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硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問(wèn)世以來(lái)，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是...
關(guān)鍵字： LED芯片硅襯底 GaN

硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲(chǔ)用的紫光激光器，紫外光探測(cè)器，...
關(guān)鍵字： MOCVD GaN LED芯片

一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)等特點(diǎn)，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
關(guān)鍵字： GaN S波段寬帶放大器

GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)

摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。考慮了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過(guò)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 探測(cè)器紅外量子 GaN

一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)

氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說(shuō)明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過(guò)15W，附加效率超過(guò)67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 功率放大器 GaN 一種

Diagnose LEDs by monitoring the switch-mode du

A change in the forward voltage (VF) for a string of series-connected, high-brightness LEDs (HB LEDs) can indicate deterioration or complete failure of one or more of the LEDs. Accordingly, this circu
關(guān)鍵字： switch-mode monitoring Diagnose cycle

基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來(lái)很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì)，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
關(guān)鍵字： GaN LED 襯底功率型

GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)，2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.8億

　　美國(guó)iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開(kāi)始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
關(guān)鍵字： GaN MOSFET

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

使用國(guó)產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測(cè)試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國(guó)產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
關(guān)鍵字： MMIC SiC GaN 襯底

嵌入式Linux 的safe mode 設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

嵌入式Linux 的safe mode 設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),目前的各種嵌入式產(chǎn)品已經(jīng)豐富多彩，它們正改變著我們的生活方式。隨著嵌入式產(chǎn)品功能的增加，如何讓用戶(hù)對(duì)已購(gòu)買(mǎi)的產(chǎn)品的升級(jí)能安全地、順利地完成，避免升級(jí)過(guò)程中出現(xiàn)的意外掉電所引起的產(chǎn)品故障，這樣的問(wèn)題要求
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) mode safe Linux 嵌入式嵌入式，Linux safe mode bootloader 架構(gòu)

IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺(tái)

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布，成功開(kāi)發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺(tái)相比，該技術(shù)平臺(tái)可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計(jì)算和通信、汽車(chē)和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。　　開(kāi)拓性GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR基于該公司的GaN器件專(zhuān)利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過(guò)有效利用公司60年來(lái)在電源轉(zhuǎn)換專(zhuān)業(yè)知識(shí)方面
關(guān)鍵字： IR 功率器件 GaN 終端

測(cè)試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話(huà)技術(shù)問(wèn)題

要預(yù)測(cè)客戶(hù)對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值...
關(guān)鍵字： GAN 蜂窩話(huà)音質(zhì)量

Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

　　Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級(jí)別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。　　新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括：　　1. 相比于類(lèi)似功率級(jí)的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍　　　　2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率　　3. 在免授權(quán)的5.8G
關(guān)鍵字：三極管 WiMAX Cree GaN

研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展

　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無(wú)裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測(cè)量顯示出很高的晶體質(zhì)量，并且研究人員還報(bào)告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延（MOVPE）反應(yīng)腔中生長(zhǎng)的。??????? 　　“對(duì)實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來(lái)說(shuō)，在200mm硅晶圓上生長(zhǎng)出
關(guān)鍵字：硅晶圓 GaN 200mm MEMC

如何測(cè)試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話(huà)

　　要預(yù)測(cè)客戶(hù)對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值的工具，本文將介紹如何進(jìn)行此類(lèi)測(cè)試。　　UMA/GAN是一種能讓移動(dòng)電話(huà)在傳輸話(huà)音、數(shù)據(jù)、既有話(huà)音也有數(shù)據(jù)或既無(wú)話(huà)音也無(wú)數(shù)據(jù)時(shí)在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無(wú)線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無(wú)線 LAN)之間無(wú)縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過(guò)程中一項(xiàng)里程碑式的技術(shù)，UMA/GAN能讓手機(jī)用戶(hù)得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動(dòng)接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
關(guān)鍵字：移動(dòng)電話(huà) UMA GAN SEGW WLAN