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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr-sdram

ADI公司的新一代SHARC 處理器滿足專業(yè)音頻的所有需求

  • 　　極高性能的浮點DSP，比以往的 SHARC處理器性能提高一倍，具有硬件加速器與音頻應(yīng)用提升特性: 片上存儲器增加60%以上，提供DDR2 SDRAM外部存儲器接口及連接端口 　　中國 北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，最新推出SHARC® ADSP-21469，以幫助開發(fā)人員重新定義專業(yè)系統(tǒng)中的逼真音響。更多的通道、更多的效果、更多的建模、更高的采樣速率：專業(yè)數(shù)字音頻應(yīng)用正在不斷逼
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SDRAM在任意波形發(fā)生器中的應(yīng)用

  • 任意波形發(fā)生器在雷達、通信領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用,但目前任意波形發(fā)生器大多使用靜態(tài)存儲器。這使得在任意波形發(fā)生器工作頻率不斷提高的情況下,波形的存儲深度很難做得很大,從而不能精確地表達復(fù)雜信號。本文介紹的基于動態(tài)存儲器(SDRAM)的設(shè)計能有效解決這一問題,并詳細討論了一種簡化SDRAM控制器的設(shè)計方法。
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NAND閃存的下一個熱點：性能

  • 　　利用50-40nm的工藝制程節(jié)點，NAND閃存密度已達到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長，公司更加重視改進NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價格急劇下降，高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。         2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
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基于NiosⅡ的圖像采集和顯示的實現(xiàn)

  • 　　摘 要：采用OV2610的CMOS圖像傳感器和26K色的TFT液晶屏，在SOPC上集成了OV2610、TFT液晶控制器和DMA控制器，實現(xiàn)了圖像數(shù)據(jù)流的采集和顯示。 　　關(guān)鍵詞：DMA  Avalon數(shù)據(jù)流模式  SDRAM 　　隨著大規(guī)模集成電路設(shè)計技術(shù)的進步、制造工藝水平的提高以及單個芯片上的邏輯門數(shù)的增加，嵌入式系統(tǒng)設(shè)計變得日益復(fù)雜。把整個系統(tǒng)集成到一個芯片上,即片上系統(tǒng)SoC(System on Chip)技術(shù)是當(dāng)前嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的一個研究熱點。在Altera公司提供的
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TI推出新一代 3A DDR 端接穩(wěn)壓器

  • 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲器終端電源管理要求的汲極／源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。該簡便易用的新型穩(wěn)壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF，比同類競爭解決方案的電容降低了近 80%。這樣，設(shè)計人員可利用該器件實現(xiàn)更低成本、更小型化的 DDR 存儲器終端解決方案，以滿足數(shù)字電視、機頂盒、VGA 卡、電信、數(shù)據(jù)通信、筆記本以及臺式機電腦等現(xiàn)代大容量存儲器電子產(chǎn)品以及日益豐富的消費類電子產(chǎn)品的需求。
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在DDR3 SDRAM存儲器接口中使用調(diào)平技術(shù)

  • 　　引言 　　DDR3 SDRAM存儲器體系結(jié)構(gòu)提高了帶寬，總線速率達到了600 Mbps至1.6 Gbps (300至800 MHz)，它采用1.5V工作，降低了功耗，90-nm工藝密度提高到2 Gbits。這一體系結(jié)構(gòu)的確速率更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但是怎樣才能實現(xiàn)DDR3 SDRAM DIMM和FPGA的接口呢?調(diào)平技術(shù)是關(guān)鍵。如果FPGA I/O結(jié)構(gòu)中沒有直接內(nèi)置調(diào)平功能，和DDR3 SDRAM DIMM的接口會非常復(fù)雜，成本也高，需要采用大量的外部元件。那么，什么是調(diào)平技術(shù)，這一技
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Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC

  • 　　Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC DS2731。該PMIC集成了單節(jié)Li+電池充電器、控制系統(tǒng)電源和電池電源切換的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、以及用于“調(diào)節(jié)”DDR存儲器電源的2MHz同步降壓調(diào)節(jié)器。這種空前的高度集成特性省去了現(xiàn)有方案中15個以上的分立元件，從而節(jié)省了成本和空間。DS2731能夠兼容DDRII和DDRIII中的PCI Express® 12V電源，非常適合用于RAID服務(wù)器/系統(tǒng)存儲卡、板載RAID (ROMB)以及板載模塊化RAID
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SDRAM接口的VHDL設(shè)計

  • 　　RAM（隨機存取存儲器　是一種在電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛的器件，通常用于數(shù)據(jù)和程序的緩存。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，RAM獲得了飛速的發(fā)展，從RAM、DRAM(Dynamic RAM，即動態(tài)RAM)發(fā)展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步動態(tài)RAM)，RAM的容量越來越大、速度越來越高，可以說存儲器的容量和速度已經(jīng)成為半導(dǎo)體工業(yè)水平的標志。 　　１ 任務(wù)背景 　　SDRAM具有大容量和高速的優(yōu)點，目前其存取速度可以達到100～133MHz，單片容量可以達到64Mbit或更高
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高速嵌入式視頻系統(tǒng)中SDRAM時序控制分析

  • 　　在高速數(shù)字視頻系統(tǒng)應(yīng)用中，使用大容量存儲器實現(xiàn)數(shù)據(jù)緩存是一個必不可少的環(huán)節(jié)。SDRAM就是經(jīng)常用到的一種存儲器。 　　但是，在主芯片與SDRAM之間產(chǎn)生的時序抖動問題阻礙了產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)。在數(shù)字電視接收機的生產(chǎn)實際應(yīng)用中，不同廠家的PCB板布線、PCB材料和時鐘頻率的不同，及SDRAM型號和器件一致性不同等原因，都會帶來解碼主芯片與SDRAM間訪問時序的抖動問題。 　　本文利用C-NOVA公司數(shù)字電視MPEG-2解碼芯片AVIA9700內(nèi)置的SDRAM控制器所提供的時序補償機制，設(shè)計了一個方便使
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全球半導(dǎo)體標準組織委員會會議在上海舉行 推動存儲工業(yè)新標準制定

  • 　　隨著筆記本電腦、手機等移動終端以及家用數(shù)碼產(chǎn)品的大規(guī)模增長，器的移動性和能耗問題已廣泛受到業(yè)界關(guān)注。日前，(全球半導(dǎo)體組織)委員會會議在上海舉行，推動存儲工業(yè)新標準制定。 　　在過去五年內(nèi)，JEDEC曾與中國半導(dǎo)體行業(yè)組織合作，促進中國及世界的半導(dǎo)體行業(yè)標準。例如中國電子標準協(xié)會(CESA)，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(CSIA)與中國電子標準研究所(CESI)等。 　　我國企業(yè)已占JEDEC會員數(shù)的20%，而且數(shù)目還在增長。JEDEC本次會議主要研究了DDR3 SDRAM（第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲
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基于FPGA的DDR SDRAM控制器在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 實現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速大容量存儲是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的一項關(guān)鍵技術(shù)。本設(shè)計采用Altera公司Cyclone系列的FPGA完成了對DDR SDRAM的控制，以狀態(tài)機來描述對DDR SDRAM的各種時序操作，設(shè)計了DDR SDRAM的數(shù)據(jù)與命令接口。用控制核來簡化對DDR SDRAM的操作，并采用自頂至下模塊化的設(shè)計方法，將控制核嵌入到整個數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的控制模塊中，完成了數(shù)據(jù)的高速采集、存儲及上傳。使用開發(fā)軟件Quartus II中內(nèi)嵌的邏輯分析儀SignalTap II對控制器的工作流程進行了驗證和調(diào)試。最終采集到的
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針對DDR供電 飛思卡爾推出全線電源芯片產(chǎn)品

  • 　　模擬市場正在茁壯成長，按照12%的年復(fù)增長率估算，將超過許多其他的數(shù)字IC市場。在這樣的發(fā)展速度下，據(jù)預(yù)測，模擬市場將在2012年達到680億美元，屆時將實現(xiàn)近1390億的出貨量。亞太地區(qū)是模擬市場的最大消費區(qū)域，但設(shè)計和生產(chǎn)遍布在世界各地。 　　模擬市場是一個高度競爭的市場，一些供應(yīng)商只關(guān)注特定的產(chǎn)品，而另一些則進行全面組合，以覆蓋各個領(lǐng)域的特色模擬產(chǎn)品，事實上，新興業(yè)務(wù)已經(jīng)加速發(fā)展。模擬領(lǐng)域有大量的新業(yè)務(wù)出現(xiàn)，尤其是在研發(fā)新技術(shù)方面，但是進入這一領(lǐng)域的門檻依然很高，由于工程人才，渠道力量和全球?qū)?/li>
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片上SDRAM控制器的設(shè)計與集成

  • 　　隨著設(shè)計與制造技術(shù)的發(fā)展,集成電路設(shè)計從晶體管的集成發(fā)展到邏輯門的集成, 現(xiàn)在又發(fā)展到IP的集成,即SoC設(shè)計技術(shù)。SoC可以有效地降低電子信息系統(tǒng)產(chǎn)品的開發(fā)成本,縮短開發(fā)周期,提高產(chǎn)品的競爭力,是工業(yè)界將采用的最主要的產(chǎn)品開發(fā)方式。目前國內(nèi)也加大了在SoC 設(shè)計以及IP 集成領(lǐng)域的研究。本文介紹的便是國家基金項目支持的龍芯SoC—ICT- E32 設(shè)計所集成的片上SDRAM 控制器模塊設(shè)計與實現(xiàn)。 　　1 　ICT-E32 體系結(jié)構(gòu) 　　ICT-E32 是一款32位高性能SoC ,它集成龍芯1號
  • 關(guān)鍵字： SoC  SDRAM  控制器  MCU和嵌入式微處理器  

FPGA與DDR3 SDRAM的接口設(shè)計

  •     DDR3 SDRAM內(nèi)存的總線速率達到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz)，1.5V的低功耗工作電壓，采用90nm制程達到2Gbits的高密度。這個架構(gòu)毫無疑問更快、更大，每比特的功耗也更低，但是如何實現(xiàn)FPGA和DDR3 SDRAM DIMM條的接口設(shè)計呢？ 　　關(guān)鍵字：均衡（leveling） 　　如果FPGA&nbs
  • 關(guān)鍵字： FPGA  DDR3  SDRAM  接口  模擬IC  電源  

高速嵌入式視頻系統(tǒng)中SDRAM時序控制分析

  • 　　在高速數(shù)字視頻系統(tǒng)應(yīng)用中，使用大容量存儲器實現(xiàn)數(shù)據(jù)緩存是一個必不可少的環(huán)節(jié)。SDRAM就是經(jīng)常用到的一種存儲器。 　　但是，在主芯片與SDRAM之間產(chǎn)生的時序抖動問題阻礙了產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)。在數(shù)字電視接收機的生產(chǎn)實際應(yīng)用中，不同廠家的PCB板布線、PCB材料和時鐘頻率的不同，及SDRAM型號和器件一致性不同等原因，都會帶來解碼主芯片與SDRAM間訪問時序的抖動問題。 　　本文利用C-NOVA公司數(shù)字電視MPEG-2解碼芯片AVIA9700內(nèi)置的SDRAM控制器所提供的時序補償機制，設(shè)計了一個方便使
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ddr-sdram介紹

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