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IR全新自適應鎮(zhèn)流器控制集成電路專攻緊湊型節(jié)能螢光燈應用

  • 電源管理技術領先供應商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR2520D緊湊型節(jié)能螢光燈 (Compact Fluorescent Lamp，簡稱CFL) 鎮(zhèn)流器控制集成電路，它能適應不斷改變的電壓、頻率及燈管狀態(tài)，有效延長燈管壽命并提高可靠性。一切所需的鎮(zhèn)流器功能均整合于單一的八引腳DIP或SOIC封裝，有助于減少元件數(shù)量、簡化電路并提高可靠性。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富表示：“美國洛磯山研究所 (Rocky Mountain Institute) 指出
  • 關鍵字： IR  

IR新型40V同步整流MOSFET優(yōu)化電信和數(shù)據(jù)通訊應用

  • 電源管理技術領先供應商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF7842 40V N溝道HEXFET功率MOSFET，優(yōu)化了電信系統(tǒng)中的隔離式直流-直流轉換器。IRF7842的額定電壓為40V，若用于電信及數(shù)據(jù)系統(tǒng)的副邊同步整流電路，則有助于增強系統(tǒng)的可靠性。這些系統(tǒng)的輸入電壓范圍較寬，一般在36V到75V之間，因而會在副邊產生5V至12V的電壓波動。由于額定30V器件不能提供所需的額定富裕電壓，所以需采用額定40V MOSFET。全新40V器件使IR針對
  • 關鍵字： IR  

IR推出業(yè)內首個雙輸出兩相直流--直流功率模塊

  • 功率半導體領袖國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出業(yè)內首批雙輸出兩相直流-直流功率模塊，針對同步降壓應用，采用單一和易于使用的BGA 封裝。新器件能簡化設計、縮減尺寸和加快計算和電信電源系統(tǒng)的上市時間。如今，先進的電信、網(wǎng)絡及服務器系統(tǒng)在系統(tǒng)板上的電壓通路數(shù)量多達六個。隨著信息處理需求的增加，電壓通路必須增大其電流容量。全新iPOWIR iP1201和iP1202功率模塊，可幫助計算機及電信設計員通過單一器件提供兩個獨立的電壓通路，從而簡化了電源設計。與分立器
  • 關鍵字： IR  模塊  

IR全新DSCC規(guī)格線性電壓調節(jié)器

  • 功率半導體領袖國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 推出采用高密度、密封式封裝的全新大電流、超低壓降 (ULDO) 線性電壓調節(jié)器系列，適用于軍品應用。全新調節(jié)器具有0.43V 至 0.6V 典型壓降特性。低壓降意味著低功耗，正好符合軍用及商用飛機、地面交通工具、雷達等功率受限應用的要求。ULDO 直流-直流調節(jié)器件具有低紋波和噪音，以及1% 的調節(jié)容差，特別適用于要求快速瞬態(tài)反應及輸出電壓 +20V 和 +1.8V 之間的低電壓負載點數(shù)字母線應用。先進的 PC
  • 關鍵字： IR  

IR為無感應器電機控制推出全新集成設計平臺

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一款全新集成設計平臺，適用于永磁電機的無感應器控制。這是IR的iMOTION專用設計平臺系列的第二批產品，能為高速軸徑及其他需要精確控制的機械提供電機控制。新集成設計平臺包括所有硬件和軟件，加上經(jīng)驗證的模擬及功率級設計?；旌闲盘栃酒M與控制算法合并設計，有助簡化設計、大幅降低整體制造成本，并大大縮短產品上市時間。IRMCS203開發(fā)系統(tǒng)融合Accelerator可配置控制引擎技術，當中采用的專有無感應器算法只需
  • 關鍵字： IR  

IR全新PlugNDrive集成功率模塊為家電簡化電機驅動器設計

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRAMS10UP60A PlugNDrive集成功率模塊，有助簡化家用電器及輕工業(yè)應用系統(tǒng)中的變速電機控制電路。新功率模塊屬于IR iMOTION集成設計平臺系列，它把一個三相逆變器功率平臺、柵驅動器及輔助電路，融合于緊湊、性能強勁的絕緣式封裝內。 目前，有越來越多家電制造商在產品內裝設電子控制式變速電機，以實現(xiàn)省電節(jié)能之效，最高可節(jié)省30% 能源之多。新模塊的額定電流為10A，是特別為洗衣機、室內空調及商用
  • 關鍵字： IR  模塊  

IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機驅動器性能

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝，采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能，有助降低傳導損耗，卻不增加開關損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設計的iMOTION集成設計平臺系列的一部分。新器件的工作結溫高達175°C，標準工作范圍比同類產品高出20%。另外，它們
  • 關鍵字： IR  封裝  

IR推出全新直流總線轉換器芯片組

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首個直流總線轉換器芯片組系列，重新定義用于電信及網(wǎng)絡系統(tǒng)的48V輸入、150W基板安裝功率轉換器的分布式電源架構。IR的直流總線轉換器芯片組架構為整體效率、功率密度和簡易性建立了全新基準，能在小于1.7平方英寸電路占位上，于20A/150Wout條件下提供96%以上的效率。與業(yè)界標準的四分一磚設計相比，該芯片組能節(jié)省53%的體積，并可將隔離式轉換器的元件數(shù)目由約50個大幅縮減至20個。全新芯片組包含一個IR20
  • 關鍵字： IR  

IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SMPS)電路中實現(xiàn)最大效率，并能提高功率輸出，適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間
  • 關鍵字： IR  

IR推出性能經(jīng)改良的電子繼電器

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻斷條件下的負載電流性能高出兩倍，器件通態(tài)電阻低出1/4，因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機電式繼電器，大大增加了操作壽命及可靠性，且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無彈跳 (無噪音) 切換功能，還能實現(xiàn)更低起動電流，以及高水平抗沖擊與振動性能，有助降低功耗。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富
  • 關鍵字： IR  繼電器  

IR公布2003財年第四季度業(yè)績

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 公布2003財年第四季度業(yè)績，季內營業(yè)收益為2.284億美元，不包括早前公布有關遣散及重組活動的開支，模擬凈收入為1540萬美元 (或每股 0.24美元)。公司去年同季的凈收入為1610萬美元 (或每股 0.25美元)，營業(yè)收益則為2.01億美元。計入共380萬美元的遣散及重組開支后，IR第四季度的凈收入為1320萬美元 (或每股 0.20美元)。IR第四季度的營業(yè)收益在預定指標上端，比上季度增加超過6%，比去年同
  • 關鍵字： IR  

IR全新16A額定集成功率模塊簡化電機驅動器設計且節(jié)能

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 在其PlugNDrive集成功率模塊系列中推出新成員IRAMX16UP60A，全面簡化變速電子電機控制電路。 最新16A額定IRAMX16UP60A模塊能為電子控制變速電機降低多達30%的能耗，并專為750W至1.2kW變速電機驅動應用而設計，如室內空調系統(tǒng)、商用冷藏柜及大容量洗衣機。 新功率模塊屬于IR iMOTION集成設計平臺系列一部分，將一個三相逆變器功率平臺、柵驅動器和輔助電路結合在小巧的高性能絕緣型封裝
  • 關鍵字： IR  模塊  

IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機驅動器性能

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝，采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能，有助降低傳導損耗，卻不增加開關損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設計的iMOTION集成設計平臺系列的一部分。新器件的工作結溫高達175°C，標準工作范圍比同類產品高出20%。另外，它們
  • 關鍵字： IR  封裝  

IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性有效增強零電壓開關操作

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SMPS)電路中實現(xiàn)最大效率，并能提高功率輸出，適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間
  • 關鍵字： IR  

IR推出性能經(jīng)改善良的電子繼電器

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早先前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻斷條件下的負載電流性能高出兩倍，器件通態(tài)電阻低出1/4，因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機電式繼電器，大大增加了操作壽命及可靠性，且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無彈跳 (無噪音) 切換功能，還能實現(xiàn)更低起動電流，以及高水平抗沖擊與振動性能，有助降低功耗。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國
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