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cxl dram 文章 最新資訊

2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢分析

  • 　　張明花（集邦咨詢顧問（深圳）有限公司 編輯，深圳 518000）　　摘? 要：預(yù)估2020年全球內(nèi)存市場的年成長率僅為12.2%，這個(gè)數(shù)字在年成長動(dòng)輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標(biāo)，資本支出也會(huì)減少?！　￡P(guān)鍵詞：內(nèi)存；DRAM；三星；SK海力士；美光　　觀察全球內(nèi)存（DRAM）市場供需格局以及價(jià)格走勢，在歷經(jīng)近5個(gè)季度的庫存調(diào)整后，2019年第4季 度DRAM市場仍處于微幅供過于求狀態(tài)，即便2020年 第1季度DRAM的
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南亞科10nm DRAM技術(shù)突破

  • 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，南亞科已完成自主研發(fā) 10 納米級(jí) DRAM 技術(shù)，將在今年下半年試產(chǎn)！
  • 關(guān)鍵字： 10nm  DRAM  

儒卓力與愛普科技簽署全球分銷協(xié)議

  • 儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)和中國臺(tái)灣證券交易所上市企業(yè)，全球領(lǐng)先的IoT RAM、利基型DRAM和AI存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商愛普科技簽署全球分銷協(xié)議。這項(xiàng)分銷協(xié)議涵蓋了愛普科技的全部產(chǎn)品，并且已經(jīng)生效。根據(jù)此分銷合作關(guān)系協(xié)議，儒卓力是愛普科技IoT RAM產(chǎn)品在歐洲市場的獨(dú)家分銷商。愛普科技的產(chǎn)品范圍包括各種各樣的存儲(chǔ)解決方案，重點(diǎn)產(chǎn)品則是具有低引腳數(shù)的超低功耗IoT RAM和具有長壽命支持的標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)品。在物聯(lián)網(wǎng)和邊緣AI市場，存儲(chǔ)器是系統(tǒng)性
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南亞科：明年下半年DRAM將供不應(yīng)求

  • DRAM大廠南亞科董事長吳嘉昭認(rèn)為，明年第2季起，DRAM市場就會(huì)供需平衡，且若市場未有大量新產(chǎn)能開出，下半年DRAM可望再度供不應(yīng)求。
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  DRAM  市場  

日韓決裂，半導(dǎo)體誰最受傷？

  • 6月末也是在大阪召開G20結(jié)束的時(shí)間，此次出口限制可謂是對(duì)韓國企業(yè)的一次“偷襲”！此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時(shí)的“日本偷襲珍珠港”。
  • 關(guān)鍵字： 日韓貿(mào)易戰(zhàn)  半導(dǎo)體  光刻  DRAM  

美光推出面向移動(dòng)應(yīng)用、堪稱業(yè)內(nèi)容量最高的單片式內(nèi)存

  • 新聞?wù)? 16Gb LPDDR4X改進(jìn)了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶，它的推出進(jìn)一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機(jī)設(shè)計(jì)更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當(dāng)前和下一代
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美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級(jí)制程DRAM

  • 根據(jù)國外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出，日前美系存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產(chǎn)的DRAM將會(huì)是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲(chǔ)器。對(duì)此，市場預(yù)估，美光的該項(xiàng)新產(chǎn)品還會(huì)在2019年底前，在美光位于中國臺(tái)灣臺(tái)中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。
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日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢，長期須關(guān)注原廠庫存水位

  • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請(qǐng)流程延長，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游
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國際半導(dǎo)體遭遇寒冬 中國存儲(chǔ)方隊(duì)逆勢擴(kuò)張

  • 　　在中美貿(mào)易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團(tuán)宣布組建DRAM集團(tuán)，讓市場注意力集中到國內(nèi)存儲(chǔ)器布局上。當(dāng)前國際存儲(chǔ)寡頭壟斷的格局下，國內(nèi)存儲(chǔ)方隊(duì)既要面對(duì)技術(shù)、團(tuán)隊(duì)等方面的疊代差距，又要面對(duì)當(dāng)前國際半導(dǎo)體市場勢弱，存儲(chǔ)大幅降價(jià)的風(fēng)險(xiǎn)，迎難而上，逆勢擴(kuò)張。　　國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降溫　　6月30日晚間，紫光集團(tuán)宣布了組建DRAM事業(yè)群的計(jì)劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團(tuán)“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)。而如果放眼國際，此時(shí)紫光集團(tuán)布局DRAM可謂迎難而上，逆勢擴(kuò)張?！　?jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)官網(wǎng)最新統(tǒng)計(jì)，5月全球半
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美光正在為DDR5擴(kuò)大產(chǎn)能 并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)工藝技術(shù)

  • 在近日與投資者和金融分析師召開的收益電話會(huì)議上，美光對(duì)其長期未來及對(duì)其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求表示了信心，該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能的計(jì)劃，并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字： 美光  DDR5  DRAM  

紫光集團(tuán)組建DRAM事業(yè)群

  • 6月30日，紫光集團(tuán)發(fā)布公告稱，決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國產(chǎn)內(nèi)存。
  • 關(guān)鍵字： 紫光  DRAM  閃存  

DRAM顆粒6月現(xiàn)貨價(jià)逼近生產(chǎn)成本　跌勢趨緩訊號(hào)浮現(xiàn)

  • DRAM價(jià)格第2季大幅走跌，根據(jù)供應(yīng)鏈透露，6月起DRAM顆?，F(xiàn)貨價(jià)格再度走跌，主流交易規(guī)格的8Gb顆粒正式跌破3美元關(guān)卡。
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  SK海力士  美光  南亞科  DRAM  

紅「芯」勢力崛起 三星DRAM事業(yè)的危機(jī)與中轉(zhuǎn)

  • 半導(dǎo)體無所不在，舉凡汽車、家電、手機(jī)到戰(zhàn)斗機(jī)，皆少不了半導(dǎo)體這玩意。半導(dǎo)體為韓國最具代表性產(chǎn)業(yè)，占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲(chǔ)器榮景告終、價(jià)格走跌，除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲(chǔ)器事業(yè)陷入危機(jī)外，韓國經(jīng)濟(jì)前景也跟著蒙上陰影。面對(duì)中國大陸DRAM力拚崛起，及工業(yè)4.0革命可能帶來的爆炸性需求，三星半導(dǎo)體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  SDI  

三星18nm工藝內(nèi)存芯片曝缺陷 明年全面挺進(jìn)16nm

  • 作為占據(jù)全球DRAM內(nèi)存芯片過半市場的超級(jí)巨頭，三星電子的一舉一動(dòng)都影響著整個(gè)行業(yè)。前幾年內(nèi)存價(jià)格持續(xù)暴漲，三星賺得盆滿缽滿，最近日子就不太好過了，一季度營業(yè)利潤暴跌了超過60％。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  16nm  三星電子  

MRAM技術(shù)新突破！臺(tái)灣清大團(tuán)隊(duì)發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)

  • 　　全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)，準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺(tái)灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！　RAM為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)流失，是“不失憶”的存儲(chǔ)器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開?！　∑?/li>
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