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gan ipm 文章 最新資訊

Qorvo推出業(yè)內最高性能的寬帶 GaN 功率放大器

  • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應用和測試儀表應用而設計，擁有多項性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統(tǒng)設計人員帶來提高系統(tǒng)性能和可靠性所需的靈活性，同時減少了元件數(shù)量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業(yè)務
  • 關鍵字： GaN  功率放大器  

電機的應用趨勢及控制解決方案

  • 顧偉俊? （羅姆半導體（上海）有限公司?技術中心?現(xiàn)場應用工程師）摘? 要：介紹了電機的應用趨勢，以及MCU、功率器件的產品動向。 關鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化，在與每個人息息相關的家電領域、車載領 域以及工業(yè)領域，各類電機在技術方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規(guī)劃路線，然后執(zhí) 行移動以及相應
  • 關鍵字： 202003  電機  BLDC  MCU  SiC  IPM  

用智能相位控制技術提高家用電器的電機效率

  • 姜鐵軍 （東芝電子元件（上海）有限公司?系統(tǒng)LSI戰(zhàn)略業(yè)務企劃統(tǒng)括部?高級工程師）摘? 要：介紹了家用電器用電機的特點，以及東芝提升電機效率的智能相位控制技術和產品。 關鍵詞：BLDC；智能相位控制技術；IPM1? 家電用電機的特點?電機在如今這個時代非常重要。根據(jù)相關數(shù)據(jù)顯 示，全球大約50%的電能 是被電機消耗的。在以 前，電機的應用主要集中 在工業(yè)領域，隨著人民生 活水平的不斷提升，家用 電器領域開始異軍突起。 數(shù)量巨大的家用電器在電 機使用中占比很大，如家 電類的冰箱、空調、洗
  • 關鍵字： 202003  BLDC  智能相位控制技術  IPM  

工業(yè)電機用功率半導體的動向

  • Steven?Shackell? （安森美半導體?工業(yè)業(yè)務拓展經理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉向無刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時 需要強固和高質量。安森美以領先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉變帶來的商機。 關鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導體提供全面的電機產品系列，尤其是功 率半導體方面。安森美半導體因來自所有電機類型的 商機感到興奮，并非常看好無刷直流電機(BLDC)應用 （例如電動工具），
  • 關鍵字： 202003  電機  電動工具  MOSFET  工業(yè)  IGBT  IPM  

Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設計

  •  奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術的EV逆變器技術演示器。 GaN是這些應用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關拓撲。在汽車領域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關心的問題?，F(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
  • 關鍵字： Nexperia  GaN  EV逆變器  

納微半導體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用

  • 小米集團和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術已被小米采用，用于旗艦產品Mi 10 PRO智能手機。 小米董事長兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導體材料，其運行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進行0至100％的充電。
  • 關鍵字： 小米  GaN  納微半導體  

Nexperia 推出行業(yè)領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

  • 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
  • 關鍵字： Nexperia  GaN FET  氮化鎵功率器件  MOSFET 器件  

CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

  • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域實現(xiàn)廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
  • 關鍵字： IGBT  SiC  GaN  

Cree積極擴廠開發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術發(fā)展待觀察

  • 全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術進一步應用于功率及射頻元件中。
  • 關鍵字： Cree  射頻  GaN on SiC磊晶技術  

變頻空調IPM可靠性研究與應用

  • 　　黎長源，李帥，項永金（格力電器（合肥）有限公司，安徽 合肥 230088）　　摘要：針對空調用IPM模塊生產過程及運輸周轉過程中出現(xiàn)IPM本體開裂問題，本文從IPM失效機理、器件結構工藝設計、器件應用環(huán)境設計質量可靠性等方面進行分析。通過器件失效機理、結構對比、X光、機械應力測試等對IPM器件本體全方位分析論斷，分析結果表明：IPM整體結構設計存在質量缺陷，IPM抗機械應力強度水平低，在實際應用環(huán)境中以較高的可靠性工作，本次IPM物理機械失效與器件本身設計質量缺陷存在較大關聯(lián)；從器件本身可靠性設計、本
  • 關鍵字： 變頻空調  IPM  開裂  器件結構  機械應力  201907  

支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術

  • 兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實現(xiàn)設計，同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
  • 關鍵字： 德州儀器  600V氮化鎵（GaN）功率器件  

MACOM和意法半導體攜手合作提高硅基GaN產能，支持5G無線網(wǎng)絡建設

  • 　　MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI) (以下簡稱“MACOM”)和意法半導體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡稱“ST”)于25日宣布，將在2019年擴大ST工廠150mm 硅基GaN的產能，200mm硅基GaN按需擴產。該擴產計劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設，基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協(xié)議?！　‰S著全球推出5G網(wǎng)絡并轉向大規(guī)模MIMO(M-MIMO)天線配置，射頻RF功率產品需求預計
  • 關鍵字： MACOM  GaN  

MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能，實現(xiàn)領先的設計敏捷性

  • 　　全球領先的半導體解決方案供應商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產品組合。該寬帶PA模塊經過優(yōu)化改良，適用于陸地移動無線電系統(tǒng)(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰(zhàn)術通信和電子對抗 (ECM) 領域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、 兩級PA架構的高效設計，以及頂端和底端安
  • 關鍵字： MACOM  GaN  

GaN逐步向RF領域的發(fā)展之路

  • 目前，氮化鎵(GaN)技術已經不再局限于功率應用，其優(yōu)勢也在向射頻/微波行業(yè)應用的各個角落滲透，而且對射頻/微波行業(yè)的影響越來越大，不容小覷。因為它可以實現(xiàn)從太空、軍用雷達到蜂窩通信的應用。雖然GaN通常與功率放大器(PA)相關度很高，但它也有其他用例。自推出以來，GaN的發(fā)展歷程令人矚目，隨著5G時代的到來，它可能會更加引人關注。
  • 關鍵字： GaN  RF  

射頻前端市場潛力巨大 GaN發(fā)展優(yōu)勢明顯

  • 目前射頻前端元器件基本均由半導體工藝制備，如手機端的功率放大器(PA)和低噪聲放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻(RF)開關主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，從目前的材料工藝角度來看，主要針對5G的Sub-6GHz范圍。以PA為例，許多業(yè)內人士認為，GaN技術的運用將能為PA帶來高效低功耗的優(yōu)勢。
  • 關鍵字： 射頻  GaN  
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