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gaas hbt 文章 最新資訊

提高GaAs襯底上InAs量子阱的遷移率

  • 德國的研究人員報告說，在分子束外延 （MBE） 期間使用的表面平滑技術提高了砷化銦 （InAs） 量子阱 （QW） 在砷化鎵 （GaAs） 襯底上的遷移率，特別是在低于 120K 的低溫下 [A. Aleksandrova et al， Appl. Phys. Lett.， v126， p232109， 2025]。來自柏林洪堡大學、Institut Kurz GmbH 和 Paul-Drude-Institut für Festk?rperelektronik 的團隊評論道：“隨著表面平滑的引
  • 關鍵字： GaAs  InAs  量子阱  遷移率  

一款高三階交調(diào)點的GaAs射頻放大器

  • 介紹了一款滿足于5G通信發(fā)展要求，工作頻率高增益，高線性度，高三階交調(diào)點的射頻放大器的設計。采用砷化鎵異質(zhì)結晶體管（GaAs HBT）工藝，基于達林頓結構進行設計。在原有結構基礎上，添加了偏置結構，一方面提高了放大器工作狀態(tài)的線性度，提高了三階交調(diào)點指標；另一方面保證晶體管工作電流在-55℃，125℃工作狀態(tài)下保持穩(wěn)定。放大器能夠工作在10 MHz~4 GHz，輸出三階交調(diào)點達到40 dBm，線性度高，適用于5G通信信號處理系統(tǒng)。
  • 關鍵字： 202306  射頻放大器  GaAs HBT  三階交調(diào)點  高線性度  

一款應用于Wi-Fi?6E設備的GaAs?HBT功率 放大器

  • 摘要：針對WIFI 6E頻段的設備需求，設計了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質(zhì)結雙極型晶體 管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級放大拓撲結構，采用自適應偏置電路結構解決HBT晶體管在 大功率輸入下偏置點變化及自熱效應引起增益及線性度惡化的問題。測試結果表明，在5.9?GHz~7.2?GHz頻段 內(nèi)，功率放大器增益＞27?dB，輸出飽和功率＞1?W，附加效率＞24 %，芯片面積：1.24?mm×1.27?mm。關鍵詞：功率放大器；WIFI 6E；GaAs HBT近
  • 關鍵字： 202206  功率放大器  WIFI 6E  GaAs HBT  

Strategy Analytics：蜂窩應用推動RF GaAs收益超8億美元

  • 　　在經(jīng)歷2016年相對平穩(wěn)的一年之后，2017年RF GaAs設備市場收益增長了超過7%。盡管GaAs設備被應用在各種商業(yè)和國防應用中，但無線市場仍然是該技術的主要用戶。 移動手機將繼續(xù)定義收益軌跡，但新興的5G網(wǎng)絡部署將有助于未來的增長。 Strategy Analytics高級半導體應用(ASA)服務最新發(fā)布的研究報告《RF GaAs設備行業(yè)預測：2017年 - 2022年》預測，RF GaAs收益將在預測期結束時突破90億美元的里程碑?！　trategy Analytics高級半導體應用(ASA
  • 關鍵字： RF  GaAs  

ADI收購寬帶GaAs和GaN放大器專業(yè)公司OneTree Microdevices

  • 　　Analog?Devices,?Inc.?今日宣布收購位于美國加利福尼亞州Santa?Rosa的OneTree?Microdevices公司。ADI公司是業(yè)界領先的混合信號解決方案供應商，提供從數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、時鐘到控制/電源調(diào)節(jié)等電纜接入解決方案。OneTree?Microdevices的GaAs和GaN放大器具有業(yè)內(nèi)最佳的線性度、輸出功率和效率，收購該公司及產(chǎn)品組合后，使ADI公司能夠支持下一代電纜接入網(wǎng)絡的整個信號鏈。該筆交易的財務條款未予
  • 關鍵字： ADI  GaAs  

高通搶進GaAs制程PA市場 穩(wěn)懋順利搶下代工大單

  • 　　美國高通(Qualcomm)宣布推出一系列全面性的射頻前端(RFFE)解決方案，包括首度推出砷化鎵(GaAs)多模功率放大器(MMPA)模塊，與首款支持載波聚合(Carrier Aggregation，CA)的動態(tài)天線調(diào)諧解決方案。 　　   　　穩(wěn)懋月合并營收 　　據(jù)了解，高通為搶攻GaAs的功率放大器市場大餅已擴大委外，臺灣GaAs晶圓代工廠穩(wěn)懋勇奪代工大單。 穩(wěn)懋是全球最大GaAs晶圓代工廠，多數(shù)智能手機內(nèi)建PA或RF(射頻)組件皆由穩(wěn)懋代工。 法人表示，穩(wěn)懋近期股價表現(xiàn)強
  • 關鍵字： 高通  GaAs  

石墨烯中的電子表現(xiàn)得像光一樣 甚至更好

  • 　　由哥倫比亞大學物理學助理教授Cory Dean，弗吉尼亞大學電氣和計算機工程教授Avik Ghosh以及哥倫比亞大學Wang Fong-Jen名譽工程教授James Hone領導的一個團隊，第一次直接觀察到了在電子通過導電材料中兩個區(qū)域之間的邊界時發(fā)生了負折射。這種效應在2007年首次被預測，但一直以來都難以從實驗上來證實。研究人員現(xiàn)在能夠在石墨烯中觀察到了這種效應，證明在原子級別的厚度的材料中，電子表現(xiàn)得像光線一樣，可以通過透鏡和棱鏡等光學器件進行操縱。這項發(fā)表9月30日的《科學》雜志上的研究結果可
  • 關鍵字： 石墨烯  GaAs  

5G和軍工雙輪驅(qū)動化合物半導體業(yè)爆發(fā)

  • 5G已經(jīng)成為通信領域里的重點研究對象，5G 標淮引爆全球群英戰(zhàn)，美國率先完成 5G 頻譜分配，在 5G 標淮制定中誰掌握話語權，將會在新一代移動通信技術革命中占據(jù)先機。而隨著2020年5G逐漸步入商用，使物聯(lián)網(wǎng)逐漸成為現(xiàn)實；以及國防信息化推進加速，化合物半導體將來爆發(fā)。
  • 關鍵字： 5G  GaAs   

我國發(fā)展化合物半導體產(chǎn)業(yè)正當時

  • 當前，全球半導體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關注點，我國應加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動權。
  • 關鍵字： GaAs  GaN  

瑞典新興公司宣布針對太陽能的納米線突破技術 具備可提高模組性能50％以上的潛力

  • 　　瑞典隆德4月22日，在一項針對太陽能的重大突破技術上，瑞典的先進材料新興公司Sol Voltaics AB已經(jīng)證明其納米線技術在薄膜上取得了校準和定向的成功。此項成就彰顯太陽能納米線制造迄今最重要的技術里程碑，為光伏(PV)模組實現(xiàn)27%及更高的轉(zhuǎn)換效率鋪平了道路—此舉將使現(xiàn)今的太陽能模組轉(zhuǎn)換效率提升50%?！　〖{米線在太陽能發(fā)電上展現(xiàn)出了前景可期的特性，但由于高深寬比及材料特性卻使納米線非常難以校準。通過在標準尺寸晶圓上以厘米級控制納米線的校準和定向，Sol Volta
  • 關鍵字： GaAs  模組  

10W高線性802.11n功率放大芯片設計

  • 本文介紹了一款用于無線局域網(wǎng)802.11n的10W功率放大芯片。該芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特點，并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技術，芯片面積僅為10mm×10mm。功率放大器采用了熱分流式結構，飽和輸出功率可達41dBm，功率附加效率達到40%，功率增益為38dB。此外芯片內(nèi)部設計了50歐姆的輸入輸出匹配電路與片內(nèi)ESD保護電路，方便用戶安全使用。
  • 關鍵字： 功率放大器  802.11n  GaAs HBT  熱分流  201604  

硅基GaN射頻功放：正走向大規(guī)模商用

  • 　　硅基GaN潛力大 　　近日，MACOM在京召開新聞發(fā)布會，MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發(fā)明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。” 　　圖1 GaN的巨大潛力 　　如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場，而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍海。
  • 關鍵字： GaAs  GaN  

2018年GaAs射頻器件收入將飆升至80億美元

  • 　　根據(jù)StrategyAnalytics高端半導體應用(ASA)電子數(shù)據(jù)表模型和GaAs器件預測與前景展望報告顯示，手機終端中砷化鎵的應用仍然是GaAs器件增長的主要驅(qū)動力，GaAs器件市場繼2014年創(chuàng)下射頻器件收入記錄后，有望在今年突破70億美元大關，預計到2019年總收入將飆升至峰值80億美元。報告提到，雖然價格侵蝕與技術競爭將削減其增長速度，但是GaAs器件收入將繼續(xù)保持增長的勢頭。 　　報告得出結論，無線應用仍然是GaAs器件的主要市場，占據(jù)了總額的約80%。其中,無線應用中的手機終端占據(jù)了
  • 關鍵字： GaAs  射頻器  

高效率高諧波抑制功率放大器的設計

  • 　　0 引言 　　隨著無線通信的快速發(fā)展和廣泛普及，無線系統(tǒng)標準對收發(fā)機的性能要求越來越高。功率放大器作為發(fā)射機的主要組成部分，其指標決定著發(fā)射機的性能，如效率 決定著整機功耗，線性度決定著整機的動態(tài)范圍，諧波分量大小又是發(fā)射機線性度的度量。傳統(tǒng)的功率放大器為了獲得較高效率，功放管通常會工作于飽和狀態(tài)，這 時將有大量的諧波分量產(chǎn)生。如果不對諧波分量加以回收和抑制，這不單會造成能量的浪費，降低了其效率，還會對其他信道的信號造成干擾。 　　通常功率放大器為了獲得較高的效率和較低的諧波分量都使得功率放大器工
  • 關鍵字： 功率放大器  GaAs   
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