首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan+sic

gan+sic 文章 最新資訊

氮化鎵IC如何改變電動汽車市場

  • 隨著全球能源結(jié)構(gòu)向低碳能源和節(jié)能運(yùn)輸轉(zhuǎn)移,節(jié)能汽車產(chǎn)業(yè)面臨著挑戰(zhàn)。如今,整個電動汽車(EV)市場的增長率已經(jīng)超過傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車市場增長率的10倍。預(yù)計到2040年,電動汽車市場將擁有35%的新車銷量份額,對于一個開始批量生產(chǎn)不到10年的市場而言,這樣的新車銷售份額是引人注目的。
  • 關(guān)鍵字: EV  GaN  IC  201807  

低功耗SiC二極管實現(xiàn)最高功率密度

  •   相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流,且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。  安森美半導(dǎo)體擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列,提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時,往往面對在更小尺寸實現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
  • 關(guān)鍵字: 肖特基二極,SiC  

工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動用的SiC電源解決方案

  •   前言  包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng),需要柵極驅(qū)動器、微控制器、顯示器、傳感器及風(fēng)扇來使系統(tǒng)正常運(yùn)行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設(shè)備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢且設(shè)計簡單、性價比高的電源解決方案。  小型輔助電源用SiC MOSFET  圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下,MOSFET的最高耐壓
  • 關(guān)鍵字: SiC,MOSFET  

我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實現(xiàn)新突破

  •   6月5日,在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi),100臺碳化硅(SiC)單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行,SiC單晶就在這100臺設(shè)備里“奮力”生長。  中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說:“這100臺SiC單晶生長設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪,正好咱們自己能生產(chǎn)了。”  SiC單晶是第三代半導(dǎo)體材料,以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性, 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料,是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓
  • 關(guān)鍵字: SiC  

我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實現(xiàn)新突破

  •   6月5日,在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi),100臺碳化硅(SiC)單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行,SiC單晶就在這100臺設(shè)備里“奮力”生長?! ≈袊娍贫谝皇聵I(yè)部主任李斌說:“這100臺SiC單晶生長設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪,正好咱們自己能生產(chǎn)了?!薄 iC單晶是第三代半導(dǎo)體材料,以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性, 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料,是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓
  • 關(guān)鍵字: SiC  

安森美半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用

  •   推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴(kuò)展系列,包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的可靠性和強(qiáng)固性,以及等同于寬禁隙(WBG)技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢?! iC技術(shù)提供比硅器件更佳的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復(fù)電流,開關(guān)性能與溫度無關(guān)。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI),減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使SiC
  • 關(guān)鍵字: 安森美  SiC  

GaN Systems公司與羅姆聯(lián)手致力于GaN功率器件的普及

  •   GaN(氮化鎵)功率器件的全球領(lǐng)軍企業(yè)GaN Systems Inc.(以下簡稱“GaN Systems公司”)和功率半導(dǎo)體的領(lǐng)軍企業(yè)ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)為促進(jìn)電力電子市場的創(chuàng)新與發(fā)展,開始就GaN功率器件事業(yè)展開合作?! 〈舜魏献鲗⒊浞职l(fā)揮GaN Systems公司GaN功率晶體管的業(yè)界頂級性能與羅姆的GaN功率器件技術(shù)優(yōu)勢及豐富的電子元器件設(shè)計/制造綜合實力。雙方將利用GaN Systems公司的GaNPXTM封裝技術(shù)和羅姆的功率元器件傳統(tǒng)封裝技術(shù),聯(lián)合開發(fā)最適合GaN
  • 關(guān)鍵字: GaN  羅姆  

無線多協(xié)議SoC、NB-IOT模塊、GaN MOS等 世強(qiáng)打造節(jié)能便捷的無線智能照明系統(tǒng)

  •   目前在IoT應(yīng)用領(lǐng)域中,“智能照明”已經(jīng)展現(xiàn)其巨大的市場發(fā)展?jié)摿Γ淇捎迷诩彝ズ蜕虡I(yè)領(lǐng)域、并結(jié)合室內(nèi)定位功能服務(wù)等創(chuàng)新應(yīng)用,有望顛覆傳統(tǒng)照明市場,為相關(guān)開發(fā)業(yè)者帶來龐大商機(jī)。在近日舉辦的第27屆LED照明驅(qū)動暨智能照明技術(shù)研討會上,世強(qiáng)元件電商就攜手Silicon Labs帶來了多協(xié)議無線Mesh解決方案,包括Blue Gecko 組合、Mighty Gecko 組合等,助力中國照明企業(yè)加速智能照明應(yīng)用落地?! 〔粌H如此,為了助力中國照明企業(yè)在無線智能照明領(lǐng)域快人一步,世強(qiáng)元件電商還早早在這一方面布局
  • 關(guān)鍵字: 世強(qiáng)  GaN  

美高森美繼續(xù)擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件

  •   致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品,及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應(yīng)的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展,在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
  • 關(guān)鍵字: 美高森美  SiC  

ROHM集團(tuán)Apollo筑后工廠將投建新廠房, 以強(qiáng)化SiC功率元器件的產(chǎn)能

  •   全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM為加強(qiáng)需求日益擴(kuò)大的SiC功率元器件的生產(chǎn)能力,決定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)的筑后工廠投建新廠房?! ⌒聫S房為地上3層建筑,總建筑面積約11,000㎡?,F(xiàn)在,具體設(shè)計工作正在有條不紊地進(jìn)行,預(yù)計將于2019年動工,于2020年竣工?! OHM自2010年開始量產(chǎn)SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來,于世界首家量產(chǎn)“全SiC”功率模塊和溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET,不斷進(jìn)行著領(lǐng)先業(yè)界的技
  • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  

半導(dǎo)體當(dāng)下時代版本——GaN

  • 當(dāng)你看到現(xiàn)在消費(fèi)、通信,甚至工業(yè)設(shè)備越來越小時,功率卻越來越高,功能越來越豐富時,你是否有想過究竟是哪些技術(shù)的突飛猛進(jìn)帶來的時下這一自帶濾鏡的世界?你可能會想到從印刷術(shù)到計算機(jī);也可能會想到從手工制作到機(jī)械臂;或許你是熱衷科技的小能手,也會想到從CPU到GPU。不過這些都不是本編今天要給大家講的,本編今天要給大家講的是這些技術(shù)升級背后的故事——當(dāng)下半導(dǎo)體材料的革命。
  • 關(guān)鍵字: GaN,汽車,消費(fèi)  

ROHM炫動慕展,為汽車車載帶來一大波方案

  •   ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海電子展",并占據(jù)館內(nèi)的入口人氣位置,以炫動的賽車和動感十足的汽車產(chǎn)品,吸引觀眾的眼球。那么,這次ROHM重點帶來了什么汽車新品?  據(jù)悉,此次展會圍繞“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”,重點展示了功率電源產(chǎn)品及解決方案。  圖:ROHM展臺設(shè)在展館入口處,動感賽車吸引眼球  賽車性能突破極限,因為有SiC  視頻上吸睛的車隊是文圖瑞電動方程式車隊?(Venturi?Formula?E?Team)?,RO
  • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  

SiC和GaN產(chǎn)品市場趨勢及力特提供的產(chǎn)品

  • 硅半導(dǎo)體器件在過去數(shù)十年間長期占據(jù)著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位,它鑄就了電子世界的核心,覆蓋我們?nèi)粘I钪械慕^大部分應(yīng)用。寬禁帶電子器件,以碳化硅和氮化鎵的形式,因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術(shù)無法克服的優(yōu)勢正在日益普及。
  • 關(guān)鍵字: 力特,SiC,GaN  

新一代功率器件動向:SiC和GaN

  • 更為嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求,其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量(+ 400TWh)的3%,也占總溫室氣體排放量的2%,與航空業(yè)的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下,各地政府正加緊實施更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)和新的法規(guī),以確保所有依賴能源的產(chǎn)品必須達(dá)到最高能效。
  • 關(guān)鍵字: 安森美,SiC,GaN  

新一代功率器件及電源管理IC的發(fā)展概況

  • 介紹了包括SiC、GaN在內(nèi)的新一代功率器件,面向工業(yè)和汽車的新型功率模塊,可穿戴設(shè)備的電源管理IC的發(fā)展概況及相關(guān)新技術(shù)和熱門產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  電源管理  201804  
共765條 37/51 |‹ « 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 » ›|

gan+sic介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan+sic!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對gan+sic的理解,并與今后在此搜索gan+sic的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473