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迎戰(zhàn)三星 臺塑集團準備好了
- 南韓三星電子大張旗鼓擴充DRAM產能,引發(fā)各方關注。臺塑集團總裁王文淵日前于內部會議表示,原先預期三星明年下半年啟動擴產,其進度比預期快得多,惟集團與美光合作的30納米制程已完成開發(fā),今年將切入50、42納米制程,技術超越臺系廠商;對照先前65納米,生產成本優(yōu)勢將提升約40%至50%,臺塑集團已積極審慎應戰(zhàn)。 三星大張旗鼓擴充DRAM、NAND產能,由于比原先預期將在明年下半年啟動快的多,也使臺灣廠商將被迫提前面臨新產業(yè)淘汰賽,但也突顯三星對DRAM后續(xù)產業(yè)前景,有偏多的立場。 南亞科董事
- 關鍵字: 三星電子 DRAM NAND 50納米
三星巨額投資計劃恐對全球DRAM業(yè)投下震撼彈
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺公開呼吁DRAM同業(yè)應該要節(jié)制擴產,但三星電子卻于17日宣布,2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出,是歷年來規(guī)模最大的投資計畫,主要以半導體產業(yè)為主,這對全球DRAM產業(yè)可說是投下一顆震撼彈,而臺系DRAM廠的反應則是啞巴吃黃蓮。存儲器業(yè)者指出,三星此舉是看好未來3年PC市場成長率,但卻讓現(xiàn)階段正積極募資的臺系DRAM廠,狠狠挨了一記悶棍! 權五鉉3月中旬
- 關鍵字: 三星電子 DRAM
歐盟對三星等多家芯片制造商開出反壟斷罰單
- 歐盟委員會19日裁定韓國三星等10家芯片制造商操縱市場價格的行為構成壟斷,并開出總額達3.31億歐元的罰單。 歐盟委員會當天發(fā)表聲明說,這些企業(yè)在動態(tài)隨機存儲器(DRAM)銷售上設定價格,其行為損害了市場競爭,違反歐盟反壟斷規(guī)定。 根據(jù)這一聲明,韓國三星電子公司被罰金額最高,為1.457億歐元,其次為歐洲第二大半導體生產商德國英飛凌科技公司和韓國現(xiàn)代電子產業(yè)公司,分別被處以5670萬歐元和5150萬歐元罰金。據(jù)悉,韓國三星電子公司和韓國現(xiàn)代電子產業(yè)公司去年在該存儲器全球市場中占據(jù)一半以上份
- 關鍵字: 三星電子 DRAM
三星巨額投資計劃恐對全球DRAM業(yè)投下震撼彈
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺公開呼吁DRAM同業(yè)應該要節(jié)制擴產,但三星電子卻于17日宣布,2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出,是歷年來規(guī)模最大的投資計畫,主要以半導體產業(yè)為主,這對全球DRAM產業(yè)可說是投下一顆震撼彈,而臺系DRAM廠的反應則是啞巴吃黃蓮。存儲器業(yè)者指出,三星此舉是看好未來3年PC市場成長率,但卻讓現(xiàn)階段正積極募資的臺系DRAM廠,狠狠挨了一記悶棍! 權五鉉3月中旬
- 關鍵字: 三星電子 DRAM
三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關
- 2010年第1季全球NAND Flash產業(yè)市占率中,仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭,根據(jù)集邦統(tǒng)計,三星的市占率高達39.2%,東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后,第1季位元成長率較上季增加15%,但平均單價(ASP)小跌5%,全球NAND Flash產業(yè)的產值規(guī)模約43.63億美元,較上季39.1億元成長11.6%。 NAND Flash產業(yè)2009年率先落底反彈,但2010年表現(xiàn)空間不多,在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
- 關鍵字: Samsung NAND DRAM
dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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