我們發(fā)現日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法,這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點,新型晶體管結構和材料拓展了性能?功耗設計空間,使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終,通過構成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構成的底層,晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關鍵作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非傳統(tǒng)
高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子公司(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩電子”)宣布開發(fā)面向消費類產品(如無線電動工具和電動自行車)中電機驅動的100A大電流功率MOSFET,以便加強公司的整個功率半導體器件生產線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍,其中3款新產品(包括N0413N)具有40V的電壓容差,而另外3款新產品(包括N0601N)具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業(yè)內最低的功率損耗水平,是延長電池壽命的理性之選。
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瑞薩 MOSFET N0413N
從1957年第一只晶閘管的誕生開始,功率電子技術以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展,產生極佳的經濟及社會效益。從美國高能效經濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到,到2030年,受益于采用半導體技術而獲得的更高能效,可以使美國的經濟規(guī)模擴大70%以上,與此同時,使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術領域的領先廠商,安森美半導體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新,而且取得了長足的進展
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安森美半導體 MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設計師手冊,內容包括 IR 公司MER 產品系列的選型指南、應用手冊、數據資料和設計技巧等。
IR 的 MER 產品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎的器件是理想的固態(tài)繼電器,能把AC 和 DC 負載和感測信號從幾毫安轉換成幾百瓦,廣泛應用于工業(yè)控制、測試設備、外圍電信設備、電腦外設
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IR 微電子繼電器 MOSFET
為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本,設計人員在功率器件中加入故障保護電路,以免器件發(fā)生故障,避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現,但是在更多情況下,設計人員使用完全
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器件 分析 功率 MOSFET 保護 完全
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列,推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術的HEXFET? MOSFET,為低功率應用提供高密度、低成本的解決方案,這些應用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、直流電動機、無線感應充電器、筆記本電腦、服務器、網通設備等
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IR MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列,適合要求低導通電阻的一系列應用,包括傳統(tǒng)內燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
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IR MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列,適合要求低導通電阻的一系列應用,包括傳統(tǒng)內燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
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IR 柵級驅動 MOSFET
Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD,可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻(Rdson)性能,以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。
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Diodes MOSFET DMC4040SSD
Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD,可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻(Rdson)性能,以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。
關鍵字:
Diodes DMC4040SSD MOSFET
現代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認為,企業(yè)家的職能就是實現“創(chuàng)新”,引進生產要素或生產條件的“新組合”,目的是最大限度地獲取超額利潤。創(chuàng)新催生利潤,因此“創(chuàng)新”一詞得到狂熱追捧,幾乎所有企業(yè)都在打出各式各樣的創(chuàng)新口號。
不僅業(yè)內企業(yè)在摸索和實踐著創(chuàng)新,作為“深圳(國際)集成電路技術創(chuàng)新與應用展覽會”的組織機構——深圳市半導體行業(yè)協(xié)會也在積極行動。他們在深入調研了
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IC設計 MOSFET 音頻解碼器
電源工程師一直面對減小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn),而在筆記本電腦、負載點、服務器、游戲和電信應用中,上述兩點尤為重要。為了幫助設計人員應對這些挑戰(zhàn),全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊。
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飛兆 MOSFET FDMS36xxS
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術,為一系列的低功耗應用,包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案?!?/li>
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IR PQFN MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術,為一系列的低功耗應用,包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
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IR HEXFET MOSFET
據IHS iSuppli公司的研究,2010年中國功率MOSFET市場快速增長,銷售額達到23億美元,比2009年的16億美元增長43%。
直到去年第三季度,功率MOSFET在2010年多數時間都處于供應不足局面,難以滿足中國各行業(yè)的需求,包括本地數據處理、消費與通信領域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設計的功率半導體器件,主要用于電源與DC-DC轉換器中的低電壓開關?!?/li>
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MOSFET DC-DC轉換器
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