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hyper na 文章 最新資訊

High-NA EUV光刻機(jī)入場，究竟有多強(qiáng)？

  • 光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機(jī)（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)；再到后來的極紫外光刻機(jī)（EUV）以其獨(dú)特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(jī)（High-NA）正式登上歷史舞臺，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個 TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個由 ASM 與 imec 合作開發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機(jī)引入部分 High-NA 機(jī)型技術(shù)

  • 3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報(bào)道，ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù)，運(yùn)行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報(bào)道，NXE:3800E 光刻機(jī)已于本月完成安裝，可實(shí)現(xiàn) 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機(jī)型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。
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英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應(yīng)對？

  • 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在未來兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。 相較之下，臺積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略，業(yè)界預(yù)計(jì)臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時(shí)觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
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ASML：數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設(shè)備2030年登場

  • 據(jù)日本媒體報(bào)導(dǎo)，光刻機(jī)設(shè)備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會ITF World 2023表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要2030年開發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿足半導(dǎo)體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來EUV技術(shù)越來越成熟，半導(dǎo)體制程微縮至2020年前后三年，以超過50%幅度前進(jìn)，不過速度可能會在2030年放緩。故ASML計(jì)劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設(shè)備（原型制作），
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搭載恩智浦S32G3的廣汽埃安Hyper GT亮相2023上海車展

  • 日前，廣汽埃安全新高端純電豪華品牌系列車型Hyper GT在2023上海車展正式亮相。仿佛穿越未來世界而來，Hyper GT擁有的不僅是科幻旋翼的炫酷金屬外觀，更具有智能硬核內(nèi)在：新車基于廣汽AEP 3.0平臺打造，采用全新一代星靈電子電氣架構(gòu)，更值得一提的是，Hyper GT也是全球首款采用恩智浦最新一代S32G3汽車處理器作為其中央計(jì)算單元處理器的車型。 廣汽埃安Hyper GT亮相2023上海車展（圖片來源：廣汽埃安） 星靈架構(gòu)是廣汽推出的全新一代 “車云一體化集中計(jì)算式電子電氣
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拆解報(bào)告：HYPER JUICE 100W 3C1A氮化鎵快充充電器HJ417

  • 　　海外知名充電配件品牌HYPER JUICE近期在indiegogo上眾籌了一款全新的100W快充充電器。這款產(chǎn)品基于納微GaNFast氮化鎵功率芯片，采用堆疊設(shè)計(jì)思路，不僅支持自帶可折疊的插腳，而且還集成了一個AC插口，在使用時(shí)，不會占用兩孔插座，并支持最多16款充電器堆疊使用?！　』氐匠潆姳旧硪彩穷H有亮點(diǎn)，配備了3C1A四個輸出接口，可同時(shí)滿足四臺電子設(shè)備的充電需求；在單口輸出時(shí)，C口支持盲插輸出100W。同時(shí)借助氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)了小巧的外形尺寸，出門攜帶比較方便。　　關(guān)于這款產(chǎn)品的性能，充電
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可穿戴與IoT用DC/DC：如何實(shí)現(xiàn)納安級消耗電流？ 　

  • 可穿戴等市場發(fā)展快。DC/DC轉(zhuǎn)換器成為影響這些產(chǎn)品電池壽命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超輕載消耗電流只有180 nA，通過電路、布局和工藝實(shí)現(xiàn)。
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基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實(shí)現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移

  • 航空氣象要素對飛行安全的影響越來越大，氣象探測設(shè)備的重要性也越來越高。成陽國際機(jī)場配備了風(fēng)廓線雷達(dá)，能夠?yàn)楹娇诊w行提供機(jī)場上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度?；诒Ｕ巷L(fēng)廓線雷達(dá)正常運(yùn)行的目的，通過Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法，結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了風(fēng)廓線雷達(dá)系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能，平均故障修復(fù)時(shí)間提高了95%。
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電流-頻率轉(zhuǎn)換電路--1NA~100UA轉(zhuǎn)0.1HZ~10KHZ

  • IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負(fù)6次方/800*10的負(fù)12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時(shí)間林約是9MS，頻率為111HZ。實(shí)際上必須加上上升時(shí)間，所以振蕩頻率大約為100HZ。 因?yàn)镃1的微調(diào)很困難，所以允許A2的正
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尼康NA超過1的液浸設(shè)備半導(dǎo)體商正式采用

  • 　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導(dǎo)體廠商供應(yīng)用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開口數(shù)（NA）為1.07的液浸ArF曝光設(shè)備“NSR-S609B”。這是全球首次供應(yīng)NA超過1的液浸ArF曝光設(shè)備。  　　這家大型半導(dǎo)體廠商的名字，尼康沒有公布，估計(jì)是過去在技術(shù)方面與之開展合作的東芝。  　　作為全折射型液浸曝光設(shè)備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)很高的分辨率。對于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問題，據(jù)稱利用名為“Local-fill（局部
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