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氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

  • NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器,能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵(以下簡(jiǎn)稱“GaN”) 功率開關(guān)。只有合理設(shè)計(jì)能夠支持這種功率開關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路板 (PCB) ,才能實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關(guān)的全部性能優(yōu)勢(shì)。本文將簡(jiǎn)單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動(dòng)電路的 PCB 設(shè)計(jì)要點(diǎn)。NCP51820 是一款全功能專用驅(qū)動(dòng)器,為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關(guān)性能而
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納芯微新品,專門用于驅(qū)動(dòng)E?mode(增強(qiáng)型)GaN 開關(guān)管的半橋芯片NSD2621

  • 前言現(xiàn)階段的大多數(shù) GaN 電源系統(tǒng)都是由多個(gè)芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會(huì)產(chǎn)生寄生電感,從而影響器件的性能。例如驅(qū)動(dòng)器會(huì)在單獨(dú)的芯片上帶有驅(qū)動(dòng)器的分立晶體管,受到驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)和晶體管輸入之間以及半橋開關(guān)節(jié)點(diǎn)之間的寄生電感的影響,同時(shí)GaN HEMT 具有非常高的開關(guān)速度,如果寄生電感未被抑制,將會(huì)導(dǎo)致信號(hào)傳輸?shù)牟▌?dòng)。近日,納芯微推出了兩款全新的GaN相關(guān)產(chǎn)品,分別是GaN驅(qū)動(dòng)NSD2621,一顆高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片,專門用于驅(qū)動(dòng)E?mode(增強(qiáng)型)GaN 開關(guān)管;集成化的
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e絡(luò)盟達(dá)成新分銷合作,開售Piera Systems系列

  • 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟近日宣布與Piera Systems簽署全球分銷協(xié)議。通過這項(xiàng)協(xié)議,e絡(luò)盟將為全球客戶供應(yīng)Piera Systems的IPS系列高精度智能顆粒傳感器。該系列傳感器具備豐富功能,能夠以更低成本帶來卓越的測(cè)量精度,且其設(shè)計(jì)可輕松實(shí)現(xiàn)集成,因而可廣泛部署于辦公室、醫(yī)院和學(xué)校等各種環(huán)境。當(dāng)前,世界各地都在全力以赴地解決疫情帶來的不良影響,并積極應(yīng)對(duì)氣候變化這一緊迫挑戰(zhàn),這無疑促使人們?cè)絹碓街匾暱諝赓|(zhì)量監(jiān)測(cè)。室內(nèi)空氣質(zhì)量對(duì)人類健康有著直接且重大的影響,可能造成生產(chǎn)效
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Solid Sands與Rapita Systems建立合作.致力于解決C++標(biāo)準(zhǔn)庫的代碼覆蓋率分析需求

  • Solid Sands和Rapita Systems宣布,兩家公司已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,以開發(fā)改進(jìn)C++標(biāo)準(zhǔn)庫的代碼覆蓋率分析中,傳統(tǒng)工具無法完全支援的部分。這次合作源于雙方共同客戶提出的針對(duì)C++標(biāo)準(zhǔn)庫進(jìn)行大規(guī)模代碼覆蓋率分析的需求。通過雙方的交流,一致認(rèn)可了深化安全關(guān)鍵應(yīng)用市場(chǎng)的測(cè)試解決方案的可能性?!皳?jù)我們所知,我們是第一個(gè)嘗試對(duì)C++標(biāo)準(zhǔn)庫進(jìn)行大規(guī)模覆蓋分析的公司?!盨olid Sands首席技術(shù)官M(fèi)arcel Beemster說道?!霸谶@次分析中,我們發(fā)現(xiàn)C++標(biāo)準(zhǔn)庫中有相當(dāng)大一部份是用于僅被
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納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K

  • 納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品,包含GaN驅(qū)動(dòng)NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K,均可廣泛適用于快充、儲(chǔ)能、服務(wù)器電源等多種GaN應(yīng)用場(chǎng)景。其中,NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片,專門用于驅(qū)動(dòng)E?mode(增強(qiáng)型)GaN 開關(guān)管;NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品,內(nèi)部集成了高壓半橋驅(qū)動(dòng)器和兩顆650V耐壓的GaN開關(guān)管。NSD2621產(chǎn)品特性: 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅(qū)動(dòng)電流2A/-4A 03.&n
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基于安森美半導(dǎo)體高頻率準(zhǔn)諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器

  • 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間,而市場(chǎng)對(duì)于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸,但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下,硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對(duì)于未來的5G無線網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人,以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù),功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì),在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅,輸出電容也大大小于硅,致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實(shí)現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
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四維圖新旗下杰發(fā)科技與IAR Systems達(dá)成戰(zhàn)略合作

  • 中國(guó)上?!?022年12月27日——嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者 IAR Systems宣布,其最新發(fā)布的IAR Embedded Workbench for Arm 9.32.1版本已全面支持四維圖新旗下杰發(fā)科技全系列車規(guī)級(jí)MCU芯片,幫助中國(guó)汽車行業(yè)開發(fā)者打造強(qiáng)大的嵌入式開發(fā)解決方案,助力汽車行業(yè)創(chuàng)新。雙方將基于協(xié)議共同建立合作伙伴聯(lián)盟,以期加速業(yè)務(wù)發(fā)展。圖:杰發(fā)科技與IAR Systems達(dá)成戰(zhàn)略合作IAR Embedded Workbench for Arm為杰發(fā)科技MCU芯片提供完整的開發(fā)
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基于安森美半導(dǎo)體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器

  • 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間,而市場(chǎng)對(duì)于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸,但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下,硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對(duì)于未來的5G無線網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人,以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù),功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì),在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅,輸出電容也大大小于硅,致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實(shí)現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
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世平基于安森美半導(dǎo)體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案

  • 安森美GAN_Fet驅(qū)動(dòng)方案(NCP51820)。 數(shù)十年來,硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個(gè)狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵(GaAs)和砷化鎵、磷(GaAsP)等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體,它們具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢(shì)。作為解決方案出現(xiàn)的兩個(gè)化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率電晶體。這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器
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英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC,提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能

  • 【2022年11月24日,德國(guó)慕尼黑訊】USB供電(USB-PD)已成為快速充電以及使用統(tǒng)一Type-C連接器為各種移動(dòng)和電池供電設(shè)備供電的主流標(biāo)準(zhǔn)。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標(biāo)準(zhǔn)中,擴(kuò)展功率范圍(EPR)規(guī)格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統(tǒng)一化和大功率容量再加上低系統(tǒng)成本的小外型尺寸已成為推動(dòng)適配器和充電器市場(chǎng)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。為了加速這一趨勢(shì),英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出全新XDP?數(shù)字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
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IAR Systems 與嘉楠科技達(dá)成合作,支持RISC-V內(nèi)核高精度AI芯片

  • 中國(guó)上?!?022年11月23日——嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者 IAR Systems 與領(lǐng)先的端側(cè) AI 芯片研發(fā)供應(yīng)商嘉楠科技 (NASDAQ: CAN) 今天共同宣布,IAR Systems 最新推出的 Embedded Workbench for RISC-V 3.11.1版本已支持嘉楠勘智K510芯片,助力開發(fā)雙核RISC-V 64位 AI 端側(cè)推理芯片。IAR Embedded Workbench for RISC-V是一個(gè)完整的C/C++編譯器和調(diào)試器工具鏈,將嵌入式開發(fā)者所需的一切
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基于安森美半導(dǎo)體NCP1342驅(qū)動(dòng)GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案

  • 此電源設(shè)計(jì)最大輸出功率為65W,配備1A1C雙口輸出,單USB-C口輸出65W(20V/3.25A),單USB-A口輸出;雙口同時(shí)輸出時(shí),C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)理念,尺寸才51X51X31mm!上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿足EMI又導(dǎo)熱好!通標(biāo)變壓器設(shè)計(jì),21V效率最高達(dá)到93%,驅(qū)動(dòng)與MOS均采用美國(guó)安森美半導(dǎo)體技術(shù)!?場(chǎng)景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度:1.26cm3/W2. QR架構(gòu),COST
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西門子收購(gòu) Avery Design Systems,進(jìn)一步擴(kuò)展集成電路驗(yàn)證解決方案

  • · 此項(xiàng)收購(gòu)進(jìn)一步擴(kuò)展西門子企業(yè)級(jí)驗(yàn)證平臺(tái),將 Avery Design Systems的驗(yàn)證協(xié)議和合規(guī)性測(cè)試套件產(chǎn)品添加至平臺(tái)之中。· 客戶可以在仿真、硬件模擬和原型設(shè)計(jì)的周期內(nèi)利用西門子的驗(yàn)證方案優(yōu)化質(zhì)量并縮短上市時(shí)間。西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日簽署對(duì) Avery Design Systems 公司的收購(gòu)協(xié)議。Avery Design Systems 總部位于美國(guó)馬塞諸塞州的圖克斯伯里,是一家獨(dú)立于仿真的驗(yàn)證 IP 供應(yīng)商。收購(gòu)后 Avery Desig
  • 關(guān)鍵字: 西門子  Avery Design Systems  集成電路驗(yàn)證  

格芯獲得3000萬美元政府基金研發(fā)GaN芯片

  • 據(jù)外媒《NBC》報(bào)道,近日,晶圓代工廠商格芯(GlobalFoundries)獲得3000萬美元政府基金,在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機(jī)、射頻無線基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱,電動(dòng)汽車的普及、電網(wǎng)升級(jí)改造以及5G、6G智能手機(jī)上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導(dǎo)體帶來需求。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示,GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
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IAR Systems RISC-V功能安全版開發(fā)工具支持最新的SiFive汽車解決方案

  • 嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者 IAR Systems?持續(xù)為 SiFive 的 RISC-V 車用 CPU IP 提供解決方案:IAR Systems 旗下的 IAR Embedded Workbench? for RISC-V 支持最新的 SiFive 車用 E6-A 和 S7-A 產(chǎn)品系列,以滿足信息娛樂、連接和 ADAS 等汽車應(yīng)用的需求。IAR 的完整開發(fā)工具鏈幫助 OEM 和供應(yīng)商的嵌入式軟件開發(fā)人員充分利用 RISC-V 提供的能效、簡(jiǎn)單性、安全性和靈活性。由于 RISC-V 在所有產(chǎn)品中
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