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EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan fet

泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案， 加快SiC和GaN技術驗證速度

  • 中國北京，2023年5月31日—— 全球領先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無縫集成到示波器測量系統(tǒng)
  • 關鍵字： 泰克  示波器  雙脈沖測試  SiC  GaN  

Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

  • 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業(yè)和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產品。這款產品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場的三相電力系統(tǒng)。與替代技術相比，這些應用可受益于1
  • 關鍵字： Transphorm  1200伏  GaN-on-Sapphire器件  常關型  氮化鎵.三相電力系統(tǒng)  

使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關效率

  • 碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類封裝的連接往往會導致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹慎使用開爾文連接技術以解決電感問題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、
  • 關鍵字： Qorvo  開爾文  FET  

EPC起訴英諾賽科，要求保護氮化鎵(GaN)專利

  • 案例聚焦新一代替代硅技術?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術的全球領導者宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際 貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎專利組合中的 四項專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統(tǒng)稱英諾賽科）侵犯。 這些專利 涉及宜普公司獨家的增強型氮化
  • 關鍵字： 宜普電源  EPC  英諾賽科  氮化鎵  GaN  

意法半導體的100W和65W VIPerGaN功率轉換芯片節(jié)省空間

  • 2023?年?5?月?19?日，中國——意法半導體高壓寬禁帶功率轉換芯片系列新增VIPerGaN100?和?VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關管準諧振(QR)反激式功率轉換器。這個尺寸緊湊、高集成度的產品設計的目標應用包括USB-PD充電器、家電、智能建筑控制器、照明、空調、智能表計和其他工業(yè)應用的開關式電源(SMPS)。?每個器件都集成了脈寬調制?(PWM)?控制器和650
  • 關鍵字： 意法半導體  GaN  功率轉換芯片  

ROHM開始量產具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

  • 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。據(jù)悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實現(xiàn)無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
  • 關鍵字： ROHM  650V  GaN HEMT  

意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片

  • 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關斷電流，集成軟啟動時間可調、內部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過流保護、熱關斷等保護功能。擴
  • 關鍵字： 意法半導體  隔離式降壓轉換器  功率轉換  IGBT  SiC  GaN  晶體管柵極驅動  

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅動器參考設計

  • 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實現(xiàn)更長的續(xù)航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農業(yè)機械、叉車和大功率無人機等應用。EPC9186在每個開關位置使用四個并聯(lián)的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關鍵功能電路
  • 關鍵字： EPC  GaN FET  ARMS  電機驅動器  

Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET

  • 奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。  Nexperia的新產品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
  • 關鍵字： Nexperia  E-mode GAN FET  

深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊

  • 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優(yōu)勢。GaN 產業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實現(xiàn)商用，6 英寸
  • 關鍵字： GaN-on-Si  氮化鎵  

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

  • 作為提供不間斷連接的關鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。?氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產品線負責人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  電源管理  

高電壓技術是構建更可持續(xù)未來的關鍵

  • 隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長，高電壓技術領域的創(chuàng)新讓設計工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術更易于使用。?“隨著人均用電量的持續(xù)增長，可持續(xù)能源變得越來越重要，”TI 副總裁及高電壓產品部總經理 Kannan Soundarapandian 表示?！耙载撠煹姆绞焦芾砟茉词褂梅浅Ｖ匾?。我們不能浪費任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術的創(chuàng)新是實現(xiàn)能源可持續(xù)的關鍵?！?隨著電力需求的增加（在 2 秒內將電動汽車 (EV) 從 0mph加速到 60mph?
  • 關鍵字： 高電壓技術  電動汽車  GaN  IGBT  

柵極長度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應具有魯棒性

  • 當今行業(yè)中發(fā)現(xiàn)的大多數(shù) FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現(xiàn)的電子特性。根據(jù)摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設備保持強靜電。過渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包括在 0.7 A 下實現(xiàn)激進的溝道長度縮放。自從在現(xiàn)代電子產品中引入場效應晶體管 (FET) 以來，理論和應用電路技術已經取得了多項改進。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
  • 關鍵字： 柵極  FET  

連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案

  • ３月下旬，全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業(yè)內介紹Qorvo在自身移動產品和基礎設施應用上的射頻領導地位進面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領域的最新進展。Matter出世，化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實，但要將數(shù)以百億計的設備進行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現(xiàn)打破了這個局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
  • 關鍵字： Qorvo  Matter  SiC FET  UWB  

GaN 出擊

  • 自上世紀五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領域迅速發(fā)展。隨著時間的流逝，盡管目前業(yè)內仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關注。近段時間，GaN 方面又有了新進展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計劃
  • 關鍵字： GaN  SiC  
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