動、控制以及提供保護等功能的共性,又具有各自特色。下面就其引腳、功
  • 關鍵字: 及其  應用  芯片  驅動  電機  功率  直流  

9mm3 美高校研發(fā)超迷你ARM核心傳感器

  •   美國密歇根大學近日宣布,其研究人員已經成功開發(fā)出了一款體積僅有9立方毫米的太陽能驅動傳感器系 統(tǒng),可以從周圍環(huán)境中獲得電能,幾乎永無休止的工作下去。該傳感器的尺寸僅有2.5x3.5x1mm,9mm³的體積僅是目前市場上同類設備的1/1000,不過其內部包含了一套完整的傳感器系統(tǒng),包括 ARM Cortex-M3處理器,太陽能電池板和薄膜儲電電池。由于此類傳感器的工作特點,它絕大部分時間都處在休眠狀態(tài),此時其功耗僅有同類產品的 1/2000。以此計算,其整個工作過程中的平均功耗僅有1納瓦(10
  • 關鍵字: ARM  Cortex-M3  處理器  

基于UCC27321高速MOSFET驅動芯片的功能與應用

  • 基于UCC27321高速MOSFET驅動芯片的功能與應用,1 引言

      隨著電力電子技術的發(fā)展,各種新型的驅動芯片層出不窮,為驅動電路的設計提供了更多的選擇和設計思路,外圍電路大大減少,使得MOSFET的驅動電路愈來愈簡潔,.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
  • 關鍵字: 芯片  功能  應用  驅動  MOSFET  UCC27321  高速  基于  

AD5933阻抗測量芯片原理及其應用

  • 1 AD5933芯片概述
    1.1 主要性能
    AD5933是一款高精度的阻抗測量芯片,內部集成了帶有12位,采樣率高達1MSPS的AD轉換器的頻率發(fā)生器。這個頻率發(fā)生器可以產生特定的頻率來激勵外部電阻,電阻上得到的響應信號被ADC
  • 關鍵字: 5933  AD  阻抗測量  芯片    

飛思卡爾投訴稱日本松下等侵犯其芯片專利

  •   據國外媒體報道,飛思卡爾半導體向美國國際貿易委員會(USITC)投訴,稱日本松下公司和液晶電視制造商Funai電子在電視機和媒體播放器等產品中,侵犯了其芯片專利權。   投訴中稱,松下、Funai和JVC Kenwood等公司,以及百思買、沃爾瑪等零售商店侵犯了飛思卡爾的知識產權。在國際貿易委員會的網站上可以找到關于本次投訴的公告,但目前還無法獲得投訴的全文拷貝。   總部設在德州奧斯丁的飛思卡爾公司的發(fā)言人Robert Hatley表示松下、Funai和JVC Kenwood銷售了侵犯飛思卡爾專
  • 關鍵字: 飛思卡爾  芯片  

基于Cortex-M3內核處理器的嵌入式Web服務器設計

  •   引言   目前,網絡化控制己成為遠程控制的主要研究方向,利用網絡實現對局域乃至全球范圍內設備的監(jiān)控是工業(yè)控制系統(tǒng)的發(fā)展趨勢。嵌入式Internet遠程監(jiān)控技術作為網絡化控制的代表,它解決了工業(yè)控制領域中異構網絡互聯(lián)問題,提高了傳統(tǒng)裝備的智能化水平,促進了傳統(tǒng)產業(yè)結構的調整。嵌入式Web服務器尤其適用于嵌入式Internet應用,它通過Ethernet或Modem的連接可以輕松連接到任何網絡,真正實現對設備的遠程管理和控制。   實現方案   嵌入式Web服務器必須具備的基本功能包括:可控制與其連
  • 關鍵字: Cortex-M3  處理器  嵌入式  服務器  

LED投資高端才有前途 否則大洗牌難免

  •   近年,LED技術在照明等領域廣泛應用,LED產業(yè)也在中國快速走熱,但很多企業(yè)在技術上缺乏競爭力,預期利潤不高,大量的資本進入這個市場勢必造成利潤攤薄,引起無序競爭,行業(yè)洗牌或在今年。   多位業(yè)內專家也表示,LED產業(yè)已現過熱苗頭,需警惕產能過剩問題;另外國外巨頭的強勢進入,國內廠商在新一輪競爭中應加快技術開發(fā)和專利保護。   或透支未來3~5年產能   2月2日,國家首批新型工業(yè)化產業(yè)示范基地授牌,其中光電產業(yè)基地占據3席,LED產業(yè)成為國家發(fā)展的重點產業(yè)。與此同時,LED初始投資1億元就可建
  • 關鍵字: LED  MOCVD  芯片  

臺積電計劃于2012年Q3開始試產22nm HP制程芯片

  •   據臺積電公司負責開發(fā)的高級副總裁蔣尚義透露,他們計劃于2012年第三季度開始試產22nm HP(高性能)制程的芯片產品,并將于2013年第一季度開始試產22nm LP(低功耗)制程的芯片產品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次半導體產業(yè)論壇會議上透露這些信息的。   會上蔣尚義還透露了臺積電28nm制程推進計劃的細節(jié),據他表示,臺積電將于今年6月底前開始試產28nm低功耗制程(LP)產品,基于這種制程產品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺積電計劃啟動首款基于HKMG
  • 關鍵字: 臺積電  40nm  芯片  
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m3 芯片介紹

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