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富士通推出具業(yè)界最佳運行功耗的64 Kbit FRAM

　　4月15日消息，富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出具業(yè)界最低運行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品?！　〈薋RAM產(chǎn)品采用I2C接口，能以最高3.4 MHz的頻率及1.8V至3.6V寬電源電壓運行。此外，其平均電流極低，以3.4 MHz運行時為170 μA;以1 MHz運行時則為80 μA?！　〕司邩I(yè)界標準8引腳SOP(small outline package)之外，富士通還提
關鍵字：富士通 FRAM

進軍智能水/氣表市場，富士通FRAM再下一城

　　在計量儀表行業(yè)，水表/氣表目前仍是不同于電表的一個“藍海”市場，對成本的敏感度遠低于對功耗的敏感度，正是因為這一特點，使得FRAM這一無電池存儲技術在無論是通信單元(中繼)還是計量單元都得到越來越多的應用?！　《谏钲谧罱e辦的2015智能水/氣計量及管網(wǎng)執(zhí)行力論壇(WATER&GAS METERING China2015)上，富士通半導體的展臺人頭攢動，業(yè)界對這一新型存儲技術的關注可見一斑，F(xiàn)RAM在電表領域的成功很快將延伸到一顆電池要用10-15年的水/氣表中，甚至有過
關鍵字：富士通 FRAM

在RFID中嵌入FRAM，打破傳統(tǒng)RFID標簽的一系列限制

　　開車的朋友可能會有這樣的經(jīng)歷，當您經(jīng)過高速公里收費站時，您的交通收費卡在進站和出站時偶爾會無法讀取，原因是您的交通卡使用的頻率比較高，超過了它的讀寫次數(shù)。目前，這些交通卡大部分是采用內(nèi)嵌EEPROM的RFID制作的，而如果將智能交通卡中的EEPROM換成FRAM，問題就迎刃而解了。　　“采用FRAM 的RFID的讀寫次數(shù)可以達到1012，而采用EEPROM 的RFID的讀寫次數(shù)最多只有一百萬次，這就是為何高速收費處偶爾會出現(xiàn)數(shù)據(jù)讀不出的問題。”富士通半導體(上海)有限公司市
關鍵字： FRAM RFID

富士通為1Mb序列FRAM開發(fā)超小型封裝

　　富士通半導體臺灣分公司宣布成功開發(fā)及推出1Mb FRAM(鐵電隨機存取記憶體)的MB85RS1MT元件，并采用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實現(xiàn)將擁有序列周邊介面SPI的1Mb FRAM成為最小尺寸的FRAM元件。　　WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應用產(chǎn)品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時將功耗降至最低，并提供更持久的電池續(xù)航力。　　穿戴式市場是目
關鍵字：富士通 FRAM

富士通為1Mb序列FRAM開發(fā)超小型封裝

　　富士通半導體臺灣分公司宣布成功開發(fā)及推出1Mb FRAM(鐵電隨機存取記憶體)的MB85RS1MT元件，并采用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實現(xiàn)將擁有序列周邊介面SPI的1Mb FRAM成為最小尺寸的FRAM元件。　　WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應用產(chǎn)品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時將功耗降至最低，并提供更持久的電池續(xù)航力。　　穿戴式市場是目
關鍵字：富士通 FRAM

可穿戴電子應用的FRAM

　　引言：　　FRAM存儲器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。　　正文：　　鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動化、關鍵任務空間應用、高可靠軍事以及各種汽車應用。使FRAM適用于這些應用的特征也使之成了可穿戴應用的可行技術，因為FRAM技術與生俱來的附加屬性包括低功耗與高耐用性。　　電子可穿戴設計的一個主要注意事項是在提升可靠性的同時降低總體功耗。設計人員必須在增加功能的同時降低系統(tǒng)功耗，以便延長電池使用壽命。與此同時，嵌入式軟件的大小和復雜性
關鍵字： FRAM 存儲器

德州儀器 (TI) 全新超低功耗FRAM微控制器為數(shù)據(jù)存儲與恢復帶來變革，在電源意外中斷時確保數(shù)據(jù)安全

　　為了解決困擾工程師們數(shù)十年的設計難題，德州儀器 (TI) (NASDAQ: TXN) 日前宣布推出具有革命性的Compute Through Power Loss (CTPL)技術，以在包括全新MSP430FR6972 MCU的整個MSP430TM FRAM微控制器 (MCU) 產(chǎn)品系列中實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲與恢復。這項正在申請專利的技術能夠在應用程序意外斷電后通過智能系統(tǒng)狀態(tài)恢復實現(xiàn)瞬時喚醒。此外，具有TI CTPL技術的全新MSP430FR6972 MCU包含了集成的智能模擬和數(shù)字外設，用于減少系統(tǒng)成本、
關鍵字：德州儀器 FRAM

FRAM邁向主流存儲器之漫漫長路…

　　鐵電記憶體(FRAM，或FeRAM)在1990年代中期被認為將成為主流技術，但至今仍與其他眾多新記憶體技術一樣，并沒有如預期般迅速崛起。FRAM的內(nèi)部運作原理類似DRAM，有媲美SRAM的高速度以及如同快閃記憶體的非揮發(fā)性;在1980年代首個成功的FRAM電路問世，其通用功能就被認為可以在許多應用中取代DRAM、SRAM與EEPROM。　　“那樣的情況就是沒有發(fā)生，”半導體產(chǎn)業(yè)分析師Jim Handy (來自Objective Analysis)在Cypress收購FRAM
關鍵字： FRAM

物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、高清視頻應用需要怎樣的金剛鉆？

　　“有了金剛鉆，敢攬瓷器活”，當物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、智能汽車、高清視頻等熱門應用載著滿滿的財富襲來之時，半導體廠商是否有足夠先進的技術以應對呢?尤其是在需要高性能的細分市場，對于半導體廠商的要求更高。例如，物聯(lián)網(wǎng)需要小型、低功耗、高可靠的存儲器解決方案，智能汽車需要先進的圖形顯示控制器以實現(xiàn)ADAS功能，而實時4K則需要H.265編碼能力。　　在本屆慕尼黑上海電子展上，相關廠商展示的幾項“低調奢華有內(nèi)涵”的相關技術方案引起了筆者的關注：高可靠FRA
關鍵字：物聯(lián)網(wǎng) 智能汽車 FRAM 高清視頻

控制自身功耗預算并優(yōu)化軟件的MCU？說說MSP430 FRAM

　　MSP430FR59x/69x FRAM MCU產(chǎn)品系列集成了涵蓋32KB至128KB嵌入式FRAM的EnergyTrace++?實時功耗分析器和調試器。這些MSP430? MCU非常適用于智能計量儀表、可佩戴式電子產(chǎn)品、工業(yè)和遠程傳感器、能量收集裝置、家庭自動化設備、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)以及更多需要超低功耗、靈活內(nèi)存選擇和智能模擬集成的應用。　　EnergyTrace++技術是全球第一個能使開發(fā)人員為每個外設實時分析功耗(電流分辨率低至5nA)的調試系統(tǒng)。這
關鍵字： FRAM 物聯(lián)網(wǎng)

FRAM存儲“多、快、省”

　　近日，富士通半導體(上海)有限公司市場部經(jīng)理蔡振宇介紹了FRAM(鐵電存儲器)產(chǎn)品在應用中的獨特優(yōu)勢。擁有15年FRAM量產(chǎn)經(jīng)驗的富士通半導體，用“多、快、省”形象地概括出FRAM的特點?！岸唷敝傅氖荈RAM的高讀寫耐久性(1萬億次)的特點，可以頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài);“快”指的是FRAM的高速燒寫(是EEPROM的40000倍)特性，這可以幫助系統(tǒng)設計者解決突然斷電數(shù)據(jù)丟失的問題;“省”是FRAM超低
關鍵字：富士通 FRAM EEPROM 201503

FRAM以領先特性解決應用瓶頸、促進產(chǎn)品創(chuàng)新

　　在海量的固態(tài)存儲技術已經(jīng)非常廣泛應用、云存儲正在盛行的今天，還有一種KB、MB量級的存儲技術大賣，并且在物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子、消費電子、工業(yè)電子……幾乎所有的行業(yè)中無處不在。這種存儲技術就是鐵電存儲器(FRAM)。在近日于深圳舉辦的易維訊年度中國ICT媒體論壇上，富士通半導體(上海)有限公司市場部經(jīng)理蔡振宇分享了FRAM產(chǎn)品在應用中的獨特技術特性優(yōu)勢，特別是FRAM RFID和認證FRAM方面眾多的創(chuàng)新應用案例對電子產(chǎn)品的設計具有很好的創(chuàng)新啟發(fā)，受到與會嘉賓的關注。　　
關鍵字： FRAM EEPROM

FRAM以領先特性解決應用瓶頸、促進產(chǎn)品創(chuàng)新

　　在海量的固態(tài)存儲技術已經(jīng)非常廣泛應用、云存儲正在盛行的今天，還有一種KB、MB量級的存儲技術大賣，并且在物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子、消費電子、工業(yè)電子……幾乎所有的行業(yè)中無處不在。這種存儲技術就是鐵電存儲器(FRAM)。在近日于深圳舉辦的易維訊年度中國ICT媒體論壇上，富士通半導體(上海)有限公司市場部經(jīng)理蔡振宇分享了FRAM產(chǎn)品在應用中的獨特技術特性優(yōu)勢，特別是FRAM RFID和認證FRAM方面眾多的創(chuàng)新應用案例對電子產(chǎn)品的設計具有很好的創(chuàng)新啟發(fā)，受到與會嘉賓的關注。　　
關鍵字： FRAM 物聯(lián)網(wǎng)

富士通：鐵電存儲器我也很牛的！

　　鐵電隨機存取記憶體(Ferroelectric RAM，F(xiàn)RAM;或稱FeRAM)由于結合了ROM與RAM的優(yōu)勢，具備非揮發(fā)性、高速寫入、高耐受度、低功耗等方面的條件，在這幾年來不斷擴大市場版圖，特別是在工業(yè)應用領域備受矚目;隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)崛起，F(xiàn)RAM也可望在各類智慧連網(wǎng)裝置上找到更多新應用商機。　　在FRAM技術領域耕耘15年的日商富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)，自1999年首度量產(chǎn) FRAM 元件以來，全球出貨量累計已超過25億顆，具備多樣化的產(chǎn)品種類選擇;
關鍵字：富士通鐵電存儲器 FRAM

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fram介紹

鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標準的串行和并行接口，工業(yè)標準的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。　　非易失性記憶體掉電后數(shù)據(jù)不丟失?？墒撬械姆且资杂洃涹w均源自ROM技術。你能想象到,只讀記憶體的數(shù)據(jù)是不可能修改的 [ 查看詳細 ]