- 12月10日,第五屆“芯動北京”中關村IC產業(yè)論壇、“華為杯”第四屆中國研究生創(chuàng)“芯”大賽決賽開幕式以線上云會議的方式召開。今年是“十四五”規(guī)劃開局之年,本次會議在北京市委書記蔡奇提出的“舉全市之力做大做強集成電路產業(yè)”指示精神的背景下,高度聚焦集成電路產業(yè)發(fā)展,邀請了來自國內外“政產學研用”領域嘉賓齊聚一堂,圍繞創(chuàng)“芯”機、育“芯”才等主題進行深入交流,探討當前形勢下我國集成電路產業(yè)如何應對挑戰(zhàn),共繪集成電路產業(yè)發(fā)展新藍圖。 北京市委常委、副市長殷勇,中國半導體行業(yè)協會設計分會理事長魏少軍,創(chuàng)“芯”大賽
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IC PARK 芯動北京
- GaN(氮化鎵)作為新興的第三代寬禁帶半導體材料,以高頻、高壓等為特色。但是長期以來,在功率電源領域,處于常規(guī)的Si(硅)和熱門的SiC(碳化硅)應用夾縫之間。GaN產品的市場前景如何?GaN技術有何新突破?不久前,消費類GaN(氮化鎵)功率解決方案供應商——納微半導體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片,采用了專利的GaNSense?技術。值此機會,電子產品世界的記者采訪了銷售營運總監(jiān)李銘釗、高級應用總監(jiān)黃秀成、高級研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖 從左至右:納微半導體級的高級應用總監(jiān)黃秀成、銷售營運總監(jiān)李銘
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GaN 集成 202201
- 10月19日消息,據The Verge報道,蘋果公司向其證實,新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器?! ∨c傳統(tǒng)充電器相比,GaN充電器的更小、更輕,同時支持大功率。 此外,蘋果公司還確認,140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標準,這意味著該充電器可以為其他支持該標準的設備充電?! ⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現已在蘋果中國官網上架?! ∑渲校?40W USB-C電源適配器的價格為729元,USB-C轉MagSa
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蘋果 電源適配器 GaN 充電器
- 以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發(fā)展的階段,Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產業(yè)中大規(guī)模應用。但不可否認,第三代半導體確實具有更多的性能優(yōu)勢。
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碳化硅 SiC 氮化鎵 GaN 寬禁帶 WBG
- 2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數字控制電源(PPS)適配器應用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案,不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能,同時還能顯著減少BOM,非常適合要求具備超薄小巧外形的應用設計。 新IC采用超薄InSOP?-24D封裝,內部集成
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PI InnoSwitch?3-PD GaN
- TI領先的功率密度、全新架構與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務器的設計難題,降低總所有成本
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GAN TI 電源供應器
- 經晶圓廠認證的全生命周期可靠性簽核有助于預防汽車、醫(yī)療和5G芯片設計中的過度設計和昂貴的后期ECO(工程變更指令) 要點: ? 經過驗證的技術統(tǒng)一工作流程在整個產品生命周期內提供符合ISO 26262等標準的高性能可靠性分析? 與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無縫使用業(yè)界領先的仿真器進行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析? 與PrimeWave?設計環(huán)境整合
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可靠性分析 IC
- TrendForce集邦咨詢表示,2021年隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉換及新能源車等需求拉升,驅使如基站、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增,使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中,以GaN功率元件成長幅度最高,預估今年營收將達8,300萬美元,年增率高達73%。據TrendForce集邦咨詢研究,GaN功率元件,其主要應用大宗在于消費性產品,至2025年市場規(guī)模將達8.5億美元,年復合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源車20
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新能源車 GaN 功率元件
- 原標題:多家IC設計廠商證實:收到臺積電漲價通知 強調不影響合作關系 8月25日,市場幾度傳出臺積電即將全線漲價,從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進制程漲幅達10%,到全面漲價20%,并從即日起生效。 對此,據中央社報道,多家IC設計廠商證實收到臺積電漲價通知,并表示不會因而影響與臺積電的合作關系?! C設計業(yè)者指出,臺積電包含7納米及5納米的先進制程漲價約7%至9%,其余成熟制程代工價格漲幅約20%。 此外,臺積電罕見未給客戶緩沖期,今天通知漲價隨即于今天生效,供應鏈也緊急尋求因應
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IC 臺積電 漲價
- 氮化鎵(GaN)是一種III/V族寬能隙化合物半導體材料,能隙為3.4eV,電子遷移率為1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此,GaN的固有特性,讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻,亦即相較于同尺寸的硅基組件,GaN可處理更大的負載、效能更高,而且物料清單成本更低。在過去的十多年里,產業(yè)專家和分析人士一直在預測,GaN功率開關組件的黃金時期即將到來。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件,GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力,這
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- 氮化鎵快充火爆的背后,除了受消費者需求影響,是否還有其他原因?為什么快充會率先用到氮化鎵呢?
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氮化鎵 快充 GaN
- 財聯社6月24日訊,據媒體報道,IC設計業(yè)者透露,明年初晶圓代工價格已經敲定,不僅聯電8英寸和12英寸的晶圓代工價格續(xù)漲,晶圓代工龍頭臺積電也漲價,部分8英寸和12英寸制程價格上漲一到兩成,且12英寸制程漲幅高于8英寸。臺積電發(fā)言窗口表示,不評論價格問題。
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IC 晶圓廠 臺積電
- 空間應用電源需要在抗輻射技術環(huán)境中運行,防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響,因為這類事件會降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運行。為滿足這一要求,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds(on)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)獲得了商業(yè)航天和國防空間應用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供了主要的開關元件,包括負載點轉換器、DC-DC轉換器、電
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MOSFET LET IC MCU
- 據WSTS統(tǒng)計,21Q1全球半導體市場銷售值1,231億美元,較上季(20Q4)成長3.6%,較2020年同期(20Q1)成長17.8%;銷售量達2,748億顆,較上季成長4.9%,較去年同期成長22.7%;ASP為0.448美元,較上季衰退1.2%,較去年同期(20Q1)衰退4.0%。區(qū)域市場方面,中國大陸市場銷售值成長幅度最高,較上季(20Q4)成長8.9%,達到434億美元,較去年同期(20Q1)成長25.6%;歐洲市場次之,較上季(20Q4)成長8.8%,達到110億美元,較去年同期成長8.7%;
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- 德州儀器(TI)今日宣布與中國領先的軌道交通設備制造商中車株洲電力機車研究所有限公司(后簡稱“株洲所”)簽署諒解備忘錄,升級共同運營的聯合設計實驗室,實現更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產品和技術,加速包括軌道交通,電動汽車等方面的應用設計以助力中國新基建關鍵領域建設。合作還將拓展至太陽能和風能等可再生能源方面的應用,以響應中國在2060年實現碳中和的宏偉目標。德州儀器(TI)與中車株洲電力機車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動中國城際軌道交通系統(tǒng)的快速
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