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gan ipm 文章 最新資訊

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC,研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內(nèi)增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
  • 關鍵字: MMIC  SiC  GaN  襯底    

基于DSP和IPM的變頻調(diào)速系統(tǒng)的硬件設計

  • 摘要:介紹一種基于DSP和IPM的變頻調(diào)速系統(tǒng)的硬件設計。該系統(tǒng)采用“自舉”電路,采用DSP直接驅(qū)動IPM,結(jié)構(gòu)緊湊。該系統(tǒng)已投入批量生產(chǎn),并經(jīng)過數(shù)年連續(xù)運行。實際運行表明,該系統(tǒng)穩(wěn)定可靠,滿足使用要求。 關鍵詞:DSP;IPM;變頻調(diào)速;硬件 引言   變頻調(diào)速技術(shù)廣泛應用于工業(yè)領域。隨著電力電子控制技術(shù)及元器件的不斷發(fā)展,變頻調(diào)速系統(tǒng)的集成度、智能化程度越來越高,硬件構(gòu)成也越來越緊湊、簡單。DSP(數(shù)字信號處理器)+IPM(智能功率模塊)就是變頻調(diào)速系統(tǒng)最新的發(fā)展方向之一
  • 關鍵字: DSP  IPM  200812  

IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布,成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進的硅基技術(shù)平臺相比,該技術(shù)平臺可將關鍵特定設備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10,顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設備的性能,并降低能耗。   開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù),歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。   IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
  • 關鍵字: IR  功率器件  GaN  終端  

測試具備UMA/GAN功能的移動電話技術(shù)問題

  • 要預測客戶對一款手機性能的接受程度,從而預測手機設計的品質(zhì),需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
  • 關鍵字: GAN  蜂窩  話音質(zhì)量  

用于控制變速電動機的功率模塊

  •   改善洗衣機、電冰箱以及空調(diào)等家用電器能源使用效率的需求正在增加。從傳統(tǒng)的固定轉(zhuǎn)速馬達轉(zhuǎn)換到變速馬達可以節(jié)省能耗30%之多。但這種設計的難度較大,雖已經(jīng)出現(xiàn)了幾種方案來降低此類項目的數(shù)字設計工作難度,但是設計人員仍需要集成模塊和相關的設計工具來促進功率級的設計。   為了使低成本變速馬達控制器成為可能,元器件供應商設法通過簡化設計和降低結(jié)構(gòu)復雜度來減少變速控制器的成本。例如,已經(jīng)出現(xiàn)了幾種數(shù)字信號控制平臺,它們結(jié)合了DSP和集成PWM和馬達控制外圍設備的RISC處理器。這些平臺可運行第三方或者自行開發(fā)
  • 關鍵字: 電動機  IPM  DSP  PWM  馬達  

Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

  •   Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管,用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品,其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術(shù)上的的領導地位。   新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括:   1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件,效率增加四倍      2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS,提高了工作頻率   3. 在免授權(quán)的5.8G
  • 關鍵字: 三極管  WiMAX  Cree  GaN  

研究人員公布低成本GaN功率器件重大進展

  •   研究人員介紹,他們第一次在200mm硅(111)晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質(zhì)量,并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學氣相外延(MOVPE)反應腔中生長的。???????   “對實現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標來說,在200mm硅晶圓上生長出
  • 關鍵字: 硅晶圓  GaN  200mm  MEMC  

如何測試具備UMA/GAN功能的移動電話

  •   要預測客戶對一款手機性能的接受程度,從而預測手機設計的品質(zhì),需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具,本文將介紹如何進行此類測試。   UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時在蜂窩網(wǎng)絡(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡融合發(fā)展過程中一項里程碑式的技術(shù),UMA/GAN能讓手機用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網(wǎng),之后被3
  • 關鍵字: 移動電話  UMA  GAN  SEGW  WLAN  

中國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)MOCVD設備問世

  •   由青島杰生電氣有限公司承擔的國家863半導體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設備研制取得突破,我國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)的并能同時生長6片外延片的MOCVD設備研制成功。      該設備在高亮度的藍光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域具有廣泛應用。MOCVD是半導體照明上游關鍵設備,目前國內(nèi)半導體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設備全部依賴進口。在此之前,杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
  • 關鍵字: 青島杰生電氣  MOCVD  LED  LD  GaN  

藍色激光的應用

智能模塊IPM在雙PWM變頻器中的應用

  • 介紹了智能模塊IPM的原理及其在雙PWM變頻調(diào)速系統(tǒng)中的應用,詳細介紹了IPM的引腳功能及其在系統(tǒng)中的驅(qū)動和電源設計,給出了原理圖及接線圖,并提出設計中各種注意事項。
  • 關鍵字: IPM  雙PWM變頻調(diào)速系統(tǒng)  引腳  

三菱電機推出第四代DIP-IPM

  • 三菱電機將攜同最新推出的第四代DIP-IPM(雙列直插型智能功率模塊),在3月18至20日于上海新國際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展(展位5102)上,為參觀者帶來現(xiàn)今世界上最領先的變頻家電節(jié)能技術(shù)。 三菱電機作為業(yè)界的先驅(qū),早在1997年就開發(fā)了用于白色家電和工業(yè)用電機的變頻驅(qū)動的DIP-IPM。2004年以來,DIP-IPM模塊的開發(fā)致力于小型化、低熱阻化以及完全無鉛化,并已開發(fā)出第四代DIP-IPM產(chǎn)品。如今,為提高DIP-IPM的性價比,增加了新開發(fā)的搭載RC-IGBT硅片的額定電流為3
  • 關鍵字: 三菱 DIP-IPM 功率模塊 電源  200802  

單相逆變器智能功率模塊應用電路設計

  • 摘  要:以PM200DSA060型智能功率模塊(IPM)為例,介紹IPM的結(jié)構(gòu),給出。IPM的外圍驅(qū)動電路、保護電路和緩沖電路的設計方案,介紹PM200DSA060在單相逆變器中的應用。關鍵詞:IPM:電路設計;PM200DSA060;逆變器 1 引言    智能功率模塊(Intelligent Power Module,IPM)以開關速度快、損耗小、功耗低、有多種保護功能、抗干擾能力強、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領域得到越來越廣泛的應用。以PM
  • 關鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  IPM  電路設計  PM200DSA060  模擬IC  電源  

單相逆變器智能功率模塊應用電路設計

  • 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module,IPM)以開關速度快、損耗小、功耗低、有多種保護功能、抗干擾能力強、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領域得到越來越廣泛的應用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應用電路設計和在單相逆變器中的應用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級驅(qū)動器及保護電路構(gòu)成。其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
  • 關鍵字: IPM  MOSFET  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  模塊  

一種延遲電路在變頻控制中的應用

  • 摘    要:本文主要介紹一個由RC和或門電路組成的延遲電路在一變頻控制中的應用,解決了原有芯片死區(qū)時間不確定的問題。關鍵詞:延遲電路;IPM;死區(qū)時間 變頻控制死區(qū)時間簡介熟悉IPM(Inteligent Power Module)工作原理的工程師都知道,控制IPM工作的六路PWM信號,在導通時序上,控制同一通道的上下兩路信號不能出現(xiàn)同時導通的情況,如圖1所示。也就是說同一橋臂的兩個IGBT不能同時導通,如果同時導通,輕則引起IPM的工作保護,造成停機,重則將IPM模塊擊
  • 關鍵字: IPM  死區(qū)時間  延遲電路  
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