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QORVO?憑借行業(yè)首款28 GHZ GAN前端模塊增強其5G領(lǐng)先優(yōu)勢

　　移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天應(yīng)用RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達克代碼：QRVO)憑借行業(yè)首款 28 Ghz 氮化鎵 (GaN) 前端模塊 (FEM) --- QPF4001 FEM，擴大了其 5G 業(yè)務(wù)范圍。在基站設(shè)備制造商涉足 5G 之后，這款新 FEM 可以幫助他們降低總體系統(tǒng)成本?！　?jù) SNS Telecom & IT 介紹，28 GHz 頻段是早期基于 5G 的固定無線接入 (FWA) 部署的首選頻段，使運營商能夠滿足 5G 對速度、延遲、可靠性和容量的
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羅姆為汽車、工業(yè)領(lǐng)域提供更多SiC解決方案

羅姆（ROHM）作為一個日本企業(yè)，很早便打入歐洲市場，豐富的行業(yè)經(jīng)驗、值得信賴的產(chǎn)品品質(zhì)和口碑讓歐洲本土企業(yè)成為羅姆（ROHM）的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上，我們也見到了很多羅姆（ROHM）的得意之作。
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德州儀器用2000萬小時給出使用氮化鎵（GaN）的理由

在多倫多一個飄雪的寒冷日子里?！　∥覀儙讉€人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級電力電子研究實驗室中，進行一場頭腦風(fēng)暴。有點諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，當(dāng)然不是要生熱取暖，而是如何減少功率轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的熱量。我們已經(jīng)將MOSFET和IGBT分別做到了極致，但是我們中沒有人對此感到滿意。在這個探討過程中，我們盤點了一系列在高壓環(huán)境中失敗的設(shè)備。　　在那個雪花漫天飛舞的日子里，我們聚焦于選擇新方法和拓?fù)洌詫で螳@得更高的效率和密度，當(dāng)然也要找到改進健全性的途徑。一位高級研究員幫助總
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使用SiC技術(shù)攻克汽車挑戰(zhàn)

　　摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持，實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟和社會影響的優(yōu)勢互補的研發(fā)活動。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭，20個項目合作方將在技術(shù)研究、制造工藝、封裝測試和應(yīng)用方面展開為期36個月的開發(fā)合作。本文將討論本項目中與汽車相關(guān)的內(nèi)容，重點介紹有關(guān)SiC技術(shù)和封
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尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來革新

　　從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。　　硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無線網(wǎng)絡(luò)，以及未來的機器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率都是一個至關(guān)重要的因素?！　　肮こ處煬F(xiàn)在處于一個非常尷尬的境地，一方面他們無法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Behe
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ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù))　　近年來，由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。隨著各種應(yīng)用的多功能化和高性能化發(fā)展，系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢，1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而，受
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當(dāng)今的射頻半導(dǎo)體格局正在發(fā)生變化 - 為什么？

　　當(dāng)今的半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷翻天覆地的變化，這主要是由于終端市場需求變化和重大整合引起。幾十年前，業(yè)內(nèi)有許多家射頻公司，它們多半活躍于相同的市場，如今這種局面已被全新的市場格局所取代 - 有多個新興市場出現(xiàn)，多家硅谷公司與傳統(tǒng)芯片制造商進行重大兼并和收購。究竟有哪些因素推動著市場格局不斷變化?　　哪些因素在推動變革?　　半導(dǎo)體行業(yè)格局的變化從根本上由兩個要求驅(qū)動：對無所不在的傳感和連接的需求。無論人們身處世界的哪個位置，無論在家中還是在工作場所，都希望能夠安全、有效地與他人溝通交流。市場不再僅僅滿足蜂窩手
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“2018 ROHM科技展”：走進智能“芯”生活！

　　全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店舉辦為期一天的“2018 ROHM科技展”。屆時，將以“羅姆對智能生活的貢獻”為主題，展示羅姆在汽車電子和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品與解決方案，以及模擬技術(shù)和功率元器件等技術(shù)亮點。同時，將圍繞汽車電子、SiC(碳化硅)功率元器件、電機驅(qū)動、DC/DC轉(zhuǎn)換器技術(shù)、傳感器技術(shù)以及旗下藍碧石半導(dǎo)體的先進技術(shù)等主題，由羅姆的工程師帶來六場技術(shù)專題講座。期待您蒞臨“2018 ROHM科技展”現(xiàn)場，與羅姆的技術(shù)專家進行面對面的交流和切磋
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基本半導(dǎo)體成功主辦第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇

　　10月24日，由青銅劍科技、基本半導(dǎo)體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行?！　”緦酶叻逭搲偷谌雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達成戰(zhàn)略合作，與第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇同期舉行，來自中國、歐洲及其他國家的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺論劍，給現(xiàn)場觀眾帶來了一場第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的盛宴?！　×⒆銍H產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，從全球視角全面探討第三代半導(dǎo)體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰(zhàn)，以及面向未來的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇舉辦的宗旨。目
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管第三代半導(dǎo)體中歐論壇

德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級產(chǎn)品組合可支持高達10kW的應(yīng)用

　　德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達10kW應(yīng)用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級產(chǎn)品組合。與AC/DC電源、機器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、電信和個人電子應(yīng)用中的硅場效應(yīng)晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設(shè)計人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設(shè)計?！　〉轮輧x器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過集成獨特的功能和保護特性，來實現(xiàn)簡化設(shè)計，達到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級聯(lián)和獨立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns電
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SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計工程師不再迷茫

SiC和GaN MOSFET技術(shù)的出現(xiàn)，正推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提高了多個百分點，而這在幾年前是不可想象的?！　≡诂F(xiàn)實世界中，沒有理想的開關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn)，既能實現(xiàn)低開關(guān)損耗，又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換，并支持超快速開關(guān)頻率，使得這些新技術(shù)既成就了DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計工程師的美夢，但同時也變成了他們的惡夢?！　”热缫幻O(shè)計工程師正在開發(fā)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如逆變器或馬達驅(qū)動控制器，或者正在設(shè)
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CISSOID和泰科天潤（GPT）達成戰(zhàn)略合作協(xié)議，攜手推動碳化硅功率器件的廣泛應(yīng)用

　　高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導(dǎo)者泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將共同開展研發(fā)項目，推動碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用?！　ISSOID和泰科天潤簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議　　泰科天潤是中國首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè)，也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時，是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，專為極端溫
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納微將在國際電力電子大會上發(fā)布GaNFast成果

納微(Navitas)半導(dǎo)體公司宣布成為2018年11月4日至7日在中國深圳舉辦的第二屆國際電力電子技術(shù)及應(yīng)用會議(IEEEPEAC'2018)的鉆石贊助商。在此次大會上，納微將發(fā)布并展示GaNFast功率IC的重大發(fā)展成果，這些進展推動業(yè)界實現(xiàn)的新一代電源系統(tǒng)，將會打造能效、功率密度和快速充電的全新基準(zhǔn)。這些技術(shù)發(fā)展成果從27W到300W，包括用于智能手機、筆記本電腦、一體式電腦、電視/顯示器以及GPU的充電器和適配器應(yīng)用。納微將展示客戶
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基本半導(dǎo)體推出高性能碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）

　　碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能，對電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為最先實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動態(tài)性能，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優(yōu)越性能廣受市場追捧?！　iC JBS產(chǎn)品優(yōu)勢　　作為單極型器件，SiC JBS在工作過程中沒有少數(shù)載流子儲存，其反向恢復(fù)電流主要取決于耗盡層結(jié)電容，反向恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)損耗比Si超快恢復(fù)二極管要低一到兩個數(shù)量級。更重
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意法半導(dǎo)體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體能夠滿足高能效、高功率的應(yīng)用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和服務(wù)器?！　”竞献黜椖康闹攸c是開發(fā)和檢測在200mm晶片上制造的先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu)。研究公司IHS認(rèn)為，該市場將在2019年至2024[1]年有超過2
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