首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr-sdram

ddr-sdram 文章 最新資訊

高速存儲器的調(diào)試和評估――不要僅僅停留在一致性測試上

  • 引言：DDR4 等存儲技術的發(fā)展帶動存儲器速度與功率效率空前提升，僅僅停留在一致性測試階段，已經(jīng)不能滿足日益深入的調(diào)試和評估需求。DDR 存儲器的測試項目涵蓋了電氣特性和時序關系，由JEDEC明確定義，JEDEC 規(guī)范并
  • 關鍵字： 高速存儲器    一致性測試    DDR  

SDR SDRAM（架構(gòu)篇）

  • 今天我們來講的是SDRAM的架構(gòu)以及設計，這也是小墨第一次接觸架構(gòu)，也談不上給大家講，就是把我理解的當做一個筆記分享給大家，我也試著做了一個SDRAM 的架構(gòu)word文檔，在文章的后面，喜歡的朋友可以下載下來看一下
  • 關鍵字： SDRAM    FPGA  

高速數(shù)字電路設計：互連時序模型與布線長度分析

  • 高速電路設計領域，關于布線有一種幾乎是公理的認識，即“等長”走線，認為走線只要等長就一定滿足時序需求，就不會存在時序問題。本文對常用高速器件的互連時序建立模型，并給出一般性的時序分析公式。為
  • 關鍵字： PCB  DDR  SDRAM  PHY芯片  

詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

  • DRAM (動態(tài)隨機訪問存儲器)對設計人員特別具有吸引力，因為它提供了廣泛的性能，用于各種計算機和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設計中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
  • 關鍵字： 存儲器    DRAM    SDRAM  

DDR的前世與今生（二）

  • 　　SDRAM與DDR SDRAM 　　SDRAM是比較久遠的事情了，但我們一說到它肯定不會和 DDR混淆，我們通常理解的SDRAM其實是SDR SDRAM,為SDRAM的第一代，而DDR1則為第二代，乃至到我們現(xiàn)在使用的DDR4，其實為第五代SDRAM，在此需要澄清一下。以示區(qū)別，后續(xù)文 章里面用SDR來特指SDR SDRAM，而DDR就特指DDR SDRAM了。 　　就像很多人回復的一樣，他們的本質(zhì)區(qū)別就是周期操作方 式(也稱時鐘采樣)的差異，這就導致后面設計上很大的不同。SDR都是“
  • 關鍵字： DDR  SDRAM  

SDRAM連接電路設計詳解

  • 介紹SDRAM電路設計之前先了解下SDRAM的尋址原理。SDRAM內(nèi)部是一個存儲陣列，可以把它想象成一個表格，和表格的檢索原理一樣，先指定行，再指定列，
  • 關鍵字： SDRAM  電路設計    

IDT為Intel Xeon處理器提供企業(yè)解決方案

  • 混合信號半導體解決方案供應商 IDT® 公司宣布支持基于 Nehalem 的 Intel® Xeon® 處理器，該處理器采用可進行生產(chǎn)的 PCI Express®(PCIe®)交換和計
  • 關鍵字： IDT  DDR   

SRAM簡介及與DRAM/SDRAM的比較

  • RAMRAM是指通過指令可以隨機的、個別的對各個存儲單元進行訪問的存儲器，一般訪問時間基本固定，而與存儲單元地址無關。RAM的速度比較快，但其保
  • 關鍵字： SRAM  DRAM  SDRAM  比較  

e2v宣布計劃延長Micron部分SDR和DDR存儲產(chǎn)品的壽命

  • 射頻功率、成像和高可靠性半導體解決方案領域的領軍企業(yè) e2v aerospace and defense, Inc. (e2v ad) 近日宣布，將延長世界領先高級存儲解決方案供應商之一 Mic
  • 關鍵字： Micron  e2v  DDR   

DDR的前世與今生（一）

  • 　　DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基礎上改進而來，嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR。 　　說到這里，很多人可能會問SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼，怎么區(qū)別的?小編還是來簡單普及下關于存儲的基礎知識吧。 　　ROM 和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是只讀存儲器(Read-Only Memory)的簡稱，是一種只能讀出事先
  • 關鍵字： DDR  DRAM  

Xilinx MIG IP核的研究及大容量數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的實現(xiàn)

  • 為了使DDR3 SDRAM更方便、多樣地用于工程開發(fā)中，本文對XILINX公司DDR3 SDRAM提供的MIG核進行了分析研究，并在此基礎上實現(xiàn)了大容量數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的邏輯設計。通過對系統(tǒng)中各模塊的作用及相互間關系的研究，發(fā)現(xiàn)該控制器256位接口對工程開發(fā)十分不便，通過創(chuàng)建FIFO控制系統(tǒng)和讀寫接口FIFO的方式，將接口轉(zhuǎn)換為64位。該方案對控制核重新構(gòu)建并上板測試，均符合高速數(shù)據(jù)傳輸緩存的要求，使DDR3成為一個大容量且可控的高速FIFO。
  • 關鍵字： MIG核  FIFO  DDR3 SDRAM  201608  

大話存儲器——存儲器無處不在

  • 　　特權(quán)同學對存儲器的認識也許還很膚淺，但是不要緊，學習靠積累，靠總結(jié)。希望在大話存儲器的一些文章里總結(jié)歸納一些和存儲器相關的知識，也希望能夠理出一條清晰的思路，讓大家也讓我自己對存儲器有更深入的認識何了解。 　　提到存儲器相信沒有人會陌生，也許你的第一反應會是PC機的內(nèi)存條、硬盤，如果你是個電子行業(yè)的學生或者從業(yè)者，你也許還會想到FLASH、SRAM、SDRAM、EEPROM等等。的確，信息時代的存儲器可謂無處不在，也正是因為有了存儲器，才讓計算機(特權(quán)同學認為這個計算機的概念不僅僅是電腦，嵌入式的任
  • 關鍵字： 存儲器  SDRAM  

零基礎學FPGA （二十五）必會！ 從靜態(tài)時序分析到SDRAM時序收斂（下篇）

  • 　　七、SDRAM工作時鐘相位偏移計算 　　從上篇文章中我們知道，我們的數(shù)據(jù)是要經(jīng)過一定的延時才會到達目標器件的，這個延時也就是相對于源寄存器的時鐘發(fā)射沿的時間延時，數(shù)據(jù)在源寄存器時鐘的上升沿到來時輸出，經(jīng)過FPGA的走線，PCB走線等，到達目標寄存器的數(shù)據(jù)端口時會有一定的延時，而這個數(shù)據(jù)要想被目標器件的目的寄存器鎖存，那么，目的寄存器的鎖存時鐘應該盡量在數(shù)據(jù)的有效窗口內(nèi)才能確保數(shù)據(jù)被捕獲成功。所謂數(shù)據(jù)的有效窗口，就是數(shù)據(jù)在兩次變化之間的中間部分，也是數(shù)據(jù)最穩(wěn)定的部分。 　　所以，要想將數(shù)據(jù)正確捕獲，
  • 關鍵字： FPGA   SDRAM  

零基礎學FPGA （二十四）必會！ 從靜態(tài)時序分析到SDRAM時序收斂（上篇）

  • 　　下面我們進入正題，今天我們講時序 　　一、從靜態(tài)時序分析說起 　　我理解的靜態(tài)時序分析，就是我們在不加激勵的情況下，通過對電路進行時序的延遲計算，預計電路的工作流程，對電路提出我們需要的一些約束條件，比如我們需要從A寄存器到B寄存器的延遲不能大于10ns，如果我們不添加時序約束，綜合工具可能會有好幾條路徑，按照它自己的要求來布局布線，那么從A寄存器到B寄存器的時間就有可能是20ns或者15ns之類的路徑，而我們需要的是不能大于10ns，因此，我們需要添加時序約束，再根據(jù)特定的時序模型，使我們的系統(tǒng)
  • 關鍵字： FPGA  SDRAM  

零基礎學FPGA （二十三） SDR SDRAM（架構(gòu)篇）

  • 　　今天我們來講的是SDRAM的架構(gòu)以及設計，這也是小墨第一次接觸架構(gòu)，也談不上給大家講，就是把我理解的當做一個筆記分享給大家，有什么錯誤也請積極指正，畢竟我也是沒有老師教，也是自己摸索的，難免有些不合理的地方。 　　一、SDRAM 工作部分 　　1、上電初始化 　　   　　我們先來看第一部分，上電初始化。上電初始化我們知道，上電之后我們需要等待200us的穩(wěn)定期，這段時間我們可以用一個定時器來計數(shù)，這沒什么問題，然后進入的是預充電部分，這個時候，預充電的時候，sdram_cmd
  • 關鍵字： FPGA  SDRAM  
共236條 4/16 |‹ « 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 » ›|
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473