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fab-lite 文章 最新資訊

紅外熱成像機芯新力量：艾睿光電Micro Ⅲ Lite紅外熱成像輕薄時代！

X-FAB領(lǐng)導(dǎo)歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價值鏈產(chǎn)業(yè)化

  • 中國北京，2023年6月15日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業(yè)和大型實體機構(gòu)在光電子領(lǐng)域的創(chuàng)新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質(zhì)集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺。在此過程中，模擬/混合信號晶圓代工領(lǐng)域的先進廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發(fā)起一項戰(zhàn)略倡議，旨在推
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X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

  • 中國北京，2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應(yīng)用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
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碳化硅擴產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進

  • 近期，一眾國內(nèi)廠商擴產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導(dǎo)體代工廠TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產(chǎn)品組合；安森美半導(dǎo)體考慮投資20億美元擴產(chǎn)碳化硅芯片；SK集團宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運行，將正式量產(chǎn)碳化硅，產(chǎn)能將擴大近3倍。除此之外，據(jù)外媒報道，日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴產(chǎn)碳化硅的計劃。其中，瑞薩電子將于2025年開始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC）來降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。報道指出，按照計劃，瑞薩電子擬在目
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X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達(dá)成許可協(xié)議

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進一步擴大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長期合作關(guān)系。作為新協(xié)議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術(shù)授權(quán)，將這一技術(shù)的性能優(yōu)勢帶給大批量市場的客戶群體。130納米SiGe BiCMOS平臺新創(chuàng)建的130納米平臺顯著加強了X-FAB的技術(shù)組合，提供了獨特的解決方案，達(dá)到滿足下一代通信要求所需的更高
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是誰在拉動嵌入式存儲的技術(shù)革新和市場擴張？

  • 近年來，受到全球半導(dǎo)體產(chǎn)能短缺、新冠疫情以及季節(jié)性需求等因素的影響，存儲器件的價格呈現(xiàn)出較大的波動態(tài)勢。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業(yè)分析機構(gòu)的分析師都預(yù)測了半導(dǎo)體產(chǎn)能的短缺將持續(xù)整個2022年，甚至更長。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)分析，2022年全球存儲器件市場的規(guī)模將達(dá)到1716.82億美元，較之前預(yù)估的2022年增加135.21億美元，同比增長將會達(dá)到8.5%。 圖 | WSTS的電子元器件市場預(yù)測（2021年11月）圖源：WSTS&nbs
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Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán)，正式更名為Nexperia Newport

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實現(xiàn)宏偉的增長目標(biāo)和投資，進一步提高全球產(chǎn)能。通過此次收購，Nexperia獲得了該威爾士半導(dǎo)體硅芯片生產(chǎn)工廠的100%所有權(quán)。Nexperia Newport將繼續(xù)在威爾士半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中占據(jù)重要地位，引領(lǐng)新港地區(qū)和該區(qū)域其他工廠的技術(shù)研發(fā)。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務(wù)的客戶，并于2019年通過投資Neptune 6 Limite
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Galaxy Fold Lite曝光：外屏縮小 售價砍半1099美元起

  • 昨天XDA大神Max Weinbach曝光了一款全新的三星折疊屏新機——Galaxy Fold e/Lite，今天它又帶來了這款折疊屏新機的更多消息。規(guī)格上這款Galaxy Fold Lite升級為驍龍865處理器，不過不支持5G網(wǎng)絡(luò)，256GB存儲。外觀上變化較大，最顯眼的應(yīng)該是外屏可能同Galaxy Z Flip一樣小，換言之如果想要正常使用只能打開手機。屏幕則是塑料材質(zhì)而非Z Flip的UTG玻璃，鋁合金邊框+玻璃機身，有黑色和紫色可選。更重要的是它的價格，Max表示它的售價會直接在Galaxy F
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傳三星將推出Galaxy Note10 Lite版 將有黑紅兩種配色

  • 據(jù)外媒sammobile消息，三星正開發(fā)Galaxy Note10 Lite版系列手機。該款手機有望比Galaxy Note 10和Galaxy Note 10+更便宜。這款手機型號已經(jīng)確認(rèn)，為“SM-N770F”，將有黑色和紅色兩種配色，將提供128 GB的內(nèi)置內(nèi)存，此外沒有關(guān)于規(guī)格的信息。三星正開發(fā)Galaxy Note10 Lite版系列手機就產(chǎn)品理念而言，Galaxy Note10 Lite比Galaxy Note 10（SM-N970）更接近Galaxy Note 3 Neo（SM-N750&n
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外媒：華為Mate 30 Lite或首發(fā)鴻蒙操作系統(tǒng)

  • 眾所周知華為為了應(yīng)對潛在的風(fēng)險多年來一直在開發(fā)自己的鴻蒙操作系統(tǒng)作為其“B計劃”。早前也有消息稱華為將于今年年末推出一款采用鴻蒙操作系統(tǒng)的移動設(shè)備，根據(jù)最新消息顯示，這款機型很有可能是即將發(fā)布的華為Mate 30?Lite。
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華為P20 Lite 2019曝光：采用挖孔屏方案

  • 5月14日消息，知名爆料人士Roland Quandt曝光了一款中端新品—華為P20 Lite 2019。 根據(jù)Roland Quandt曝光的渲染圖，華為P20 Lite 2019采用了挖孔屏方案，這是繼華為nova 4之后第二款采用該方案的華為手機。據(jù)悉，華為P20 Lite 2019采用了5.84英寸FHD+LCD顯示屏，后置三攝呈縱向排布，支持背部指紋識別。
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GlobalFoundries傳紐約IBM晶圓廠找買家

  • GlobalFoundries 從新 CEO 上任以來，大刀闊斧進行改革，宣布退出全球高端技術(shù)的開發(fā)，又將新加坡 8 寸廠 Fab 3E 賣給臺積電旗下的世界先進后，業(yè)界再度點名“下一刀”，是為購自 IBM 的紐約 12 寸廠尋找買家。據(jù)傳美系 IDM 大廠有興趣，看來新任 CEO 這把削減成本的大刀要一砍到底，GlobalFoundries 經(jīng)歷大改革后可否涅槃重生值得關(guān)注。Thomas Caulfield 接替任職逾 4 年的 Sanjay Jha，出任 GlobalFoundries 的新 CEO
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SiC功率半導(dǎo)體器件需求年增29%，X-FAB計劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能

  • 　　隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認(rèn)為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù)，現(xiàn)已變得更具性價比。此外，隨著市場的增長，由于規(guī)模經(jīng)濟的關(guān)系，SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟上也越來越具有吸引力。　　功率半導(dǎo)體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比，SiC二極管可以實現(xiàn)短得多的反向恢復(fù)時間，從而實現(xiàn)更快的開關(guān)。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。就其本身
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不了解半導(dǎo)體FAB廠？看完這篇就懂了

  • 半導(dǎo)體FAB廠 FAQ100問影響工廠成本的主要因素有哪些?答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material間接材料，例如氣體hellip; Labor
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Skorpios收購了一座位于美國德州的Fab

  • 　　據(jù)麥姆斯咨詢報道，美國系統(tǒng)級芯片廠商Skorpios Technologies近日宣布收購了半導(dǎo)體集成廠商Novati Technologies及其位于美國德州奧斯汀的Fab，本次交易的具體金額暫未披露。 　　   　　Novati聞名于其在2.5D/3D集成、光子學(xué)、MEMS傳感器以及醫(yī)療應(yīng)用微流控領(lǐng)域的創(chuàng)新研究。Skorpios則擁有一套獨有的晶圓級工藝，能夠?qū)崿F(xiàn)硅和III-V族材料的單片集成，并作為工作介質(zhì)(active medium)制造硅光子IC。 　　在此次并購交易之
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