gan ic 文章最新資訊

功率GaN RF放大器的熱考慮因素

氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場中獲得應(yīng)用。其中許多應(yīng)用需要很長的使用壽
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使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強(qiáng)型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗(yàn)證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶提供此項(xiàng)新流程。通過在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
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大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案

2022年9月20日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產(chǎn)品以及氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案的展示板圖以手機(jī)、電腦為代表的移動(dòng)智能設(shè)備已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ畹闹匾ぞ?，然而隨著這些設(shè)備所覆蓋的功能越來越多，設(shè)備有限的續(xù)航能力已經(jīng)無法滿足用戶對(duì)
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使用集成GaN解決方案提高功率密度

氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強(qiáng)型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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GaN將在數(shù)據(jù)服務(wù)器中挑起效率大梁

雖然增加可再生能源是全球的大趨勢，但這還不夠，能源效率是另一個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域，這是因?yàn)榉?wù)器及其冷卻系統(tǒng)對(duì)能源消耗，占據(jù)了數(shù)據(jù)中心將近40%的運(yùn)營成本。GaN具有獨(dú)特的優(yōu)勢，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數(shù)據(jù)中心的配電和轉(zhuǎn)換、節(jié)能、減少對(duì)冷卻系統(tǒng)的需求，并最終使數(shù)據(jù)中心更具成本效益和可擴(kuò)展性。數(shù)字化和云端服務(wù)的快速建置推動(dòng)了全球數(shù)據(jù)服務(wù)器的產(chǎn)業(yè)規(guī)模的成長。今天，數(shù)據(jù)服務(wù)器消耗了全球近1%的電力，這個(gè)數(shù)字預(yù)計(jì)會(huì)不斷的成長下去。次世代的產(chǎn)業(yè)趨勢，例如虛擬世界、增強(qiáng)實(shí)境和虛擬現(xiàn)實(shí)，所消耗大量電力將遠(yuǎn)超現(xiàn)今地球上所能
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殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？

在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。基于硅（Si）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導(dǎo)體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應(yīng)用之門。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
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東芝級(jí)聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應(yīng)用的痛點(diǎn)

和傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導(dǎo)通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導(dǎo)體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡單來說，GaN 的開關(guān)速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數(shù)極小，開關(guān)速度極高，比較適合高頻應(yīng)用，例如：電動(dòng)汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉(zhuǎn)換電路、OBC（車載充電）、低功率開關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達(dá)、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
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西門子推出 Symphony Pro 平臺(tái)，大幅擴(kuò)展混合信號(hào) IC 驗(yàn)證能力

· 西門子先進(jìn)的混合信號(hào)仿真平臺(tái)可加速混合信號(hào)驗(yàn)證，助力提升生產(chǎn)效率多達(dá)10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進(jìn)的數(shù)字驗(yàn)證方法學(xué)，適用于當(dāng)今前沿的混合信號(hào)設(shè)計(jì) 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出　Symphony? Pro 平臺(tái)，基于原有的　Symphony 混合信號(hào)驗(yàn)證能力，進(jìn)一步擴(kuò)展功能，以全面、直觀的可視化調(diào)試集成環(huán)境支持新的Accellera 標(biāo)準(zhǔn)化驗(yàn)證方法學(xué)，使得生產(chǎn)效率比傳統(tǒng)解決方案提升
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Transphorm的表面貼裝封裝產(chǎn)品系列增加行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-263 (D2PAK)封裝產(chǎn)品，擴(kuò)大SuperGaN平臺(tái)的優(yōu)勢

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴(kuò)充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應(yīng)晶體管 (FET)，典型導(dǎo)通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應(yīng)用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過了J
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打造驅(qū)動(dòng)第三代功率半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

受訪人：亞德諾半導(dǎo)體　　大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動(dòng)汽車充電站、新能源等基礎(chǔ)設(shè)施的廣泛部署使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。新型和未來的SiC/GaN功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來巨大進(jìn)步，其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。好馬
關(guān)鍵字： 202207 ADI 第三代半導(dǎo)體 IC 功率器件

東芝級(jí)聯(lián)共源共柵技術(shù)解決GaN應(yīng)用痛點(diǎn)

受訪人：黃文源東芝電子元件（上海）有限公司半導(dǎo)體技術(shù)統(tǒng)括部技術(shù)企劃部高級(jí)經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　回答：自從半導(dǎo)體產(chǎn)品面世以來，硅一直是半導(dǎo)體世界的代名詞。但是，近些年，隨著化合物半導(dǎo)體的出現(xiàn)，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導(dǎo)體業(yè)界將硅（Si）作為第一代半導(dǎo)體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導(dǎo)體的
關(guān)鍵字：東芝 GaN 級(jí)聯(lián)共源共柵

第三代半導(dǎo)體市場的“互補(bǔ)共生”

　　受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營銷組的應(yīng)用經(jīng)理，負(fù)責(zé)工業(yè)和個(gè)人電子市場的定制電源設(shè)計(jì)。他的團(tuán)隊(duì)每年負(fù)責(zé)500項(xiàng)設(shè)計(jì)，并在過去20年中設(shè)計(jì)了15000個(gè)電源。Robert于2002年加入TI，大部分時(shí)間都在擔(dān)任各種應(yīng)用的電源設(shè)計(jì)師。Robert擁有佛羅里達(dá)大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　
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TrendForce：預(yù)計(jì)第三季度驅(qū)動(dòng) IC 價(jià)格降幅將擴(kuò)大至 8%-10%

IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨詢報(bào)告顯示，在供需失衡、庫存高漲的狀況下，預(yù)計(jì)第三季度驅(qū)動(dòng) IC 的價(jià)格降幅將擴(kuò)大至 8%-10% 不等，且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢進(jìn)一步表示，中國面板驅(qū)動(dòng) IC 供貨商為了鞏固供貨動(dòng)能，更愿意配合面板廠的要求，價(jià)格降幅可達(dá)到 10%-15%。報(bào)告指出，在需求短期間難以好轉(zhuǎn)下，面板驅(qū)動(dòng) IC 價(jià)格不排除將持續(xù)下跌，且有極大可能會(huì)比預(yù)估的時(shí)間更早回到 2019 年的起漲點(diǎn)。此外，TrendFor
關(guān)鍵字： IC TrendForce 市場

GaN是否具有可靠性？或者說我們能否如此提問？

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世，電源設(shè)計(jì)人員對(duì)硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實(shí)上，GaN行業(yè)已經(jīng)在可靠性方面投入了大量精力和時(shí)間。而人們對(duì)于硅可靠性方面的問題措辭則不同，比如“這是否通過了鑒定？”盡管GaN器件也通過了硅鑒定，但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個(gè)合理的觀點(diǎn)，因
關(guān)鍵字： GaN FET 電源可靠性