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“單正向”柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路

　　目前，為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流，設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)檫@些IC是專為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動(dòng)器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測(cè)試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測(cè)試結(jié)果。　　為了理解dV/dt感生開(kāi)通現(xiàn)象，我們必須考慮跟
關(guān)鍵字： IGBT 其他IC 制程

　　2005年5月12日，瑞薩推出用于手機(jī)相機(jī)的CY25CAH-8F(2.5V驅(qū)動(dòng))和CY25CAJ-8F(4.0V驅(qū)動(dòng))的閃光控制IGBT*1。其尺寸為3.0毫米×4.8毫米，厚度(最大)0.95毫米，堪稱業(yè)界最小。
關(guān)鍵字：瑞薩 IGBT Renesas

摘要：本文針對(duì)IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，提出并分析了一種廉價(jià)的、適用于三電平逆變器的IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路，并給出了設(shè)計(jì)時(shí)需要注意的問(wèn)題。關(guān)鍵詞：三電平逆變器； IGBT；驅(qū)動(dòng)保護(hù) 引言由于三電平電壓型逆變器對(duì)主元件的耐壓要求可降低一半，而且輸出波形好，因而一出現(xiàn)就顯示了巨大的優(yōu)越性。本設(shè)計(jì)方案中三電平電壓型逆變器由12個(gè)IGBT單元和鉗位二極管等組成中性點(diǎn)鉗位電路。有三個(gè)電平(+E、0和-E)輸出，在直流中間環(huán)節(jié)電容分壓對(duì)稱時(shí)，就有27種不同的輸出狀態(tài)。由于主電
關(guān)鍵字： IGBT 驅(qū)動(dòng)保護(hù) 三電平逆變器

SCALE驅(qū)動(dòng)是瑞士Concept公司生產(chǎn)的IGBT智能化驅(qū)動(dòng)板，可用于驅(qū)動(dòng)和保護(hù)IGBT。文中介紹了該IGBT智能化驅(qū)動(dòng)板的主要功能、工作模式和引腳功能，給出該器件的典型應(yīng)用電路。
關(guān)鍵字： SCALE 驅(qū)動(dòng) 智能化 IGBT

高壓IGBT模塊2SD315AI-33的應(yīng)用研究,介紹了一種新型高性能高壓IGBT集成驅(qū)動(dòng)模塊2SD315AI-33的管腳功能和工作原理，同時(shí)還給出了該模塊與同類產(chǎn)品相比的顯著性能特點(diǎn)。
關(guān)鍵字：應(yīng)用研究 2SD315AI-33 模塊 IGBT 高壓

介紹了一種專為IGBT和功率MOSFET設(shè)計(jì)的電力電子驅(qū)動(dòng)器件――SCALE集成驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)和內(nèi)部結(jié)構(gòu) 。
關(guān)鍵字：驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì) MOSFET IGBT 專為

摘要： IPM測(cè)試需要測(cè)試多個(gè)參數(shù)，這些不同的參數(shù)需要不同的測(cè)試平臺(tái)。本文通過(guò)對(duì)各種不同參數(shù)的測(cè)試方法進(jìn)行研究，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)測(cè)試平臺(tái)。關(guān)鍵詞：智能功率模塊；IGBT；自動(dòng)測(cè)試平臺(tái)問(wèn)題的提出火車機(jī)車動(dòng)力系統(tǒng)中普遍使用的智能功率模塊IPM(Intelligent Power Module)是電力集成電路的一種，集功率器件(IGBT)、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能于一體，內(nèi)部含有門(mén)極驅(qū)動(dòng)控制、故障檢測(cè)和多種保護(hù)電路，其核心器件是IGBT。實(shí)際使用過(guò)程中，由于沒(méi)有簡(jiǎn)單的方法判斷出IPM質(zhì)量的好壞，一旦IPM出現(xiàn)
關(guān)鍵字： IGBT 智能功率模塊自動(dòng)測(cè)試平臺(tái) 模塊